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e絡(luò )盟宣布引入飛思卡爾半導體公司的塔式系統
- 首個(gè)融合電子商務(wù)與在線(xiàn)社區的電子元件分銷(xiāo)商e絡(luò )盟及其母公司element14今天宣布引入飛思卡爾半導體公司(Freescale semiconductor)的塔式系統(Tower System)。這是一種適用于8、16和32位微控制器和微處理器的模塊化開(kāi)發(fā)平臺，可通過(guò)快速的原型制作實(shí)現高級研發(fā)。
- 關(guān)鍵字： element14 微處理器 Tower System
一種GaN寬禁帶功率放大器的設計
- 氮化鎵(GaN)作為第三代半導體材料的典型代表之一，由于其寬帶隙、高擊穿電場(chǎng)強度等特點(diǎn)，被認為是高頻功率半導體器件的理想材料。為研究GaN功率放大器的特點(diǎn)，基于A(yíng)gilent ADS仿真軟件，利用負載／源牽引方法設計制作了一種S波段GaN寬禁帶功率放大器(10W)。詳細說(shuō)明了設計步驟并對放大器進(jìn)行了測試，數據表明放大器在2．3～2．4 GHz范圍內可實(shí)現功率超過(guò)15W，附加效率超過(guò)67％的輸出。實(shí)驗結果證實(shí)，GaN功率放大器具有高增益、高效率的特點(diǎn)。
- 關(guān)鍵字： 設計 功率放大器 GaN 一種
GaN功率半導體市場(chǎng)將迅速增長(cháng)，2013年市場(chǎng)規模達1.8億
- 美國iSuppli公布了關(guān)于GaN(氮化鎵)功率半導體市場(chǎng)將迅速增長(cháng)的調查報告)。報告顯示，2010年的市場(chǎng)規模近乎為零，但3年后到2013年將猛增至1.836億美元。各廠(chǎng)商將以替代現有功率MOSFET的方式，不斷擴大市場(chǎng)規模。iSuppli預測，該產(chǎn)品在高性能服務(wù)器、筆記本電腦、手機及有線(xiàn)通信設備等方面的應用將取得進(jìn)展。 目前，GaN功率半導體正處于在研究室評測階段，或者剛開(kāi)始商用化的階段。不過(guò)，GaN功率半導體與采用Si(硅)的功率MOSFET相比，具有導通電阻較低等優(yōu)點(diǎn)，可提高電源電路的轉
- 關(guān)鍵字： GaN MOSFET
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