Cree積極擴廠(chǎng)開(kāi)發(fā)功率及射頻元件，GaN on SiC磊晶技術(shù)發(fā)展待觀(guān)察

全球SiC晶圓市場(chǎng)規模約為8千多億美元，SiC晶圓與GaN on SiC磊晶技術(shù)大廠(chǎng)Cree為求強化自身功率及射頻元件研發(fā)能力，決議2019年5月于美國總部北卡羅萊納州特勒姆市，擴建1座先進(jìn)自動(dòng)化8寸SiC晶圓生產(chǎn)工廠(chǎng)與1座材料超級工廠(chǎng)(Mega Factory)，期望借此擴建案，提升Cree在SiC晶圓上的生產(chǎn)尺寸與提升晶圓使用市占，并提供GaN on SiC先進(jìn)磊晶技術(shù)進(jìn)一步應用于功率及射頻元件中。

Cree收回Wolfspeed事業(yè)部，加碼擴廠(chǎng)開(kāi)發(fā)功率及射頻元件

以L(fǎng)ED材料與元件起家的Cree，近年將研發(fā)方向集中于功率及射頻元件領(lǐng)域的理由，可從其與Infineon的并購案淵源說(shuō)起。原先Cree旗下以功率及射頻元件為主力的Wolfspeed事業(yè)部因本身經(jīng)營(yíng)策略，已規劃于2016年7月公告出售該部門(mén)至Infineon功率半導體事業(yè)體，期望借由此次并購案，使Infineon成為車(chē)用SiC元件上的領(lǐng)先霸主；但事情發(fā)展并非如此順利，2017年2月出售案經(jīng)美國外資投資委員會(huì )(CFIUS)評估后，以可能涉及軍事管制技術(shù)原因決議禁止該并購案，迫使Cree需重新思考因應策略及經(jīng)營(yíng)方針。

此后Cree于2018年2月及3月時(shí)，提出與Infineon的SiC晶圓長(cháng)期供貨協(xié)議，并向Infineon收購其射頻功率半導體事業(yè)部，試圖解決美國外資投資委員會(huì )出售禁令的損失，保持與Infineon之合作關(guān)系。

2019年5月Cree又提出擴廠(chǎng)計劃，說(shuō)明其已將開(kāi)發(fā)重心逐漸轉回功率及射頻元件領(lǐng)域上，持續投入8寸SiC晶圓生成技術(shù)的提升，藉此拉抬SiC元件于車(chē)用、工業(yè)及消費型電子領(lǐng)域之市占空間。

各廠(chǎng)于GaN on SiC磊晶技術(shù)之目標市場(chǎng)皆不同，后續發(fā)展仍需持續觀(guān)察

現行GaN on SiC磊晶技術(shù)主要集中于Cree手中，Cree擁有最大SiC晶圓市占率(超過(guò)5成以上)；根據官網(wǎng)資料，目前使用的SiC基板尺寸最大可達6寸，主要應用于功率半導體的車(chē)用、工業(yè)及消費型電子元件中，少量使用于通訊射頻領(lǐng)域上；未來(lái)擴廠(chǎng)計劃完工后，預期可見(jiàn)8寸SiC基板應用于相關(guān)功率及射頻元件制造。

另外，Cree在GaN on SiC磊晶技術(shù)領(lǐng)域的競爭對手為NTT AT(日本電信電話(huà)先進(jìn)技術(shù))，其使用的SiC基板最大尺寸為4寸，借由后續磊晶成長(cháng)如AlGaN(或InAlGaN)緩沖層后，形成HEMT(高電子移動(dòng)率晶體晶體管)結構，目標開(kāi)發(fā)高頻通訊功率元件。

因此現階段GaN on SiC磊晶技術(shù)之應用情形，各家廠(chǎng)商瞄準的目標市場(chǎng)皆不同，該技術(shù)仍處于發(fā)展階段，有待后續持續關(guān)注。