臺積電發(fā)力“硅基氮化鎵”元件受托業(yè)務(wù)

　　臺灣臺積電(TSMC)在“ISPSD 2016”上公開(kāi)了受托生產(chǎn)服務(wù)的藍圖及試制元件的特性等。該公司將采用在直徑150mm(6英寸)的硅基板上形成GaN層的“硅基氮化鎵”(GaN on Si)技術(shù)生產(chǎn)GaN晶體管。

　　臺積電打算開(kāi)展受托生產(chǎn)的GaN晶體管有三種類(lèi)型：(1)常開(kāi)型(Normal On)MISFET、(2)常開(kāi)型HEMT、(3)常關(guān)型(Normal Off)。按耐壓高低來(lái)分有40V、100V和650V產(chǎn)品。

　　其中，耐壓650V的常關(guān)型HEMT已開(kāi)始受托生產(chǎn)。臺積電在演講中介紹了該元件的特性。在運行時(shí)導通電阻會(huì )升高的崩潰(Collapse)特性方面，僅為運行前電阻值的1.3～1.4倍。

　　此外，關(guān)于常關(guān)型HEMT，臺積電將于2016年6月開(kāi)始受托生產(chǎn)耐壓100V的產(chǎn)品。關(guān)于常開(kāi)型HEMT，該公司預定從2016年9月開(kāi)始受托生產(chǎn)耐壓100V的產(chǎn)品。常開(kāi)型MISFET方面，預定從2016年6月開(kāi)始受托生產(chǎn)耐壓650V的產(chǎn)品和耐壓100V的產(chǎn)品。

　　目前臺積電設想使用直徑150mm的硅基板，將來(lái)還打算使用更大尺寸的基板。該公司的演講者表示，“具體情況不便透露，3年后也許可以使用200mm(8英寸)基板”。