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導入Cascode結構 GaN FET打造高效率開(kāi)關(guān)
- 為提高高壓電源系統能源效率，半導體業(yè)者無(wú)不積極研發(fā)經(jīng)濟型高性能功率場(chǎng)效應電晶體（FET）；其中，采用Cascode結構的...
- 關(guān)鍵字： Cascode GaN 場(chǎng)效應管
英飛凌：GaN功率元件前景雖好，但采用為時(shí)尚早
- GaN被認為是下一代的功率元件，被賦予了代替SiC的神圣使命。但是近日，來(lái)自英飛凌的MarkMuenzer表示，其前景雖好，但是還沒(méi)到廣泛使用的時(shí)候，因它還有很多未被探索出來(lái)的部分。
- 關(guān)鍵字： GaN.功率元件
新一代SiC和GaN功率半導體競爭激烈
- 與現在的Si功率半導體相比，SiC及GaN等新一代功率半導體有望利用逆變器和變流器等大幅提高效率并減小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐漸增加，同時(shí)各企業(yè)也圍繞這些元件展開(kāi)了激烈的開(kāi)發(fā)競爭。 SiC功率半導體方面，在柵極設有溝道的溝道型MOSFET的開(kāi)發(fā)在2013年大幅加速。以前推出的SiC MOSFET只有平面型，尚未推出溝道型。溝道型MOSFET的導通電阻只有平面型的幾分之一，因此可以進(jìn)一步降低損耗。導通電阻降低后，采用比平面型更小的芯片面積即可獲得相同載流量。也
- 關(guān)鍵字： SiC GaN
元件開(kāi)發(fā)競爭激烈 亞洲企業(yè)紛紛涉足
- 與現在的Si功率半導體相比，SiC及GaN等新一代功率半導體有望利用逆變器和變流器等大幅提高效率并減小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐漸增加，同時(shí)各企業(yè)也圍繞這些元件展開(kāi)了激烈的開(kāi)發(fā)競爭。 SiC功率半導體方面，在柵極設有溝道的溝道型MOSFET的開(kāi)發(fā)在2013年大幅加速。以前推出的SiCMOSFET只有平面型，尚未推出溝道型。溝道型MOSFET的導通電阻只有平面型的幾分之一，因此可以進(jìn)一步降低損耗。導通電阻降低后，采用比平面型更小的芯片面積即可獲得相同載流量。也就
- 關(guān)鍵字： GaN 功率半導體
研究人員以硼/氮共摻雜實(shí)現石墨烯能隙
- 韓國蔚山科技大學(xué)(UNIST)的研究人員們宣稱(chēng)開(kāi)發(fā)出一種可大量生產(chǎn)硼/氮共摻雜石墨烯奈米微板的方法，從而可實(shí)現基于石墨烯的場(chǎng)效電晶體(FET)制造與設計。 由Jong-BeomBaek主導的研究團隊們采用一種BBr3/CCl4/N2的簡(jiǎn)單溶劑熱反應，大量生產(chǎn)硼/氮共摻雜石墨烯奈米管，即「硼-碳-氮-石墨烯」(BCN-石墨烯)。 石墨烯自2004年經(jīng)由實(shí)驗發(fā)現后，已經(jīng)開(kāi)發(fā)出各種方法來(lái)制造基于石墨烯的FET，包括摻雜石墨烯打造成石墨烯狀的奈米帶，以及利用氮化硼作為支柱。在各種控制石墨烯
- 關(guān)鍵字： 石墨烯 FET
如何針對反向轉換器的FET關(guān)斷電壓而進(jìn)行緩沖
- 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò )家園
- 關(guān)鍵字： 反向轉換器 FET 關(guān)斷電壓 緩沖 漏極電感
陽(yáng)光電源西部搶裝拉動(dòng)EPC與逆變器業(yè)務(wù)
- 陽(yáng)光電源公司發(fā)布2013年三季度業(yè)績(jì)預告：歸屬于母公司凈利潤1.05~1.18億元,同比增漲70~90%,前三季度EPS為0.32~0.36元,非經(jīng)常性損益0.42億,主要包括募集資金利息收入及政府補助。第三季度EPS為0.15~0.19元。 點(diǎn)評分析： 公司三季度業(yè)績(jì)超市場(chǎng)預期。主要原因是在8月底國內光伏補貼政策落實(shí),并且明確西部地區的集中式電站標桿電價(jià)將在明年下調,西部地面電站出現搶裝潮,對國內公司逆變器及電站EPC兩大主業(yè)都有非常強的拉動(dòng)作用。 由于四季度仍然是全年收入確認高峰
- 關(guān)鍵字： EPC 逆變器
硅基GaN LED及光萃取技術(shù)實(shí)現高性?xún)r(jià)比照明
- 傳統的氮化鎵（GaN）LED元件通常以藍寶石或碳化硅（SiC）為襯底，因為這兩種材料與GaN的晶格匹配度較好，襯底常用尺寸為...
- 關(guān)鍵字： GaN LED 光萃取技術(shù)
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