英國專(zhuān)家用半極性GaN生長(cháng)高效益LED

　　英國雪菲爾大學(xué)(SheffieldUniversity)的一支研究團隊最近在《應用物理學(xué)快報》(AppliedPhysicsLetter)期刊上發(fā)布在半極性氮化鎵(GaN)或藍寶石基材上生長(cháng)LED的最新成果。

　　利用在M-Plane藍寶石基板上生長(cháng)的GaN制造的微柱陣列模板，研究人員能在其上過(guò)度生長(cháng)的半極性GaN(11-22)上生長(cháng)出具有更高量子效益的LED。

　　相較于在C-Plane藍寶石基板上生長(cháng)的商用LED，該研究團隊在半極性材料上所生長(cháng)的綠光LED顯示發(fā)光波長(cháng)的藍位移隨著(zhù)驅動(dòng)電流增加而減少。在藍位移所觀(guān)察到的情況也適用在黃綠與黃光LED上，因此，研究人員發(fā)現所生長(cháng)的LED存在一種有效抑制量子而限制星炫的效應。

　　研究人員在晶圓上測得光源輸出隨電流提升而呈線(xiàn)性增加，而其外部量子效率顯示較商用C-PlaneLED的效率衰減(efficiency-droop)情況已明顯改善了。電致發(fā)光偏振測量顯示半極性L(fǎng)ED的偏振比約為25%。

　　研究人員聲稱(chēng)，初步的結果顯示，過(guò)度生長(cháng)技術(shù)是一種更具有潛在成本效益的方法，可在較長(cháng)波長(cháng)區域中實(shí)現高效能的半極性GaN發(fā)射器。