TI發(fā)布業(yè)內首款80V半橋GaN FET模塊

　　近日，德州儀器推出了業(yè)內首款80V、10A集成氮化鎵 (GaN) 場(chǎng)效應晶體管 (FET) 功率級原型機。此次原型機由位于四方扁平無(wú)引線(xiàn) (QFN) 封裝內的一個(gè)高頻驅動(dòng)器和兩個(gè)采用半橋配置的GaN FET組成，使之非常易于設計。如需了解更多信息，敬請訪(fǎng)問(wèn)www.ti.com.cn/lmg5200-pr-cn。

　　全新的LMG5200 GaN FET功率級原型機將有助于加快下一代GaN電源轉換解決方案的市場(chǎng)化，此方案為空間有限且高頻的工業(yè)應用和電信應用提供更高的功率密度和效率。

　　TI高壓電源解決方案業(yè)務(wù)部副總裁Steve Lambouses表示：“過(guò)去基于GaN的電源設計面對的一大挑戰是與驅動(dòng)GaN FET有關(guān)的不確定性，以及由封裝方式和設計布局布線(xiàn)所導致的寄生效應。我們將采用先進(jìn)、易于設計封裝的經(jīng)優(yōu)化集成模塊、驅動(dòng)器和高頻控制器，組成的完整、可靠電源轉換生態(tài)系統，從而使設計人員可以充分實(shí)現GaN技術(shù)在電源應用方面的全部潛能。”

　　實(shí)現GaN的優(yōu)勢

　　通常情況下，使用GaN FET在高頻下進(jìn)行開(kāi)關(guān)的設計人員必須謹慎對待電路板布局布線(xiàn)，以避免振鈴和電磁干擾 (EMI)。TI的LMG5200雙80V功率級原型機極大地簡(jiǎn)化了這個(gè)問(wèn)題，同時(shí)又通過(guò)減少關(guān)鍵柵極驅動(dòng)回路中的封裝寄生電感增加了功率級效率。LMG5200的特色就在于運用了高級多芯片封裝技術(shù)，在優(yōu)化后還能夠支持頻率高達5MHz的電源轉換拓撲結構。

　　易于使用的6mmx8mm QFN 封裝無(wú)需底部填充，從而大大簡(jiǎn)化了生產(chǎn)制造過(guò)程。封裝尺寸的減少進(jìn)一步提升了GaN技術(shù)的應用價(jià)值，并且有助于擴充GaN電源設計的用途，包括從高頻無(wú)線(xiàn)充電應用到48V電信和工業(yè)設計的許多全新應用。如需了解與TI完整GaN解決方案相關(guān)的更多信息，敬請訪(fǎng)問(wèn)http://www.ti.com.cn/lsds/ti_zh/power-management/gate-driver-products.page。

　　LMG5200的關(guān)鍵特性和優(yōu)勢：

　　· 最高功率密度。相對基于硅工藝的設計，首款集成80V半橋GaN功率級將功率損耗減少了25%，從而實(shí)現了單級轉換。

　　· 增加可靠性的綜合GaN專(zhuān)用質(zhì)量保證計劃。如需了解更多內容，敬請單擊此處。

　　· 關(guān)鍵柵極驅動(dòng)回路中的最低封裝寄生電感增加了功率級效率，并在減少EMI的同時(shí)提高dV/dt抗擾度。

　　· 簡(jiǎn)化的布局布線(xiàn)和可制造性。易于使用的QFN封裝免除了對于底部填充的需要，以解決高壓間隔方面的顧慮，從而提高了電路板的可制造性并降低了成本。

　　工具和軟件

　　除了訂購已上市的LMG5200評估模塊 (EVM)，設計人員使用針對LMG5200的PSpice和TINA-TI模塊來(lái)仿真這項技術(shù)的性能和開(kāi)關(guān)頻率優(yōu)勢，以便更快地開(kāi)始設計工作。

　　供貨情況

　　目前可在TIStore中購買(mǎi)GaN功率級的原型機樣片。

　　其他資源：

　　· 查看TI GaN解決方案的綜合產(chǎn)品組合。

　　· 下載以下白皮書(shū)：

　　 GaN模塊性能優(yōu)勢與硅工藝的對比。

　　 限定GaN產(chǎn)品可靠性的綜合方法。

　　 用GaN的發(fā)展前景推進(jìn)電源解決方案不斷進(jìn)步。

　　· 加入德州儀器在線(xiàn)支持社區，尋找解決方案，獲得幫助，并與同行工程師和TI專(zhuān)家分享知識和解決難題。