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隔離式FET脈沖驅動(dòng)器原理及設計

  • 隔離式FET脈沖驅動(dòng)器原理及設計三相控制整流器和變換器、矩陣循環(huán)換流器以及級聯(lián)功率級一般都含有大量功率 ...
  • 關(guān)鍵字： 隔離式  FET  脈沖驅動(dòng)器  

使用結型FET的簡(jiǎn)易電壓控制放大器電路及工作原理

  • 電路的功能在VCA（電壓控制放大器）。由反饋環(huán)路組成電路時(shí)，通過(guò)控制反正電壓來(lái)改變放大器增益。所以傳統的作法是利用二極管的單向特性或采用CDS光耦合器。而在本電路中，是利用柵極源極之間的電壓使溝道電阻發(fā)生變
  • 關(guān)鍵字： FET  結型  電壓控制  放大器電路    

保護汽車(chē)冷卻風(fēng)扇模塊免受熱失控引起的損壞

  • 在嚴苛的汽車(chē)環(huán)境中，各種功率場(chǎng)效應晶體管(power FET，功率FET)，被一貫地認為可承受極端的溫度變化和熱機械應力。間歇性短路、寒冷的運行環(huán)境、高壓電弧或有噪聲性短路，連同電感負載及多次短路久而久之會(huì )讓該器件疲損，致使其進(jìn)入開(kāi)路、短路或阻性模式。
  • 關(guān)鍵字： RTP器件  FET  

通過(guò)優(yōu)化變換器的FET開(kāi)關(guān)來(lái)改善能量效率

  • 　在計算和消費電子產(chǎn)品中，效率已經(jīng)有了顯著(zhù)的提高，重點(diǎn)是AC/DC轉換上。不過(guò)，隨著(zhù)80 PLUS，Climate Savers以及EnergyStar 5等規范的出現，設計人員開(kāi)始認識到，AC/DC和DC/DC功率系統都需要改進(jìn)?！　C/DC平均系統
  • 關(guān)鍵字： 改善  能量  效率  開(kāi)關(guān)  FET  優(yōu)化  變換器  通過(guò)  

利用氬氣改善p型GaN LED的性能

  • 如果你想要得到顯著(zhù)的摻雜剖面結構及低阻值的p型GaN，那么就要考慮把你的載體氣體由氫氣置換成氬氣。作者：Vla...
  • 關(guān)鍵字： GaN  LED    

采用GaN LED的便攜式DNA分析儀

  • 在當今社會(huì )，DNA分析的重要性毋庸置疑。就拿上個(gè)月發(fā)生的案例來(lái)說(shuō)：英國倫敦一位名叫DamilolaTaylor的十歲男孩...
  • 關(guān)鍵字： GaN  LED    

EPC高頻變壓器分布參數及其影響的分析

  • 1、引言　　行波管放大器（TWTA）具有寬頻帶、高增益、高效率等優(yōu)點(diǎn)，被廣泛應用于微波通信、雷達和電子對抗等技術(shù)領(lǐng)域中?！　WTA由空間行波管（TWT）和電子功率調節器（EPC）組成。EPC[1,2]是由大量電子元器件和高
  • 關(guān)鍵字： 及其  影響  分析  參數  分布  高頻  變壓器  EPC  

大功率LED關(guān)鍵材料GaN開(kāi)始侵食硅功率MOSFET市場(chǎng)

  • 超級半導體材料GaN(氮化鎵)的時(shí)代正開(kāi)啟。它比傳統的硅和GaAs(砷化鎵)更加耐壓，已成為大功率LED的關(guān)鍵材料之...
  • 關(guān)鍵字： LED  GaN  MOSFET  

用射頻開(kāi)關(guān)優(yōu)化智能手機信號

  • 智能手機代表了射頻個(gè)人通信最前沿、也最具挑戰性的射頻產(chǎn)品設計之一。這些第三代(3G)蜂窩多模多頻設備基于...
  • 關(guān)鍵字： 射頻開(kāi)關(guān)  隔離度  插損  FET  pHEMT  

Intersil集成化開(kāi)關(guān)穩壓器簡(jiǎn)化電源設計

  • 簡(jiǎn)介 　　一提到電源設計，大多數工程師都會(huì )感到撓頭，他們往往會(huì )問(wèn)，“從哪里入手呢?”。首先必須確定電源的拓撲——包括降壓、升壓、flyback、半橋和全橋等。
  • 關(guān)鍵字： intersil  FET  DC/DC  

硅襯底LED芯片主要制造工藝解析

  • 1993年世界上第一只GaN基藍色LED問(wèn)世以來(lái)，LED制造技術(shù)的發(fā)展令人矚目。目前國際上商品化的GaN基LED均是...
  • 關(guān)鍵字： LED芯片  硅襯底  GaN    

硅襯底上GaN基LED的研制進(jìn)展

  • Ⅲ族氮化物半導體材料廣泛用于紫、藍、綠和白光發(fā)光二極管，高密度光學(xué)存儲用的紫光激光器，紫外光探測器，...
  • 關(guān)鍵字： MOCVD  GaN  LED芯片    

TDK-EPC掌控所有熱點(diǎn)的SMD-PTC解決方案

  • 相對于標準系列，新元件采用了更為均質(zhì)的陶瓷材料，在提高穩定性的同時(shí)，還允許高達280℃的回流焊接和波峰焊接加工。憑借上述性能，超級系列PTC產(chǎn)品已通過(guò)AEC-Q200 Rev-C標準驗證，可滿(mǎn)足汽車(chē)電子應用的苛刻要求。

  • 關(guān)鍵字： TDK-EPC  SMD-PTC  方案    

一種S波段寬帶GaN放大器的設計

  • 摘要：氮化鎵功率管的寬帶隙、高擊穿電場(chǎng)等特點(diǎn)，使其具有帶寬寬，高效特性等優(yōu)點(diǎn)。為了研究GaN功率放大器的特點(diǎn)，使用了Agilent ADS等仿真軟件，進(jìn)行電路仿真設計，設計制作了一種S波段寬帶GaN功率放大器。詳述了電
  • 關(guān)鍵字： GaN  S波段  寬帶  放大器    

GaN基量子阱紅外探測器的設計

  • 摘要：為了實(shí)現GaN基量子阱紅外探測器，利用自洽的薛定諤-泊松方法對GaN基多量子阱結構的能帶結構進(jìn)行了研究?？紤]了GaN基材料中的自發(fā)極化和壓電極化效應，通過(guò)設計適當的量子阱結構，利用自發(fā)極化和壓電極化的互補
  • 關(guān)鍵字： 設計  探測器  紅外  量子  GaN  
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