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epc gan fet 文章 進(jìn)入epc gan fet技術(shù)社區
學(xué)好嵌入式系統電路入門(mén)之——二極管/晶體管/FET
- 導電能力介于導體與絕緣體之間的物質(zhì) - 半導體 硅和鍺是位于銀、鋁等導體和石英、陶瓷等絕緣體之間，用于制造半導體器件的原材料，具有一定電阻率。不同的物質(zhì)其產(chǎn)生的不同電阻率是由于可移動(dòng)的電子量不同引起的。這種可移動(dòng)電子叫“自由電子”。一般我們把可以通過(guò)向其摻入雜質(zhì)來(lái)改變自由電子的數量，并可控制電流動(dòng)的物質(zhì)稱(chēng)為半導體。 根據電流流動(dòng)的構造，可將半導體分為N型和P型兩類(lèi)。 半導體的電流流通原理 (1) N型半導體 圖1是在硅晶
- 關(guān)鍵字： 嵌入式系統 FET
諾貝爾獎后 日本GaN產(chǎn)學(xué)應用新動(dòng)態(tài)
- 當諾貝爾獎委員會(huì )在2014年宣布物理獎得主是發(fā)明藍光LED而得獎的日本學(xué)者赤崎勇、天野浩與中村修二三位學(xué)者后，掀起日本人對LED及氮化鎵(GaN)注意，也讓相關(guān)研究單位及研究計劃獲得更多的支持與關(guān)注。 比方2015年以諾貝爾獎得主天野浩帶頭的新單位─名古屋大學(xué)GaN聯(lián)盟，便有29家企業(yè)、14所大學(xué)、與2個(gè)技術(shù)研發(fā)基金會(huì )加入;日本產(chǎn)業(yè)技術(shù)總和研究所(AIST)與名古屋大學(xué)(NagoyaUniversity)合作，在2016年成立產(chǎn)總研名大氮化鎵半導體先進(jìn)零組件開(kāi)創(chuàng )研究實(shí)驗室(GaN-OIL)，都是
- 關(guān)鍵字： GaN LED
諾貝爾獎后 日本GaN產(chǎn)學(xué)應用新動(dòng)態(tài)
- 當諾貝爾獎委員會(huì )在2014年宣布物理獎得主是發(fā)明藍光LED而得獎的日本學(xué)者赤崎勇、天野浩與中村修二三位學(xué)者后，掀起日本人對LED及氮化鎵(GaN)注意，也讓相關(guān)研究單位及研究計劃獲得更多的支持與關(guān)注。 比方2015年以諾貝爾獎得主天野浩帶頭的新單位─名古屋大學(xué)GaN聯(lián)盟，便有29家企業(yè)、14所大學(xué)、與2個(gè)技術(shù)研發(fā)基金會(huì )加入;日本產(chǎn)業(yè)技術(shù)總和研究所(AIST)與名古屋大學(xué)(Nagoya University)合作，在2016年成立產(chǎn)總研名大氮化鎵半導體先進(jìn)零組件開(kāi)創(chuàng )研究實(shí)驗室(GaN-OIL)，都
- 關(guān)鍵字： GaN 藍光LED
EPC與ASD公司建立增值合作伙伴關(guān)系，加速基于氮化鎵技術(shù)的無(wú)線(xiàn)電源解決方案的上市進(jìn)程
- 總部位于美國洛杉磯市、開(kāi)發(fā)替代MOSFET技術(shù)的氮化鎵(eGaN)技術(shù)的宜普電源轉換公司(EPC) 與總部位于香港的創(chuàng )徽科技有限公司(ASD)宣布攜手合作，共創(chuàng )新里程，針對客戶(hù)的目標應用,利用最新的eGaN技術(shù)為客戶(hù)提供最佳的解決方案。 EPC公司是研發(fā)氮化鎵技術(shù)和制造氮化鎵器件的領(lǐng)導廠(chǎng)商。具備優(yōu)越性能的氮化鎵場(chǎng)效應晶體管(eGaN®FET)及集成電路在各種終端應用中可以替代日益老化的MOSFET技術(shù)，包括DC/DC轉換器、無(wú)線(xiàn)電源傳輸、包絡(luò )跟蹤、射頻傳輸、功率逆變器、遙距感測技術(shù)及D類(lèi)
- 關(guān)鍵字： EPC ASD
臺積電發(fā)力“硅基氮化鎵”元件受托業(yè)務(wù)
- 臺灣臺積電(TSMC)在“ISPSD 2016”上公開(kāi)了受托生產(chǎn)服務(wù)的藍圖及試制元件的特性等。該公司將采用在直徑150mm(6英寸)的硅基板上形成GaN層的“硅基氮化鎵”(GaN on Si)技術(shù)生產(chǎn)GaN晶體管。 臺積電打算開(kāi)展受托生產(chǎn)的GaN晶體管有三種類(lèi)型：(1)常開(kāi)型(Normal On)MISFET、(2)常開(kāi)型HEMT、(3)常關(guān)型(Normal Off)。按耐壓高低來(lái)分有40V、100V和650V產(chǎn)品。 其中，耐壓650V的常關(guān)
- 關(guān)鍵字： 臺積電 GaN
Qorvo 新款GaN 50V 晶體管可大幅提升系統功率性能
- 移動(dòng)應用、基礎設施與航空航天、國防等應用中領(lǐng)先的RF解決方案供應商Qorvo, Inc.今日宣布，推出六款全新50V氮化鎵(GaN)晶體管---QPD1009和QPD1010，以及QPD1008(L)和QPD1015(L)，專(zhuān)門(mén)設計用于優(yōu)化商業(yè)用雷達、通信系統及航空電子應用的功率性能。 Qorvo 國防與航空航天產(chǎn)品總經(jīng)理Roger Hall表示：“全新50V GaN晶體管系列通過(guò)提供更高功率增益和功率附加效率來(lái)提升系統性能。Qorvo可以更好地實(shí)現相位陣列雷達等先進(jìn)設備的要求，提供
- 關(guān)鍵字： Qorvo GaN
基于GaN FET的CCM圖騰柱無(wú)橋PFC
- 氮化鎵 (GaN) 技術(shù)由于其出色的開(kāi)關(guān)特性和不斷提升的品質(zhì)，近期逐漸得到了電力轉換應用的青睞。具有低寄生電容和零反向恢復的安全GaN可實(shí)現更高的開(kāi)關(guān)頻率和效率，從而為全新應用和拓撲選項打開(kāi)了大門(mén)。連續傳導模式 (CCM)圖騰柱PFC就是一個(gè)得益于GaN優(yōu)點(diǎn)的拓撲。與通常使用的雙升壓無(wú)橋PFC拓撲相比，CCM圖騰柱無(wú)橋PFC能夠使半導體開(kāi)關(guān)和升壓電感器的數量減半，同時(shí)又能將峰值效率推升到95%以上。本文分析了AC交叉區域內出現電流尖峰的根本原因，并給出了相應的解決方案。一個(gè)750W圖騰柱PFC原型機被
- 關(guān)鍵字： GaN PFC
TI的600V GaN FET功率級革命性地提升高性能電力轉換效能
- 基于數十年的電源管理創(chuàng )新經(jīng)驗，德州儀器(TI)近日宣布推出一款600V氮化鎵(GaN)70 mù場(chǎng)效應晶體管(FET)功率級工程樣片，從而使TI成為首家，也是唯一一家能夠向公眾提供集成有高壓驅動(dòng)器的GaN解決方案的半導體廠(chǎng)商。與基于硅材料FET的解決方案相比，這款全新的12A LMG3410功率級與TI的模擬與數字電力轉換控制器組合在一起，能使設計人員創(chuàng )造出尺寸更小、效率更高并且性能更佳的設計。而這些優(yōu)勢在隔離式高壓工業(yè)、電信、企業(yè)計算和可再生能源應用中都特別重要。如需了解更多信息
- 關(guān)鍵字： TI GaN
安森美半導體推進(jìn)更快、更智能和更高能效的GaN晶體管
- 氮化鎵(GaN)是一種新興的半導體工藝技術(shù)，提供超越硅的多種優(yōu)勢，被稱(chēng)為第三代半導體材料，用于電源系統的設計如功率因數校正(PFC)、軟開(kāi)關(guān)DC-DC、各種終端應用如電源適配器、光伏逆變器或太陽(yáng)能逆變器、服務(wù)器及通信電源等，可實(shí)現硅器件難以達到的更高電源轉換效率和更高的功率密度水平，為開(kāi)關(guān)電源和其它在能效及功率密度至關(guān)重要的應用帶來(lái)性能飛躍?！ aN的優(yōu)勢 從表1可見(jiàn)，GaN具備出色的擊穿能力、更高的電子密度及速度，和更高的工作溫度。GaN提供高電子遷移率，這意味著(zhù)開(kāi)關(guān)過(guò)程的反向恢復時(shí)間可忽略不計
- 關(guān)鍵字： 安森美 GaN
基于EPC的eGaN FET、采用高頻同步自舉拓撲結構，工作頻率可高達15 MHz的半橋式開(kāi)發(fā)板
- EPC公司的全新開(kāi)發(fā)板可以被配置為一個(gè)降壓轉換器或ZVS?D類(lèi)放大器，展示出基于eGaN?FET、采用同步自舉電路的柵極驅動(dòng)器在高頻工作時(shí)可以減少損耗?！ ∫似针娫崔D換公司(EPC)推出EPC9066、EPC9067及EPC9068開(kāi)發(fā)板，可以被配置為一個(gè)降壓轉換器或ZVS?D類(lèi)放大器。這些開(kāi)發(fā)板專(zhuān)為功率系統設計師而設，對氮化鎵晶體管的優(yōu)越性能進(jìn)行評估方面提供了簡(jiǎn)易方法，使得設計師的產(chǎn)品可以快速量產(chǎn)。三塊開(kāi)發(fā)板都配備了具有零QRR、同步自舉整流器的柵極驅動(dòng)器，從而在高達1
- 關(guān)鍵字： EPC EPC9066
宜普電源轉換公司（EPC）的可靠性測試報告記錄了超過(guò)170億小時(shí)測試器件的可靠性的現場(chǎng)數據，結果表明器件的失效率很低
- EPC公司的第七階段可靠性報告表明eGaN?FET非?？煽?，為工程師提供可信賴(lài)及可 替代采用傳統硅基器件的解決方案?！ ∫似针娫崔D換公司發(fā)布第七階段可靠性測試報告，展示出在累計超過(guò)170億器件-小時(shí)的測試后的現場(chǎng)數據的分布結果，以及提供在累計超過(guò)700萬(wàn)器件-小時(shí)的應力測試后的詳盡數據。各種應力測試包括間歇工作壽命[(IOL)[、早期壽命失效率[(ELFR)、高濕偏置、溫度循環(huán)及靜電放電等測試。報告提供受測產(chǎn)品的復合0.24 FIT失效率的現場(chǎng)數據。這個(gè)數值與我們直至目前為止所取得
- 關(guān)鍵字： 宜普電源 FET
英國專(zhuān)家用半極性GaN生長(cháng)高效益LED
- 英國雪菲爾大學(xué)(SheffieldUniversity)的一支研究團隊最近在《應用物理學(xué)快報》(AppliedPhysicsLetter)期刊上發(fā)布在半極性氮化鎵(GaN)或藍寶石基材上生長(cháng)LED的最新成果。 利用在M-Plane藍寶石基板上生長(cháng)的GaN制造的微柱陣列模板，研究人員能在其上過(guò)度生長(cháng)的半極性GaN(11-22)上生長(cháng)出具有更高量子效益的LED。 相較于在C-Plane藍寶石基板上生長(cháng)的商用LED，該研究團隊在半極性材料上所生長(cháng)的綠光LED顯示發(fā)光波長(cháng)的藍位移隨著(zhù)驅動(dòng)電流增加而
- 關(guān)鍵字： GaN LED
英國專(zhuān)家用半極性GaN生長(cháng)高效益LED
- 英國雪菲爾大學(xué)(Sheffield University)的一支研究團隊最近在《應用物理學(xué)快報》(Applied Physics Letter)期刊上發(fā)布在半極性氮化鎵(GaN)或藍寶石基材上生長(cháng)LED的最新成果?！ ±迷贛-Plane藍寶石基板上生長(cháng)的GaN制造的微柱陣列模板，研究人員能在其上過(guò)度生長(cháng)的半極性GaN(11-22)上生長(cháng)出具有更高量子效益的LED?！ ∠噍^于在C-Plane藍寶石基板上生長(cháng)的商用LED，該研究團隊在半極性材料上所生長(cháng)的綠光LED顯示發(fā)光波
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歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對epc gan fet的理解，并與今后在此搜索epc gan fet的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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