EPC瞄準氮化鎵功率器件市場(chǎng)興起機遇

　　功率器件一直都是由材料引導技術(shù)革新，硅材質(zhì)的MOSFET已經(jīng)應用多年，現在面臨在功率密度、工作溫度和更高電壓方面的技術(shù)挑戰，而解決這一問(wèn)題最根本的辦法是采用更高性能的材料。

　　宜普電源轉換公司(EPC)是首家推出替代功率MOSFET器件的增強型氮化鎵(eGaN)場(chǎng)效應晶體管的公司，他們希望借助技術(shù)優(yōu)勢快速推廣其技術(shù)和產(chǎn)品，并于未來(lái)數年間取代硅功率MOSFET器件及IGBT，搶奪超過(guò)百億美元的功率轉換市場(chǎng)份額。

　　增強型氮化鎵(eGaN)場(chǎng)效應晶體管作為寬頻隙器件，其優(yōu)勢包括具有更高功率密度、更高電壓、更低漏電流及具備在更高溫度下工作的性能;具有卓越傳導性能，在相同導通阻抗下，器件尺寸更短小、更低電容等。該公司技術(shù)專(zhuān)家Michael de Rooij介紹，由于電容及電感影響開(kāi)關(guān)速度，氮化鎵場(chǎng)效應晶體管(eGaN FET)的尺寸短小及其橫向結構可實(shí)現超低電容而同時(shí)使用LGA封裝使得器件具低電感，從而在速度、電壓過(guò)沖及振鈴方面取得開(kāi)前所未有的開(kāi)關(guān)性能。 器件并具零QRR 使得它在高頻下具較低損耗。氮化鎵場(chǎng)效應晶體管的開(kāi)關(guān)性能可實(shí)現更高功率密度、更高頻、更精確開(kāi)關(guān)及更高總線(xiàn)電壓。

　　該公司技術(shù)專(zhuān)家鄭正一對比了幾種材料的不同特點(diǎn)，eGaN FET的優(yōu)勢是可推動(dòng)全新性能的出現、易于使用、成本低及具高可靠性。該技術(shù)基于不昂貴的硅襯底，并使用現有的CMOS晶圓工藝，實(shí)現更少工藝步驟，整體的系統成本可更低且易于使用。碳化硅(SiC)器件是一種好材料，但目前它的成本較高。碳化硅器件可以工作在1200 V以上并比硅器件優(yōu)勝很多。EPC的氮化鎵場(chǎng)效應晶體管備有200 V、100 V及40 V的器件，并正在開(kāi)發(fā)其它電壓的產(chǎn)品。在這些電壓范圍，eGaNFET在成本方面比碳化硅有明顯優(yōu)勢，這讓eGaNFET非常適合包括直流-直流轉換器、無(wú)線(xiàn)電源傳送、包絡(luò )跟蹤、射頻傳送、太陽(yáng)能微型逆變器、光學(xué)遙感技術(shù)(LiDAR)及D類(lèi)音頻放大器等應用，器件性能比最好的硅功率MOSFET高出很多倍。