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元件開(kāi)發(fā)競爭激烈 亞洲企業(yè)紛紛涉足
- 與現在的Si功率半導體相比，SiC及GaN等新一代功率半導體有望利用逆變器和變流器等大幅提高效率并減小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐漸增加，同時(shí)各企業(yè)也圍繞這些元件展開(kāi)了激烈的開(kāi)發(fā)競爭。 SiC功率半導體方面，在柵極設有溝道的溝道型MOSFET的開(kāi)發(fā)在2013年大幅加速。以前推出的SiCMOSFET只有平面型，尚未推出溝道型。溝道型MOSFET的導通電阻只有平面型的幾分之一，因此可以進(jìn)一步降低損耗。導通電阻降低后，采用比平面型更小的芯片面積即可獲得相同載流量。也就
- 關(guān)鍵字： GaN 功率半導體
硅基GaN LED及光萃取技術(shù)實(shí)現高性?xún)r(jià)比照明
- 傳統的氮化鎵（GaN）LED元件通常以藍寶石或碳化硅（SiC）為襯底，因為這兩種材料與GaN的晶格匹配度較好，襯底常用尺寸為...
- 關(guān)鍵字： GaN LED 光萃取技術(shù)
未來(lái)十年GaN和SiC功率半導體市場(chǎng)將以18%的速度穩增
- 在未來(lái)十年，受電源、光伏(PV)逆變器以及工業(yè)電動(dòng)機的需求驅動(dòng)，新興的碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率半導體市場(chǎng)將以18%的驚人速度穩步增長(cháng)。 據有關(guān)報告稱(chēng)，至2022年SiC和GaN功率半導體的全球銷(xiāo)售額將從2012年的1.43億美元增加到28億美元。據預測，未來(lái)十年這一市場(chǎng)的銷(xiāo)售額將實(shí)現兩位數的年增長(cháng)率。 SiC肖特基二極管已存在十多年，SiC金氧半場(chǎng)效晶體管(MOSFET)、結晶性場(chǎng)效應晶體管(JFET)和雙極型晶體管(BJT)在最近幾年出現。GaN功率半導體則剛剛進(jìn)入市場(chǎng)。G
- 關(guān)鍵字： GaN 半導體 SiC
未來(lái)十年GaN和SiC功率半導體市場(chǎng)將以18%的速度穩增
- 在未來(lái)十年，受電源、光伏(PV)逆變器以及工業(yè)電動(dòng)機的需求驅動(dòng)，新興的碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率半導體市場(chǎng)將以18%的驚人速度穩步增長(cháng)。 據有關(guān)報告稱(chēng)，至2022年SiC和GaN功率半導體的全球銷(xiāo)售額將從2012年的1.43億美元增加到28億美元。據預測，未來(lái)十年這一市場(chǎng)的銷(xiāo)售額將實(shí)現兩位數的年增長(cháng)率。 SiC肖特基二極管已存在十多年，SiC金氧半場(chǎng)效晶體管(MOSFET)、結晶性場(chǎng)效應晶體管(JFET)和雙極型晶體管(BJT)在最近幾年出現。GaN功率半導體則剛剛進(jìn)入市場(chǎng)。G
- 關(guān)鍵字： GaN 半導體 SiC
三菱化學(xué)計劃擴增LED用GaN基板產(chǎn)能
- 因照明用LED需求大增，三菱化學(xué)計劃在2014年初將LED用氮化鎵(GaN)基板產(chǎn)能擴增至現行的2-3倍。 目前，三菱化學(xué)利用水島事業(yè)所和筑波事業(yè)所生產(chǎn)的GaN基板，生產(chǎn)的產(chǎn)品直徑為2寸，月產(chǎn)能分別為1,000片、數百片。 而為了要達到穩定獲利的水平，有必要將產(chǎn)品尺寸擴大至4-6寸，所以，三菱化學(xué)計劃借由調整水島事業(yè)所現有設備的制程，開(kāi)始生產(chǎn)直徑為4寸的GaN基板，月產(chǎn)能為200-300片，并計劃憑借新設生產(chǎn)設備或增設廠(chǎng)房等措施，開(kāi)始生產(chǎn)6寸GaN基板，將GaN基板產(chǎn)能擴增至現行的2-3倍
- 關(guān)鍵字： LED GaN
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