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gan.功率元件 文章 進(jìn)入gan.功率元件技術(shù)社區
下一波功率轉換浪潮—專(zhuān)為實(shí)現太陽(yáng)能光伏逆變器的安全、速度和成本效益而設計
- 引言 太陽(yáng)能不再是一項新興技術(shù)，而是正在經(jīng)歷重大技術(shù)變革的技術(shù)，日趨成熟。我們朝著(zhù)電網(wǎng)平價(jià)(太陽(yáng)能成本與傳統能源發(fā)電類(lèi)型的成本相當)，并且改進(jìn)傳統能源發(fā)電類(lèi)型構成的目標前進(jìn)，因為將面板中的直流電轉換為可用交流電的過(guò)程變得更加高效且經(jīng)濟實(shí)惠?！ 〉?，雖然太陽(yáng)能面板在近幾年價(jià)格顯著(zhù)降低，但下一波太陽(yáng)能發(fā)展浪潮將由功率轉換器系統的新技術(shù)推動(dòng)。先進(jìn)復雜的多級功率開(kāi)關(guān)拓撲的興起將基于碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)材料，加上更高的工作電壓(最高1600 VDC)，實(shí)現更加快速的功率開(kāi)關(guān)，與傳統系
- 關(guān)鍵字： 光伏逆變器 GaN
日研究團隊制作了高質(zhì)量2英寸GaN芯片和MOSFET
- 日本三菱化學(xué)及富士電機、豐田中央研究所、京都大學(xué)、產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所的聯(lián)合團隊成功解決了在氮化鎵(GaN)芯片上形成GaN元件功率半導體關(guān)鍵技術(shù)。GaN功率半導體是碳化硅功率半導體的下一代技術(shù)。日本通過(guò)發(fā)光二極管的開(kāi)發(fā)積累了GaN元件技術(shù)，GaN芯片生產(chǎn)量占據世界最高份額。若做到現有技術(shù)的實(shí)用化，將處于世界優(yōu)勢地位。 功率半導體有利于家電、汽車(chē)、電車(chē)等的節能，產(chǎn)業(yè)需求很大。GaN功率半導體中，硅基板上形成橫型GaN系的高電子遷移率晶體管等設備已經(jīng)量產(chǎn)，但是，GaN基板上形成GaN的金屬-氧化物半
- 關(guān)鍵字： GaN MOSFET
2017誰(shuí)將成為功率器件市場(chǎng)亮點(diǎn)？
- 通信、汽車(chē)驅動(dòng)市場(chǎng)增長(cháng)，國有品牌競爭力提升 市場(chǎng)規模繼續擴大，增速較2015年有所回升 2016年，中國電子信息制造業(yè)生產(chǎn)總體平穩，增速有所加快，受此影響，中國功率器件市場(chǎng)規模持續擴大，市場(chǎng)規模預計達到1496.1億元，同比增長(cháng)7.2%，增速較2015年有所回升。 通信、汽車(chē)成為2016年市場(chǎng)增長(cháng)亮點(diǎn) 從下游應用產(chǎn)品的需求來(lái)看，通信和汽車(chē)領(lǐng)域是推動(dòng)功率器件市場(chǎng)增長(cháng)的主要驅動(dòng)力。 從通信主要產(chǎn)品產(chǎn)量來(lái)看，1-10月，我國生產(chǎn)手機17億部，同比增長(cháng)19.9%，其中智能手機12
- 關(guān)鍵字： 功率器件 GaN
“十三五”期間，功率半導體產(chǎn)業(yè)應有怎樣的路線(xiàn)圖？
- 如果說(shuō)中央處理器(CPU)是一臺計算機的心臟，功率半導體就是電機的心臟，它可以實(shí)現對電能的高效產(chǎn)生、傳輸、轉換、存儲和控制。我國發(fā)布《中國制造2025》，勾勒出未來(lái)十年產(chǎn)業(yè)轉型升級的整體方向與發(fā)展規劃，在此過(guò)程中，功率半導體發(fā)揮的作用不可替代。 然而，與集成電路產(chǎn)業(yè)相似，我國功率半導體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展水平與國際先進(jìn)水平也存在著(zhù)巨大差距。人們常拿我國每年集成電路進(jìn)口額與石油進(jìn)行比較，其實(shí)如果按比例計算，我國功率半導體的進(jìn)口替代能力可能更弱。隨著(zhù)“節能減排”、“開(kāi)發(fā)綠色
- 關(guān)鍵字： 功率半導體 GaN
手機及可穿戴產(chǎn)品需要快速充電及小體積適配器
- 充電和電池管理對智能手機來(lái)說(shuō)，仍是關(guān)鍵的功能，未來(lái)多年將持續有創(chuàng )新。有線(xiàn)和無(wú)線(xiàn)充電的改進(jìn)可能大大擴展便攜式產(chǎn)品的使用，我們不斷提升此功能的極限。充電系統要求供電產(chǎn)品(如壁式適配器)或無(wú)線(xiàn)充電發(fā)射器和接收器(如智能手機和平板電腦)的設計都具高能效。安森美半導體專(zhuān)注于這兩大應用，提供完整、優(yōu)化和高能效的充電方案，以滿(mǎn)足所有這些產(chǎn)品的功率要求?！ ∈袌?chǎng)對于更快充電時(shí)間、更大電池容量和更小適配器的要求，把智能手機和平板電腦的供電能力推到傳統半導體器件不可行的地步。新一代系統將需要氮化鎵(GaN)方案取代傳統M
- 關(guān)鍵字： 安森美 GaN
【功率器件心得分享】MACOM GaN在無(wú)線(xiàn)基站中的應用
- MACOM GaN在無(wú)線(xiàn)基站中的應用 用于無(wú)線(xiàn)基礎設施的半導體技術(shù)正在經(jīng)歷一場(chǎng)重大的變革，特別是功率放大器(PA)市場(chǎng)。橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)晶體管在功率放大器領(lǐng)域幾十年來(lái)的主導地位正在被氮化鎵(GaN)撼動(dòng)，這將對無(wú)線(xiàn)基站的系統性能和運營(yíng)成本產(chǎn)生深遠的影響。氮化鎵顯而易見(jiàn)的技術(shù)優(yōu)勢(包括能源效率提高、帶寬更寬、功率密度更大、體積更小)使之成為L(cháng)DMOS的天然繼承者服務(wù)于下一代基站，尤其是1.8GHz以上的蜂窩頻段。盡管以前氮化鎵與LDMOS相比價(jià)格過(guò)高，但是MACOM公司
- 關(guān)鍵字： GaN MACOM
無(wú)畏氮化鎵角逐中功率市場(chǎng) 碳化硅功率元件/模組商機涌現
- 有鑒于全球環(huán)保意識抬頭，碳化矽(SiC)與氮化鎵(GaN)兩種功率轉換材料備受矚目。其中，碳化矽掌握早期開(kāi)發(fā)優(yōu)勢，其功率模組在再生能源與車(chē)用電子領(lǐng)域，商機已紛紛涌現。而主要鎖定低功率市場(chǎng)的氮化鎵，則將緩步進(jìn)軍中功率市場(chǎng)。 可以彌補天然能源不足缺口的再生能源設備，為聚焦于中功率、高功率應用的碳化矽創(chuàng )造大量需求。另一方面，近期豐田汽車(chē)(Toyota)在電動(dòng)車(chē)中導入碳化矽(SiC)元件的測試結果也已出爐，其在改善能源效率、縮小電源控制系統(PCU)尺寸上的效果，明顯勝過(guò)矽元件。 臺達電技術(shù)長(cháng)暨總
- 關(guān)鍵字： SiC GaN
松下：力推阻容元件與開(kāi)發(fā)工具，開(kāi)關(guān)器件X-GaN效率更高
- 松下被動(dòng)元件展區，松下位于德國的器件解決方案部門(mén)被動(dòng)元件團隊產(chǎn)品市場(chǎng)經(jīng)理Mustafa Khan介紹了electronica期間剛剛問(wèn)世的導電性聚合物混合鋁電解電容器--ZK系列。相比之前的ZA和ZC系列性能更優(yōu)，例如比ZC系列更高的容量和高紋波電流?！ K和ZC產(chǎn)品在125C下可工作4000小時(shí)。三種類(lèi)型產(chǎn)品都有更低的ESR(等效串聯(lián)電阻)和LC，可用于LED、汽車(chē)、電力電子、電信等場(chǎng)合?！ ∷上录瘓F汽車(chē)&工業(yè)系統公司介紹了其網(wǎng)上工具--LC Simulator，可加速
- 關(guān)鍵字： 松下 X-GaN
最新Qorvo技術(shù)支持更高性能的GaN分立式LNA和驅動(dòng)器
- 實(shí)現互聯(lián)世界的創(chuàng )新RF解決方案提供商Qorvo, Inc.今天發(fā)布了一系列六款全新的氮化鎵(GaN)芯片晶體管---TGF2933-36和TGF2941-42，新產(chǎn)品的高頻性能更出色，噪聲更低，這對先進(jìn)的通信、雷達和國防RF系統應用而言甚為關(guān)鍵。 該系列的這六款全新GaN晶體管及其相關(guān)模型的制造工藝采用了業(yè)內獨有的Qorvo 0.15um碳化硅基氮化鎵(SiC)工藝——QGaN15。QGaN15工藝令晶體管工作頻率高達25 GHz，支持芯片級設計，通過(guò)K頻段應用提供頻率更
- 關(guān)鍵字： Qorvo GaN
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