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萊迪思Avant-X:捍衛數字前沿
- 現場(chǎng)可編程門(mén)陣列(FPGA)在當今的眾多技術(shù)中發(fā)揮著(zhù)重要作用。從航空航天和國防到消費電子產(chǎn)品,再到關(guān)鍵基礎設施和汽車(chē)行業(yè),FPGA在我們生活中不斷普及。與此同時(shí)對FPGA器件的威脅也在不斷增長(cháng)。想要開(kāi)發(fā)在FPGA上運行(固件)的IP需要花費大量資源,受這些FPGA保護的技術(shù)也是如此。這使得FPGA成為IP盜竊或破壞的潛在目標。防止IP盜竊、客戶(hù)數據泄露和系統整體完整性所需的安全功能已經(jīng)不可或缺。它們是許多FPGA應用的基礎,在某些地區有相應法律要求(例如,歐盟的GDPR、美國的HIPAA、英國的2018年
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羅姆將亮相2024深圳國際電力元件、可再生能源管理展覽會(huì )
- 全球知名半導體制造商羅姆(總部位于日本京都市)將于8月28日~30日參加在深圳國際會(huì )展中心(寶安新館)舉辦的2024深圳國際電力元件、可再生能源管理展覽會(huì )(以下簡(jiǎn)稱(chēng)PCIM Asia)(展位號:11號館D14)。屆時(shí),將聚焦碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等寬禁帶半導體,展示其面向工業(yè)設備和汽車(chē)領(lǐng)域的豐富產(chǎn)品陣容及解決方案。同時(shí),羅姆工程師還將在現場(chǎng)舉辦的“寬禁帶半導體器件— 氮化鎵及碳化硅論壇”以及“電動(dòng)汽車(chē)論壇”等同期論壇上發(fā)表演講,分享羅姆最新的功率電子技術(shù)成果。展位效果圖羅姆擁有世界先進(jìn)的碳化硅
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第三代半導體,距離頂流差了什么
- 潮流就是即便你放棄了我,也不妨礙我越來(lái)越火。距離特斯拉宣布放棄碳化硅已經(jīng)過(guò)去了一年,這個(gè)市場(chǎng)非但沒(méi)有被拋棄,反而以 GaN、SiC 為代表的第三代半導體發(fā)展備受關(guān)注:Yole 數據顯示,2026 年 GaN 市場(chǎng)規模預計可達 6.72 億美元。SiC 碳化硅 2027 年全球 SiC 功率半導體市場(chǎng)規模有望突破 60 億美元。預測是人算不如天算,第三代半導體優(yōu)勢已經(jīng)被講的翻來(lái)覆去了,市場(chǎng)的反饋是最真實(shí)和殘酷的—很火但不是主流。碳化硅與新能源車(chē)能不能齊飛?新能源是第三代半導體應用的重要驅動(dòng)力。新能源車(chē)的最大
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基于Diodes AP43776Q+PI3DBS16222Q+PI3DPX1207Q的車(chē)載USB3.X和DP數據通信方案
- 汽車(chē)的智能化不僅帶來(lái)了駕駛安全系數的提升,也豐富了車(chē)機的娛樂(lè )系統,使大家有更好的、更便利的用車(chē)體驗。在各種的座艙設計中,USB口作為一個(gè)傳統的車(chē)機外設接口,功能也一直不斷的在提升,主要體現在充電功率的增大、數據傳輸的多樣性和傳輸速度的增加:功率從5V/0.5A到60W、100W,數據從USB2.0升級為USB3.X、DP投屏等。功能的提升離不開(kāi)硬件的支持,Diodes推出的AP43776Q+PI3DPX1207Q+PI3DBS16222Q方案,支持PD協(xié)議、USB3.1 Gen2 數據傳輸和DP投
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英飛凌加速氮化鎵布局,引領(lǐng)低碳高效新紀元
- 近年來(lái),隨著(zhù)科技的不斷進(jìn)步和全球對綠色低碳發(fā)展的需求日益增長(cháng),半導體行業(yè)迎來(lái)了前所未有的發(fā)展機遇。氮化鎵(GaN)作為一種新型半導體材料,以其高功率、高效率、耐高溫等特性,在消費電子、電動(dòng)汽車(chē)、可再生能源等多個(gè)領(lǐng)域展現出巨大的應用潛力。作為全球功率系統和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導體領(lǐng)導者,英飛凌在氮化鎵領(lǐng)域持續深耕,通過(guò)戰略布局、技術(shù)創(chuàng )新、市場(chǎng)應用拓展等不斷鞏固其市場(chǎng)地位。近日,英飛凌在上海慕尼黑展會(huì )期間舉辦了一場(chǎng)專(zhuān)門(mén)的氮化鎵新品媒體溝通會(huì ),會(huì )上英飛凌科技大中華區消費、計算與通訊業(yè)務(wù)市場(chǎng)總監程文濤先生以及英飛凌科技
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氮化鎵為何被如此看好,能否替代硅基材料大放異彩?
- 氮化鎵材料相較于硅基材料,顯著(zhù)優(yōu)勢體現在節能、成本節約及材料省用上。其核心亮點(diǎn)在于其超快的開(kāi)關(guān)速度,在硅、碳化硅與氮化鎵三者中獨占鰲頭。這一特性直接促進(jìn)了開(kāi)關(guān)頻率的大幅提升,進(jìn)而允許大幅縮減被動(dòng)元器件及散熱器的尺寸與數量,有效降低了物料消耗,彰顯了氮化鎵在物料節省方面的卓越能力。此外,在效率層面,氮化鎵與碳化硅并駕齊驅?zhuān)ㄟ^(guò)實(shí)現極低的導通阻抗(即單位面積上可達到的最小電阻),相較于硅材料實(shí)現了數量級的優(yōu)化。這種高效的導電性能,是氮化鎵提升系統效率的關(guān)鍵所在。綜合上述兩方面優(yōu)勢,氮化鎵的應用不僅促進(jìn)了系統性
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氮化鎵(GaN)的最新技術(shù)進(jìn)展
- 本文要點(diǎn)? 氮化鎵是一種晶體半導體,能夠承受更高的電壓。? 氮化鎵器件的開(kāi)關(guān)速度更快、熱導率更高、導通電阻更低且擊穿強度更高。? 氮化鎵技術(shù)可實(shí)現高功率密度和更小的磁性。氮化鎵 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 是兩種寬禁帶半導體,徹底改變了傳統電力電子技術(shù)。氮化鎵技術(shù)使移動(dòng)設備的快速充電成為可能。氮化鎵器件經(jīng)常用于一些轉換器和驅動(dòng)器應用氮化鎵是一種晶體半導體,能夠承受更高的電壓。通過(guò)氮化鎵材料的電流比通過(guò)硅半導體的電流速度更快,因此處理速度也更快。本文將探討氮化鎵材料以及氮化鎵技術(shù)如何顛覆整個(gè)行業(yè)。氮化
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Guerrilla RF宣布收購Gallium GaN技術(shù)
- 近期,Guerrilla RF宣布收購了Gallium Semiconductor的GaN功率放大器和前端模塊產(chǎn)品組合。Guerrilla RF表示,通過(guò)此次收購,公司獲得了Gallium Semiconductor 所有現有的元件、正在開(kāi)發(fā)的新內核以及相關(guān)知識產(chǎn)權(IP)。公司將為無(wú)線(xiàn)基礎設施、軍事和衛星通信應用開(kāi)發(fā)新的GaN器件產(chǎn)品線(xiàn)并實(shí)現商業(yè)化。Guerrilla RF官方經(jīng)銷(xiāo)商Telcom International的一位員工表示,公司計劃向韓國市場(chǎng)供應Guerrilla RF的射頻晶體管,并將其
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純晶圓代工廠(chǎng)格芯收獲一家GaN研發(fā)商
- 7月1日,純晶圓代工廠(chǎng)格芯(GlobalFoundries)宣布已收購Tagore專(zhuān)有且經(jīng)過(guò)生產(chǎn)驗證的功率氮化鎵(GaN)技術(shù)及IP產(chǎn)品組合,以突破汽車(chē)、物聯(lián)網(wǎng)和人工智能(AI)數據中心等廣泛電源應用的效率和性能界限。資料顯示,無(wú)晶圓廠(chǎng)公司Tagore成立于2011年1月,旨在開(kāi)拓用于射頻和電源管理應用的GaN-on-Si半導體技術(shù),在美國伊利諾伊州阿靈頓高地和印度加爾各答設有設計中心。格芯表示,此次收購進(jìn)一步鞏固公司對大規模生產(chǎn)GaN技術(shù)的決心,該技術(shù)提供多種優(yōu)勢,可幫助數據中心滿(mǎn)足不斷增長(cháng)的電力需求,
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高通驍龍 X Elite 芯片 PassMark 跑分:?jiǎn)魏随敲捞O(píng)果 M2,多核超 M4 芯片 3.7%
- IT之家 6 月 26 日消息,根據 PassMark 跑分數據,高通驍龍 X Elite 處理器(X1E-84-100)的單核成績(jì)?yōu)?3895 分,多核成績(jì)?yōu)?23272 分,跑分喜憂(yōu)參半,單核成績(jì)媲美 M2,多核成績(jì)超過(guò) M4。CPU 單核高通驍龍 X Elite 處理器(X1E-84-100)的單核成績(jì)?yōu)?nbsp;3895 分,IT之家簡(jiǎn)要附上主要競爭對手跑分情況如下:蘋(píng)果的 M2 芯片(8 個(gè)內核,3.48 GHz),得分 3922 分英特爾的酷
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臺達電子與TI成立創(chuàng )新聯(lián)合實(shí)驗室,瞄準GaN
- 6月21日,臺達電子宣布與全球半導體領(lǐng)導廠(chǎng)商德州儀器(TI)成立創(chuàng )新聯(lián)合實(shí)驗室。臺達表示,此舉不僅深化雙方長(cháng)期合作關(guān)系,亦可憑借TI在數字控制及氮化鎵(GaN)等半導體相關(guān)領(lǐng)域多年的豐富經(jīng)驗及創(chuàng )新技術(shù),強化新一代電動(dòng)車(chē)電源系統的功率密度和效能等優(yōu)勢,增強臺達在電動(dòng)車(chē)領(lǐng)域的核心競爭力。臺達交通事業(yè)范疇執行副總裁及電動(dòng)車(chē)方案事業(yè)群總經(jīng)理唐修平表示:“透過(guò)與TI成立創(chuàng )新聯(lián)合實(shí)驗室,運用TI在數位控制及GaN領(lǐng)域豐富經(jīng)驗與技術(shù)優(yōu)勢,提升電動(dòng)車(chē)電源系統的功率密度和效能,期盼雙方達到更緊密的技術(shù)交流及合作,以更具前瞻
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西門(mén)子推出基于瀏覽器的Zel-X集成式軟件
- ●? ?西門(mén)子發(fā)布基于瀏覽器的云軟件,將制造、運營(yíng)、協(xié)作、設計和仿真集成在統一的解決方案中●? ?Zel X可以根據工業(yè)特定的工作流程進(jìn)行定制,助力制造商加快數字化轉型進(jìn)程西門(mén)子數字化工業(yè)軟件日前發(fā)布 Zel X?,這是一款基于瀏覽器的工程應用程序,有助于簡(jiǎn)化制造和工廠(chǎng)運營(yíng)流程。Zel X 將用于制造、運營(yíng)、協(xié)作、設計和仿真的軟件整合成一個(gè)全面且輕量化的解決方案,通過(guò)瀏覽器即可實(shí)現操作,為用戶(hù)創(chuàng )造即刻價(jià)值。西門(mén)子數字化工業(yè)軟件Mainstream Engineeri
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GaN“上車(chē)”進(jìn)程加速,車(chē)用功率器件市場(chǎng)格局將改寫(xiě)
- 根據Yole機構2024 Q1的預測,氮化鎵 (GaN) 功率半導體器件市場(chǎng)2023至2029年平均復合年增長(cháng) (CAGR) 將高于45%,其中表現最為搶眼的是汽車(chē)與出行市場(chǎng)(automotive & mobility),“從無(wú)到有”,五年后即有望占據三分之一的GaN應用市場(chǎng)(圖1)。而相比之下,碳化硅(SiC)應用市場(chǎng)成長(cháng)則顯得比較溫和,CAGR遠低于GaN(圖1)。隨著(zhù)GaN“上車(chē)”進(jìn)程加速,功率器件器件市場(chǎng)競爭格局或將被改寫(xiě)。圖1:在GaN市場(chǎng)份額變化中,汽車(chē)與出行市場(chǎng) “從無(wú)到有”,五年后
- 關(guān)鍵字: GaN 車(chē)用功率器件 Transphorm SiC
EasyScope X應用案例之檢索平均波形數據
- 波形平均是一種降低特定信號噪聲的有效方法。SIGLENT SDS系列示波器可以使用EasyScope X軟件輕松采集平均波形數據。注意:此時(shí),平均波形數據無(wú)法以CSV格式保存到通過(guò)前面板連接的U盤(pán)中。1、初始設置 - 如果您的計算機還沒(méi)有VISA庫,請下載與您的操作系統匹配的NI-VISA Runtime Engine。它可以從National Instruments下載:http://bit.ly/2pw5gQW。- 安裝了VISA庫。這是EasyScope X軟件用于與儀器通信的通信庫。-
- 關(guān)鍵字: EasyScope X 平均波形
x-gan介紹
您好,目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條x-gan!
歡迎您創(chuàng )建該詞條,闡述對x-gan的理解,并與今后在此搜索x-gan的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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