以GaN打造的功率放大器為5G鋪路

　　德國弗勞恩霍夫應用固體物理研究所(Fraunhofer IAF)近日開(kāi)發(fā)出實(shí)現5G網(wǎng)路不可或缺的建構模組：以氮化鎵(GaN)技術(shù)制造的高功率放大器電晶體...

　　下一代行動(dòng)無(wú)線(xiàn)網(wǎng)路——5G，將為需要極低延遲的間和/或高達10Gbps資料傳輸速率的創(chuàng )新應用提供平臺。德國弗勞恩霍夫應用固體物理研究所(Fraunhofer Institute for Applied Solid State Physics，Fraunhofer IAF)近日開(kāi)發(fā)出實(shí)現5G網(wǎng)路不可或缺的一種建構模組：以氮化鎵(GaN)技術(shù)制造的高功率放大器電晶體。

　　Fraunhofer的研究人員Rüdiger Quay表示，晶片上的特殊結構可讓基地臺設計人員以極高的電壓(較一般更高的傳送功率)執行該元件。在其Flex5Gware計劃中，Fraunhofer IAF已經(jīng)開(kāi)始在6GHz頻率展開(kāi)元件的原型測試了。

　　在這一類(lèi)的應用中，能量需求取決于傳輸頻寬。Quay解釋?zhuān)鶄魉偷拿?位元都需要穩定且一致的能量。由于5G可實(shí)現較現有商用行動(dòng)無(wú)線(xiàn)基礎架構更高200倍的頻寬，因而有必要大幅提高用于傳統5G高頻寬訊號的半導體元件能效。

　　除了創(chuàng )新的半導體，研究人員們還使用高度定向天線(xiàn)等措施來(lái)提高能量效率。

　　在金屬加工制程中產(chǎn)生的副產(chǎn)品——鎵(Gallium)十分普及。包含GaN的白光與藍光LED也有助于提高GaN的產(chǎn)量，使得GaN成為當今一種更可負擔的元件。其結果是，Fraunhofer IAS指出，相較于矽(Si)元件，GaN元件由于在整個(gè)產(chǎn)品壽命周期已超過(guò)其更高的制造成本，因而實(shí)現更節能的元件。