英飛凌和松下聯(lián)合開(kāi)發(fā)GaN技術(shù)
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編者按： 英飛凌和松下聯(lián)合開(kāi)發(fā)GaN器件，將松下的增強型GaN材料技術(shù)與英飛凌的SMD封裝技術(shù)相結合。
英飛凌和松下日前簽署一項合作，聯(lián)合開(kāi)發(fā)GaN器件，該產(chǎn)品是基于松下的增強型GaN材料技術(shù)與英飛凌的SMD封裝技術(shù)相結合。
本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/270825.htm日前，公司將率先推出600V 70mΩ的樣片，采用DSO封裝。
作為下一代重要的半導體技術(shù)，GaN越來(lái)越受到重視，主要特點(diǎn)是具備高功率密度小尺寸的特點(diǎn)，另一點(diǎn)則是提高能源效率的一大關(guān)鍵。
一般來(lái)說(shuō)，基于硅上GaN技術(shù)的電力設備可用于廣泛的領(lǐng)域，從高電壓的工業(yè)應用，如服務(wù)器電源到DC-DC轉換的低電壓應用等。
IHS預測，GaN功率器件相關(guān)市場(chǎng)年復合增長(cháng)率將超過(guò)50%，從如今的1500萬(wàn)美元至2023年的8億美元。
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