EEPW首頁(yè) >>
主題列表 >>
gan.功率元件
gan.功率元件 文章 進(jìn)入gan.功率元件技術(shù)社區
盤(pán)點(diǎn)2018年全球電子產(chǎn)業(yè)最具代表性的十大“黑科技”
- 今年整個(gè)產(chǎn)業(yè)在技術(shù)上也是節節攀升，2018年可以說(shuō)是產(chǎn)業(yè)高速發(fā)展的一年，全球電子產(chǎn)業(yè)也產(chǎn)生了眾多技術(shù)突破。
- 關(guān)鍵字： 芯片，GaN
第三代半導體又有新成員？氧化鎵有什么優(yōu)點(diǎn)？
- 目前，以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的第三代化合物半導體受到的關(guān)注度越來(lái)越高，它們在未來(lái)的大功率、高溫、高壓應用場(chǎng)合將發(fā)揮傳統的硅器件無(wú)法實(shí)現的作用。特別是在未來(lái)三大新興應用領(lǐng)域(汽車(chē)、5G和物聯(lián)網(wǎng))之一的汽車(chē)方面，會(huì )有非常廣闊的發(fā)展前景?！ ∪欢?，SiC和GaN并不是終點(diǎn)，最近，氧化鎵(Ga2O3)再一次走入了人們的視野，憑借其比SiC和GaN更寬的禁帶，該種化合物半導體在更高功率的應用方面具有獨特優(yōu)勢。因此，近幾年關(guān)于氧化鎵的研究又熱了起來(lái)?！ ?shí)際上，氧化鎵并不是很新的技術(shù)，多年前就
- 關(guān)鍵字： 半導體 SiC GaN
QORVO?憑借行業(yè)首款28 GHZ GAN前端模塊增強其5G領(lǐng)先優(yōu)勢
- 移動(dòng)應用、基礎設施與航空航天應用RF 解決方案的領(lǐng)先供應商 Qorvo?(納斯達克代碼：QRVO)憑借行業(yè)首款 28 Ghz 氮化鎵 (GaN) 前端模塊 (FEM) --- QPF4001 FEM，擴大了其 5G 業(yè)務(wù)范圍。在基站設備制造商涉足 5G 之后，這款新 FEM 可以幫助他們降低總體系統成本?！ ?SNS Telecom & IT 介紹，28 GHz 頻段是早期基于 5G 的固定無(wú)線(xiàn)接入 (FWA) 部署的首選頻段，使運營(yíng)商能夠滿(mǎn)足 5G 對速度、延遲、可靠性和容量的
- 關(guān)鍵字： QORVO GAN
德州儀器用2000萬(wàn)小時(shí)給出使用氮化鎵（GaN）的理由
- 在多倫多一個(gè)飄雪的寒冷日子里?！ ∥覀儙讉€(gè)人齊聚在本地一所大學(xué)位于地下的高級電力電子研究實(shí)驗室中，進(jìn)行一場(chǎng)頭腦風(fēng)暴。有點(diǎn)諷刺意味的是，話(huà)題始終圍繞著(zhù)熱量，當然不是要生熱取暖，而是如何減少功率轉換器產(chǎn)生的熱量。我們已經(jīng)將MOSFET和IGBT分別做到了極致，但是我們中沒(méi)有人對此感到滿(mǎn)意。在這個(gè)探討過(guò)程中，我們盤(pán)點(diǎn)了一系列在高壓環(huán)境中失敗的設備?！ ≡谀莻€(gè)雪花漫天飛舞的日子里，我們聚焦于選擇新方法和拓撲，以尋求獲得更高的效率和密度，當然也要找到改進(jìn)健全性的途徑。一位高級研究員幫助總
- 關(guān)鍵字： 德州儀器 GaN
尺寸減半、功率翻番！——氮化鎵（GaN）技術(shù)給機器人、可再生能源和電信等領(lǐng)域帶來(lái)革新
- 從“磚頭”手機到笨重的電視機，電源模塊曾經(jīng)在電子電器產(chǎn)品中占據相當大的空間，而且市場(chǎng)對更高功率密度的需求仍是有增無(wú)減?！ 」桦娫醇夹g(shù)領(lǐng)域的創(chuàng )新曾一度大幅縮減這些應用的尺寸，但卻很難更進(jìn)一步。在現有尺寸規格下，硅材料無(wú)法在所需的頻率下輸出更高的功率。而對于即將推出的5G無(wú)線(xiàn)網(wǎng)絡(luò )，以及未來(lái)的機器人、可再生能源直至數據中心技術(shù)，功率都是一個(gè)至關(guān)重要的因素?！ 肮こ處煬F在處于一個(gè)非常尷尬的境地，一方面他們無(wú)法在現有空間內繼續提高功率，但同時(shí)又不希望增大設備所需的空間，”德州儀器產(chǎn)品經(jīng)理Masoud Behe
- 關(guān)鍵字： GaN，機器人
當今的射頻半導體格局正在發(fā)生變化 - 為什么？
- 當今的半導體行業(yè)正在經(jīng)歷翻天覆地的變化，這主要是由于終端市場(chǎng)需求變化和重大整合引起。幾十年前，業(yè)內有許多家射頻公司，它們多半活躍于相同的市場(chǎng)，如今這種局面已被全新的市場(chǎng)格局所取代 - 有多個(gè)新興市場(chǎng)出現，多家硅谷公司與傳統芯片制造商進(jìn)行重大兼并和收購。究竟有哪些因素推動(dòng)著(zhù)市場(chǎng)格局不斷變化? 哪些因素在推動(dòng)變革? 半導體行業(yè)格局的變化從根本上由兩個(gè)要求驅動(dòng)：對無(wú)所不在的傳感和連接的需求。無(wú)論人們身處世界的哪個(gè)位置，無(wú)論在家中還是在工作場(chǎng)所，都希望能夠安全、有效地與他人溝通交流。市場(chǎng)不再僅僅滿(mǎn)足蜂窩手
- 關(guān)鍵字： 射頻半導體 GaN
德州儀器新型即用型600V氮化鎵(GaN)場(chǎng)效應晶體管(FET)功率級產(chǎn)品組合可支持高達10kW的應用
- 德州儀器(TI)近日宣布推出支持高達10kW應用的新型即用型600 V氮化鎵(GaN)，50mΩ和70mΩ功率級產(chǎn)品組合。與AC/DC電源、機器人、可再生能源、電網(wǎng)基礎設施、電信和個(gè)人電子應用中的硅場(chǎng)效應晶體管(FET)相比，LMG341x系列使設計人員能夠創(chuàng )建更小、更高效和更高性能的設計?！ 〉轮輧x器的GaN FET器件系列產(chǎn)品通過(guò)集成獨特的功能和保護特性，來(lái)實(shí)現簡(jiǎn)化設計，達到更高的系統可靠性和優(yōu)化高壓電源的性能，為傳統級聯(lián)和獨立的GaN FET提供了智能替代解決方案。通過(guò)集成的<100ns電
- 關(guān)鍵字： 德州儀器 GaN
SiC和GaN系統設計工程師不再迷茫
- SiC和GaN MOSFET技術(shù)的出現，正推動(dòng)著(zhù)功率電子行業(yè)發(fā)生顛覆式變革。這些新材料把整個(gè)電源轉換系統的效率提高了多個(gè)百分點(diǎn)，而這在幾年前是不可想象的?！ ≡诂F實(shí)世界中，沒(méi)有理想的開(kāi)關(guān)特性。但基于新材料、擁有超低開(kāi)關(guān)損耗的多種寬禁帶器件正在出現，既能實(shí)現低開(kāi)關(guān)損耗，又能處理超高速率dv/dt轉換，并支持超快速開(kāi)關(guān)頻率，使得這些新技術(shù)既成就了DC/DC轉換器設計工程師的美夢(mèng)，但同時(shí)也變成了他們的惡夢(mèng)?！ ”热缫幻O計工程師正在開(kāi)發(fā)功率轉換應用，如逆變器或馬達驅動(dòng)控制器，或者正在設
- 關(guān)鍵字： SiC GaN
納微將在國際電力電子大會(huì )上發(fā)布GaNFast成果
- 納微(Navitas)半導體公司宣布成為2018年11月4日至7日在中國深圳舉辦的第二屆國際電力電子技術(shù)及應用會(huì )議(IEEEPEAC'2018)的鉆石贊助商。在此次大會(huì )上，納微將發(fā)布并展示GaNFast功率IC的重大發(fā)展成果，這些進(jìn)展推動(dòng)業(yè)界實(shí)現的新一代電源系統，將會(huì )打造能效、功率密度和快速充電的全新基準。 這些技術(shù)發(fā)展成果從27W到300W，包括用于智能手機、筆記本電腦、一體式電腦、電視/顯示器以及GPU的充電器和適配器應用。納微將展示客戶(hù)
- 關(guān)鍵字： GaN 電源 IC
意法半導體和Leti合作開(kāi)發(fā)硅基氮化鎵功率轉換技術(shù)
- 橫跨多重電子應用領(lǐng)域的全球領(lǐng)先的半導體供應商意法半導體(STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱(chēng)ST;紐約證券交易所代碼：STM)和CEA Tech下屬的研究所Leti今天宣布合作研制硅基氮化鎵(GaN)功率開(kāi)關(guān)器件制造技術(shù)。該硅基氮化鎵功率技術(shù)將讓意法半導體能夠滿(mǎn)足高能效、高功率的應用需求，包括混動(dòng)和電動(dòng)汽車(chē)車(chē)載充電器、無(wú)線(xiàn)充電和服務(wù)器?！ ”竞献黜椖康闹攸c(diǎn)是開(kāi)發(fā)和檢測在200mm晶片上制造的先進(jìn)的硅基氮化鎵功率二極管和晶體管架構。研究公司IHS認為，該市場(chǎng)將在2019年至2024[1]年有超過(guò)2
- 關(guān)鍵字： 意法半導體 GaN
兩個(gè)指標讓GAN訓練更有效
- 生成對抗網(wǎng)絡(luò )(GAN)是當今最流行的圖像生成方法之一，但評估和比較 GAN 產(chǎn)生的圖像卻極具挑戰性。之前許多針對 GAN 合成圖像的研究都只用了主觀(guān)視覺(jué)評估，一些定量標準直到最近才開(kāi)始出現。本文認為現有指標不足以評估 GAN 模型，因此引入了兩個(gè)基于圖像分類(lèi)的指標——GAN-train 和 GAN-test，分別對應 GAN 的召回率(多樣性)和精確率(圖像質(zhì)量)。研究者還基于這兩個(gè)指標評估了最近的 GAN 方法并證明了這些方法性能的顯著(zhù)差異。上述評估指標表明，數據集復雜程度(從 CIFAR10 到
- 關(guān)鍵字： GAN
gan.功率元件介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條gan.功率元件!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對gan.功率元件的理解，并與今后在此搜索gan.功率元件的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對gan.功率元件的理解，并與今后在此搜索gan.功率元件的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
gan.功率元件電路
gan.功率元件相關(guān)帖子
gan.功率元件資料下載
gan.功率元件專(zhuān)欄文章
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì )員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473