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2018年全球十大突破性技術(shù)是如何產(chǎn)生的?

  •   《麻省理工科技評論》于近日揭曉2018 年“全球十大突破性技術(shù)”,這份全球新興科技領(lǐng)域的權威榜單至今已經(jīng)有 17 年的歷史。   1、給所有人的人工智能 AI for everyone   入選理由:將機器學(xué)習工具搬上云端,將有助于人工智能更廣泛的傳播   重大意義:目前,人工智能的應用是受到少數幾家公司統治的。但其一旦與云技術(shù)相結合,那它將可以對許多人變得觸手可及,從而實(shí)現經(jīng)濟的爆發(fā)式增長(cháng)。   主要研究者:Google,亞馬遜,阿里云,騰訊云,百度云,金山云,京東云
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氮化鎵襯底晶片實(shí)現“中國造”

  •   一枚看似不起眼、“又輕又薄”的晶片,卻能做出高功率密度、高效率、寬頻譜、長(cháng)壽命的器件,是理論上電光、光電轉換效率最高的材料體系。這個(gè)“小身體大能量”的晶片叫作氮化鎵(GaN)襯底晶片,是蘇州納維科技有限公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)蘇州納維)的主打產(chǎn)品。   “不會(huì )游泳的時(shí)候就跳下了水”   蘇州納維依托中科院蘇州納米所而建。作為中國首家氮化鎵襯底晶片供應商, 團隊從氮化鎵單晶材料氣相生長(cháng)的設備開(kāi)始研發(fā),逐步研發(fā)成功1英寸、2英寸、4英寸、6
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宜普電源轉換公司(EPC)于CES? 2018展覽展示基于GaN技術(shù)的大面積無(wú)線(xiàn)電源及高分辨率激光雷達應用

  •   EPC公司將于2018年1月9日至12日在美國拉斯維加斯舉行的國際消費電子展(CES? 2018)展示eGaN?技術(shù)如何實(shí)現兩種改變業(yè)界游戲規則的消費電子應用 -- 分別是無(wú)線(xiàn)充電及自動(dòng)駕駛汽車(chē)的激光雷達應用?! PC將在A(yíng)irFuel聯(lián)盟于CES 2018展覽攤位攜手合作展示基于氮化鎵器件并嵌入桌面的無(wú)線(xiàn)充電系統,可以在桌面上任何位置對多種設備同時(shí)充電,可傳送高達300 W功率??蓚魉瓦@么大功率使得我們可以同時(shí)對電腦、電腦顯示器、桌燈、掌上型電腦及
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制造能耗變革從新一代半導體開(kāi)始

  •   接近62%的能源被白白浪費   美國制造創(chuàng )新網(wǎng)絡(luò )(目前稱(chēng)為MgfUSA)已經(jīng)闡明了美國制造業(yè)規劃的聚焦點(diǎn)在材料與能源。清潔能源智能制造CESMII中的清潔能源與能源互聯(lián)網(wǎng)自不必說(shuō),而在復合材料IACMI和輕量化研究院LIFT中都關(guān)注到了汽車(chē)減重設計,本身也是為了降低能源消耗的問(wèn)題。在美國第二個(gè)創(chuàng )新研究院“美國電力創(chuàng )新研究院” Power Amercia(PA)其關(guān)注點(diǎn)同樣在于能源的問(wèn)題。這是一個(gè)關(guān)于巨大的能源市場(chǎng)的創(chuàng )新中心。      圖1:整體的能源轉換效率約在38
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GaN器件開(kāi)路 5G將重塑RF產(chǎn)業(yè)

  •   未來(lái)五年,通信產(chǎn)業(yè)向5G時(shí)代的革命性轉變正在深刻重塑RF(射頻)技術(shù)產(chǎn)業(yè)現狀。這不僅是針對智能手機市場(chǎng),還包括3W應用RF通信基礎設施應用,并且,5G將為RF功率市場(chǎng)的化合物半導體技術(shù)帶來(lái)重大市場(chǎng)機遇。   未來(lái)幾年,據Yole最新發(fā)布的《RF功率市場(chǎng)和技術(shù)趨勢-2017版》報告預計,隨著(zhù)電信基站升級和小型基站部署的需求增長(cháng),RF功率市場(chǎng)將獲得強勁增長(cháng)。2016~2022年期間,整體RF功率市場(chǎng)營(yíng)收或將增長(cháng)75%,帶來(lái)9.8%的復合年增長(cháng)率。這意味著(zhù)市場(chǎng)營(yíng)收規模將從2016年的15億美元增長(cháng)至202
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5G推動(dòng)RF PA技術(shù)改朝換代 GaN逐漸取代LDMOS

  • 展望未來(lái),采用GaN制程的RF PA將成為輸出功率3W以上的RF PA所采用的主流制程技術(shù),LDMOS制程的市場(chǎng)份額則會(huì )明顯萎縮。
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2021年全球MOCVD市場(chǎng)將突破11億美元

  •   什么是MOCVD?   MOCVD是在氣相外延生長(cháng)(VPE)的基礎上發(fā)展起來(lái)的一種新型氣相外延生長(cháng)技術(shù)。主要以Ⅲ族、Ⅱ族元素的有機化合物和V、Ⅵ族元素的氫化物等作為晶體生長(cháng)源材料,以熱分解反應方式在襯底上進(jìn)行氣相外延,生長(cháng)各種Ⅲ-V族、Ⅱ-Ⅵ族化合物半導體以及它們的多元固溶體的薄層單晶材料。   MOCVD設備主要用于半導體材料襯底的外延生長(cháng),是LED以及半導體器件的關(guān)鍵設備。   根據Technavio統計,全球MOCVD市場(chǎng)的復合年平均增長(cháng)率將在2021年之前增長(cháng)到14%,市場(chǎng)規模將從201
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趁著(zhù)第三代半導體的東風(fēng),紫外LED要做弄潮兒

  • 本文主要介紹了第三代半導體固態(tài)紫外光源材料及器件關(guān)鍵技術(shù)的研究目的、意義和社會(huì )影響力。
  • 關(guān)鍵字: 照明  紫外LED  GaN  第三代半導體  

GaN組件和AMO技術(shù)實(shí)現更高效率與寬帶

  • 隨著(zhù)無(wú)線(xiàn)通信的帶寬、用戶(hù)數目以及地理覆蓋范圍擴展,基地臺收發(fā)器的功率放大器(PA) 部份對于更高效率的需求也不斷成長(cháng)。無(wú)線(xiàn)功率放大器所消耗的功率超過(guò)了基地臺運作所需功率的一半。透過(guò)提高效率來(lái)減少功耗具有多項優(yōu)勢,首先,最明顯的好 處是降低運營(yíng)成本;同時(shí),更少的熱意味著(zhù)更低的設備冷卻需求以及更高的可靠性。
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第三代半導體材料盛行,GaN與SiC如何撬動(dòng)新型功率器件

  • GaN 功率管的發(fā)展微波功率器件近年來(lái)已經(jīng)從硅雙極型晶體管、場(chǎng)效應管以及在移動(dòng)通信領(lǐng)域被廣泛應用的LDMOS 管向以碳化硅 ( SiC )、氮鎵 ( GaN ) 為代表的寬禁帶功率管過(guò)渡。SiC、GaN 材料,由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場(chǎng)等突出優(yōu)點(diǎn),與剛石等半導體材料一起,被譽(yù)為是繼第一代 Ge、Si 半導體材料、第二代
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MACOM:硅基GaN產(chǎn)品更適應5G未來(lái)的發(fā)展趨勢

  •   MACOM是半導體行業(yè)的支柱型企業(yè),在60多年的蓬勃發(fā)展歷程中,公司敢于采用大膽的技術(shù)手段,為客戶(hù)提供真正的競爭優(yōu)勢并為投資者帶來(lái)卓越的價(jià)值,致力于構筑更加美好的世界。   在基礎設施的建設領(lǐng)域中,MACOM的技術(shù)提高了移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)的速度和覆蓋率,讓光纖網(wǎng)絡(luò )得以向企業(yè)、家庭和數據中心傳輸以前無(wú)法想象的巨大通信量,讓數百萬(wàn)人在生活中每時(shí)每刻方便地交流溝通。   日前在上海舉辦的EDICON展會(huì )上,MACOM展出了一系列應用在基礎設施領(lǐng)域中的射頻功率晶體管產(chǎn)品,根據客戶(hù)的需求及痛點(diǎn)提供一站式解決方案。
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汽車(chē)功率元器件市場(chǎng)前景廣闊

  •   汽車(chē)功率電子產(chǎn)品正成為半導體行業(yè)的關(guān)鍵驅動(dòng)因素之一。這些電子產(chǎn)品包括功率元器件,是支撐新型電動(dòng)汽車(chē)續航里程達到至少200英里的核心部件。   雖然智能手機的出貨量遠高于汽車(chē)(2015年為14億部[1],汽車(chē)銷(xiāo)量為8,800萬(wàn)輛[2]),但汽車(chē)的半導體零件含量卻高得多。汽車(chē)功率IC穩健增長(cháng),2015-2020年該行業(yè)的年復合增長(cháng)率預計將達8%[3]。尤其是電池驅動(dòng)的電動(dòng)汽車(chē)在該行業(yè)成為強勁增長(cháng)推動(dòng)力,2015年5月Teardown.com針對寶馬i3電動(dòng)車(chē)的報告顯示,該車(chē)型物料清單中包含100多個(gè)電源
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前瞻性技術(shù):加速GaN技術(shù)應用

  •   相較于過(guò)去所使用的硅晶體管,氮化鎵(GaN)能夠讓新的電源應用在同等電壓條件下,以更高的切換頻率運作。 這代表在相同條件下,GaN能夠較以硅為基礎的解決方案實(shí)現更高的效率。   電源供應設計   德州儀器(TI)的LMG5200全整合式原型,讓工程師能夠輕松地將GaN技術(shù)設計至電源解決方案中,進(jìn)而超越傳統上功率密度限制。 基于數十年的電源測試專(zhuān)業(yè)經(jīng)驗,TI針對GaN進(jìn)行了數百萬(wàn)小時(shí)的加速測試,并建立了能夠實(shí)現基于GaN電源設計的生態(tài)系統。   GaN將在功率密集的應用中大展身手,它能夠在保持或提
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汽車(chē)功率元器件市場(chǎng)前景廣闊

  •   雖然智能手機的出貨量遠高于汽車(chē)(2015年為14億部[1],汽車(chē)銷(xiāo)量為8,800萬(wàn)輛[2]),但汽車(chē)的半導體零件含量卻高得多。汽車(chē)功率IC穩健增長(cháng),2015 - 2020年該行業(yè)的年復合增長(cháng)率預計將達8%[3]。尤其是電池驅動(dòng)的電動(dòng)汽車(chē)在該行業(yè)成為強勁增長(cháng)推動(dòng)力,2015年5月Teardown.com針對寶馬i3電動(dòng)車(chē)的報告顯示,該車(chē)型物料清單中包含100多個(gè)電源相關(guān)芯片?! ∨c遵循摩爾定律不斷縮小尺寸的先進(jìn)邏輯晶體管不同,功率元器件FET通常運用更老的技術(shù)節點(diǎn),使用200毫米(和
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電源設計控必須了解的2017三大趨勢

  •   2017電源市場(chǎng)需求和技術(shù)趨勢風(fēng)向如何?來(lái)e星球,與超六萬(wàn)的專(zhuān)業(yè)人士一起把握潮流!  需求往往是推動(dòng)創(chuàng )新的源泉,無(wú)論是時(shí)尚、金融亦或是我們熟悉的電源領(lǐng)域都存在這樣的現象。抓住了用戶(hù)需求,潛在的創(chuàng )新動(dòng)力才會(huì )被激發(fā),也只有適應需求的創(chuàng )新才是最具生命周期的。2017年電源需求在哪?創(chuàng )新著(zhù)力點(diǎn)在哪?帶著(zhù)疑問(wèn)與期盼請來(lái)亞洲第一大電子展——2017年慕尼黑上海電子展一探究竟吧!3月14日-16日將有超過(guò)6萬(wàn)多名的專(zhuān)業(yè)觀(guān)眾以及眾多的國內外領(lǐng)先電源廠(chǎng)商集聚上海新國際博覽中心,深度探討2017年中國電源市場(chǎng)需求與走勢,
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gan.功率元件介紹

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