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epc gan fet 文章 進(jìn)入epc gan fet技術(shù)社區
詳解LED PWM調光技術(shù)及設計注意點(diǎn)
- 無(wú)論LED是經(jīng)由降壓、升壓、降壓/升壓或線(xiàn)性穩壓器驅動(dòng)，連接每一個(gè)驅動(dòng)電路最常見(jiàn)的線(xiàn)程就是須要控制光的輸出?，F今僅有很少數的應用只需要開(kāi)和關(guān)的簡(jiǎn)單功能，絕大多數都需要從0～100%去微調亮度。目前，針對亮度控制方面，主要的兩種解決方案為線(xiàn)性調節LED的電流(模擬調光)或在肉眼無(wú)法察覺(jué)的高頻下，讓驅動(dòng)電流從0到目標電流值之間來(lái)回切換(數字調光)。利用脈沖寬度調變(PWM)來(lái)設定循環(huán)和工作周期可能是實(shí)現數字調光的最簡(jiǎn)單的方法，原因是相同的技術(shù)可以用來(lái)控制大部分的開(kāi)關(guān)轉換器。 PWM調光能調配準確色光
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西門(mén)子：將通過(guò)三大途徑回歸能源業(yè)務(wù)
- 全球的能源市場(chǎng)正發(fā)生變革，眾多發(fā)展中國家所面臨的電力短缺，這為一些電力EPC企業(yè)帶來(lái)了巨大的市場(chǎng)機會(huì )。目前，西門(mén)子正在與越來(lái)越多的中國企業(yè)一起參與海外電力市場(chǎng)重大項目的開(kāi)發(fā)、建設和運營(yíng)。據了解，在西門(mén)子的發(fā)電領(lǐng)域當中，EPC項目占到三成，這表明西門(mén)子非常重視電力EPC市場(chǎng)。而在近日，西門(mén)子(中國)有限公司和中國電力建設股份有限公司聯(lián)合舉辦了“2015中國電力EPC論壇”，進(jìn)一步探討了發(fā)電EPC領(lǐng)域的海外經(jīng)驗，以尋求更多的合作機會(huì )。 而在與中國企業(yè)合作電力EPC項目的過(guò)程當
- 關(guān)鍵字： 西門(mén)子 EPC
英飛凌攜高能效增強模式和共源共柵配置硅基板GaN平臺組合亮相2015年應用電力電子會(huì )議暨展覽會(huì )（APEC）
- 英飛凌科技股份公司今日宣布擴充其硅基氮化鎵(GaN)技術(shù)和產(chǎn)品組合。目前，英飛凌提供專(zhuān)為要求超高能效的高性能設備而優(yōu)化的增強模式和級聯(lián)模式GaN平臺，包括服務(wù)器、電信設備、移動(dòng)電源等開(kāi)關(guān)電源應用以及諸如Class D音頻系統的消費電子產(chǎn)品。GaN技術(shù)可以大幅地縮小電源的尺寸和減輕電源的重量，這將為GaN產(chǎn)品在諸如超薄LED電視機等終端產(chǎn)品市場(chǎng)開(kāi)辟新的機會(huì )。 英飛凌科技股份公司電源管理及多元化市場(chǎng)事業(yè)部總裁Andreas Urschitz表示：“英飛凌的硅基GaN產(chǎn)品組合，結合公司了所
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英飛凌將與松下電器聯(lián)袂 雙雙推出常閉型600VGaN功率器件
- 英飛凌科技股份公司和松下電器公司宣布，兩家公司已達成協(xié)議，將聯(lián)合開(kāi)發(fā)采用松下電器的常閉式(增強型)硅基板氮化鎵(GaN)晶體管結構，與英飛凌的表貼(SMD)封裝的GaN器件。在此背景下，松下電器向英飛凌授予了使用其常閉型GaN晶體管結構的許可。按照這份協(xié)議的規定，兩家公司均可生產(chǎn)高性能GaN器件。由此帶來(lái)的益處是客戶(hù)可以從兩條渠道獲得采用可兼容封裝的GaN功率開(kāi)關(guān)。迄今為止，沒(méi)有任何其他硅基板GaN器件提供了這樣的供貨組合，雙方商定不披露任何其他合同細節。 作為新一代化合物半導體技術(shù)，硅基板Ga
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 松下 GaN
TI發(fā)布業(yè)內首款80V半橋GaN FET模塊
- 近日，德州儀器推出了業(yè)內首款80V、10A集成氮化鎵 (GaN) 場(chǎng)效應晶體管 (FET) 功率級原型機。此次原型機由位于四方扁平無(wú)引線(xiàn) (QFN) 封裝內的一個(gè)高頻驅動(dòng)器和兩個(gè)采用半橋配置的GaN FET組成，使之非常易于設計。如需了解更多信息，敬請訪(fǎng)問(wèn)www.ti.com.cn/lmg5200-pr-cn。 全新的LMG5200 GaN FET功率級原型機將有助于加快下一代GaN電源轉換解決方案的市場(chǎng)化，此方案為空間有限且高頻的工業(yè)應用和電信應用提供更高的功率密度和效率。 TI高壓電源
- 關(guān)鍵字： 德州儀器 GaN
英飛凌將與松下電器聯(lián)袂，雙雙推出常閉型600V GaN功率器件
- 英飛凌科技股份公司和松下電器公司宣布，兩家公司已達成協(xié)議，將聯(lián)合開(kāi)發(fā)采用松下電器的常閉式(增強型)硅基板氮化鎵(GaN)晶體管結構，與英飛凌的表貼(SMD)封裝的GaN器件。在此背景下，松下電器向英飛凌授予了使用其常閉型GaN晶體管結構的許可。按照這份協(xié)議的規定，兩家公司均可生產(chǎn)高性能GaN器件。由此帶來(lái)的益處是客戶(hù)可以從兩條渠道獲得采用可兼容封裝的GaN功率開(kāi)關(guān)。迄今為止，沒(méi)有任何其他硅基板GaN器件提供了這樣的供貨組合。雙方商定不披露任何其他合同細節。 作為新一代化合物半導體技術(shù)，硅基板Ga
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GaN在射頻功率領(lǐng)域會(huì )所向披靡嗎？
- 氮 化鎵(GaN)這種寬帶隙材料將引領(lǐng)射頻功率器件新發(fā)展并將砷化鎵(GaAs)和LDMOS(橫向擴散金屬氧化物半導體)器件變成昨日黃花?看到一些媒體 文章、研究論文、分析報告和企業(yè)宣傳文檔后你當然會(huì )這樣認為，畢竟，GaN比一般材料有高10倍的功率密度，而且有更高的工作電壓(減少了阻抗變換損 耗)，更高的效率并且能夠在高頻高帶寬下大功率射頻輸出，這就是GaN，無(wú)論是在硅基、碳化硅襯底甚至是金剛石襯底的每個(gè)應用都表現出色!帥呆了! 至少現在看是這樣，讓我們回顧下不同襯底風(fēng)格的GaN：硅基、碳化硅(S
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EPC-9200工控主板在電動(dòng)汽車(chē)充電樁系統中的應用
- 1. 方案背景 1、行業(yè)背景 我國政府順應時(shí)代發(fā)展，超常規地、大力發(fā)展電動(dòng)汽車(chē)產(chǎn)業(yè)，由此帶動(dòng)了新能源電動(dòng)汽車(chē)充電樁項目的蓬勃興起，在國內各地電動(dòng)汽車(chē)充電站紛紛涌現! 充電樁是電動(dòng)力車(chē)的電站，其功能類(lèi)似于加油站里面的加油機。每個(gè)充電樁都裝有充電插頭，充電樁可以根據不同的電壓等級，為各種型號的電動(dòng)車(chē)充電。電動(dòng)汽車(chē)充電樁采用的是交、直流供電方式，需要特制的充電卡刷卡使用，充電樁顯示屏能顯示充電量、費用、充電時(shí)間等數據。充電樁作為加油站、小區電動(dòng)汽車(chē)充電狀態(tài)的人機交互產(chǎn)品?？蓪?shí)現計時(shí)充電和計
- 關(guān)鍵字： EPC-9200 充電樁
宜普電源高性能氮化鎵功率晶體管已有現貨供應
- 氮化鎵(eGaN?)功率晶體管繼續為電源轉換應用設定業(yè)界領(lǐng)先的性能基準。由于氮化鎵器件具有更低的導通電阻、更低的電容、更大的電流及卓越的熱性能，因此使得功率轉換器可實(shí)現超過(guò)98%的效率。 宜普電源轉換公司宣布推出六個(gè)新一代功率晶體管及相關(guān)的開(kāi)發(fā)板。這些由30 V至200 V的產(chǎn)品在很多應用可大大降低導通電阻(RDS(on))并可增強輸出電流性能，例如具高功率密度的直流-直流轉換器、負載點(diǎn)(POL)轉換器、直流-直流及交流-直流轉換器的同步整流器、馬達驅動(dòng)器、發(fā)光二極管照明及工業(yè)自動(dòng)化等廣
- 關(guān)鍵字： 宜普 EPC MOSFET
EPC瞄準氮化鎵功率器件市場(chǎng)興起機遇
- 功率器件一直都是由材料引導技術(shù)革新，硅材質(zhì)的MOSFET已經(jīng)應用多年，現在面臨在功率密度、工作溫度和更高電壓方面的技術(shù)挑戰，而解決這一問(wèn)題最根本的辦法是采用更高性能的材料。 宜普電源轉換公司(EPC)是首家推出替代功率MOSFET器件的增強型氮化鎵(eGaN)場(chǎng)效應晶體管的公司，他們希望借助技術(shù)優(yōu)勢快速推廣其技術(shù)和產(chǎn)品，并于未來(lái)數年間取代硅功率MOSFET器件及IGBT，搶奪超過(guò)百億美元的功率轉換市場(chǎng)份額。 增強型氮化鎵(eGaN)場(chǎng)效應晶體管作為寬頻隙器件，其優(yōu)勢包括具有更高功率密度、更
- 關(guān)鍵字： MOSFET EPC eGaN 201406
基于場(chǎng)效應管的功率放大器設計
- 摘要：用場(chǎng)效應晶體管設計出有膽味的音頻功率放大器。前級采用單管、甲類(lèi)，后級采用甲乙類(lèi)推挽放大技術(shù)。實(shí)驗證明差分放大器使用的對管的一致性與整機的失真程度密切相關(guān)。從聽(tīng)音效果來(lái)看，末級電流200mA是理想值。 前后級間耦合電容對聽(tīng)音影響較大，要求質(zhì)量高些。 對于音頻功率放大器而言，最好聽(tīng)的莫過(guò)于甲類(lèi)放大器。根據頻率分析的結果，由集成運算放大器構成的前級聲音單薄、缺乏活力。所以，可不可以前級采用單管甲類(lèi)放大器，后級采用甲乙類(lèi)功率放大器?這樣既兼顧聽(tīng)音需要，又兼顧效率的需要。目前，電子管音頻功率放大器仍然占據
- 關(guān)鍵字： FET 場(chǎng)效應管 功率放大器
用于汽車(chē)啟停的低耗能電源設計的幾種方法
- 隨著(zhù)城市快節奏的發(fā)展，大多數人擁有自己的車(chē)，這也使得交通變得擁堵，而汽車(chē)在高峰期的走走停停會(huì )耗掉很多的能源，不僅浪費還污染環(huán)境。故而引進(jìn)了汽車(chē)系統中的“啟停”功能，但是這種系統也給汽車(chē)電子帶來(lái)了一些獨特的工程技術(shù)挑戰，汽車(chē)啟停系統中電源設計是一大難題。本文就為大家介紹一種用于汽車(chē)啟停的低耗能電源設計。 為了控制燃油消耗，許多汽車(chē)制造商在下一代汽車(chē)中實(shí)現了“啟停”功能，而且為數眾多的這種汽車(chē)已經(jīng)開(kāi)始上路。這些系統會(huì )在汽車(chē)停下來(lái)時(shí)關(guān)閉發(fā)動(dòng)機，當腳從剎車(chē)踏板移動(dòng)
- 關(guān)鍵字： P-FET MOSFET
Silego公司推出體積小一倍電流為4.5A的雙通道全功能負載開(kāi)關(guān)
- 2014年3月17日Silego于美國加州圣克拉拉推出一款基于Silego亞微米銅制程電源FET技術(shù)的16?mΩ雙通道GreenFET3?負載開(kāi)關(guān)產(chǎn)品即SLG59M1527V。該款負載開(kāi)關(guān)每條通道最高電流可達到?4.5A?、總電流高達9.0A。并且引用Silego?CuFETTM?技術(shù)來(lái)實(shí)現低導通電阻、外形尺寸最小同時(shí)可靠性提高?！ LG59M1527V是一款以14?pin腳、尺寸為1.0?x?3.0?
- 關(guān)鍵字： Silego FET SLG59M1527V
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