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SiC和GaN是“下一代”還是“當代”？
- SiC企業(yè)不斷增多，成本不斷下降”一文中，作者根津在開(kāi)篇寫(xiě)道：“下一代功率半導體已經(jīng)不再特別?！边@是因為，隨著(zhù)使用SiC和GaN等“下一代功率半導體”的大量發(fā)布，在學(xué)會(huì )和展會(huì )的舞臺上，這種功率半導體逐漸帶上了“當代”的色彩。 那么，在使用功率半導體的制造現場(chǎng)，情況又是如何呢?雖然使用SiC和GaN的產(chǎn)品目前尚處開(kāi)始增加的階段，仍屬于“下一代”，但在功率半導體使用者的心目中，此類(lèi)產(chǎn)品已逐漸由
未來(lái)十年GaN和SiC功率半導體市場(chǎng)將以18%的速度穩增
- 在未來(lái)十年，受電源、光伏(PV)逆變器以及工業(yè)電動(dòng)機的需求驅動(dòng)，新興的碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率半導體市場(chǎng)將以18%的驚人速度穩步增長(cháng)。 據有關(guān)報告稱(chēng)，至2022年SiC和GaN功率半導體的全球銷(xiāo)售額將從2012年的1.43億美元增加到28億美元。據預測，未來(lái)十年這一市場(chǎng)的銷(xiāo)售額將實(shí)現兩位數的年增長(cháng)率。 SiC肖特基二極管已存在十多年，SiC金氧半場(chǎng)效晶體管(MOSFET)、結晶性場(chǎng)效應晶體管(JFET)和雙極型晶體管(BJT)在最近幾年出現。GaN功率半導體則剛剛進(jìn)入市場(chǎng)。G
- 關(guān)鍵字： GaN 半導體 SiC
未來(lái)十年GaN和SiC功率半導體市場(chǎng)將以18%的速度穩增
- 在未來(lái)十年，受電源、光伏(PV)逆變器以及工業(yè)電動(dòng)機的需求驅動(dòng)，新興的碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率半導體市場(chǎng)將以18%的驚人速度穩步增長(cháng)。 據有關(guān)報告稱(chēng)，至2022年SiC和GaN功率半導體的全球銷(xiāo)售額將從2012年的1.43億美元增加到28億美元。據預測，未來(lái)十年這一市場(chǎng)的銷(xiāo)售額將實(shí)現兩位數的年增長(cháng)率。 SiC肖特基二極管已存在十多年，SiC金氧半場(chǎng)效晶體管(MOSFET)、結晶性場(chǎng)效應晶體管(JFET)和雙極型晶體管(BJT)在最近幾年出現。GaN功率半導體則剛剛進(jìn)入市場(chǎng)。G
- 關(guān)鍵字： GaN 半導體 SiC
三菱化學(xué)計劃擴增LED用GaN基板產(chǎn)能
- 因照明用LED需求大增，三菱化學(xué)計劃在2014年初將LED用氮化鎵(GaN)基板產(chǎn)能擴增至現行的2-3倍。 目前，三菱化學(xué)利用水島事業(yè)所和筑波事業(yè)所生產(chǎn)的GaN基板，生產(chǎn)的產(chǎn)品直徑為2寸，月產(chǎn)能分別為1,000片、數百片。 而為了要達到穩定獲利的水平，有必要將產(chǎn)品尺寸擴大至4-6寸，所以，三菱化學(xué)計劃借由調整水島事業(yè)所現有設備的制程，開(kāi)始生產(chǎn)直徑為4寸的GaN基板，月產(chǎn)能為200-300片，并計劃憑借新設生產(chǎn)設備或增設廠(chǎng)房等措施，開(kāi)始生產(chǎn)6寸GaN基板，將GaN基板產(chǎn)能擴增至現行的2-3倍
- 關(guān)鍵字： LED GaN
GaN類(lèi)功率元件，高耐壓成功率半導體主角
- 采用Si基板降低成本，通過(guò)改變構造改善特性那么，GaN類(lèi)功率元件的成本、電氣特性以及周邊技術(shù)方面存在...
- 關(guān)鍵字： GaN類(lèi)功率半導體 功率半導體 GaN
富士通半導體明年計劃量產(chǎn)GaN功率器件
- 上海，2012年11月20日 –富士通半導體(上海)有限公司今日宣布采用其基于硅基板的氮化鎵 (GaN) 功率器件的服務(wù)器電源單元成功實(shí)現2.5kW的高輸出功率，富士通半導體計劃將于2013年下半年開(kāi)始量產(chǎn)這些GaN功率器件。這些器件可廣泛用于電源增值應用，對實(shí)現低碳社會(huì )做出重大貢獻。 與傳統硅基功率器件相比，基于GaN的功率器件具有導通電阻低和能夠進(jìn)行高頻操作等特性。而這些特性恰恰有利于提高電源單元轉換效率，并使電源單元更加緊湊。富士通半導體計劃在硅基板上進(jìn)行GaN功率器件的商業(yè)化
- 關(guān)鍵字： 富士通 功率器件 GaN
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