基于DDR NAND閃存的高性能嵌入式接口設計

摘要：介紹了一種最新DDR NAND閃存技術(shù)，它突破了傳統NAND Flash 50 MHz的讀寫(xiě)頻率限制，提供更好的讀寫(xiě)速度，以適應高清播放和高清監控等高存儲要求的應用。分析該新型閃存軟硬件接口的設計方法。
關(guān)鍵詞：DDR NAND；NAND Flash；1080P；嵌入式接口

隨著(zhù)Android手持多媒體電子消費產(chǎn)品的風(fēng)行，高畫(huà)質(zhì)監控系統的普及，1080P全高清支持已成為各種多媒體設備未來(lái)占領(lǐng)市場(chǎng)的必備武器，目前許多產(chǎn)品對1080P實(shí)時(shí)解碼已突破并實(shí)現，但在1080P實(shí)時(shí)編碼方面還是寥寥無(wú)幾，其中一個(gè)重要因素是帶寬太大，當今流行的嵌入式存儲設備N(xiāo)AND Flash已以達到要求。在此情況下，存儲器生產(chǎn)商開(kāi)發(fā)出新一代閃存設備DDR NAND。

1 DDR NAND閃存的特性
與傳統的48腳NAND Flash引腳定義不同，DDRNAND閃存不再分別劃分讀時(shí)鐘(RE#)和寫(xiě)時(shí)鐘(WE#)，而是將讀寫(xiě)合為1個(gè)時(shí)鐘，即CLK，而用W／R引腳的高低來(lái)區分這次是讀操作還是寫(xiě)操作，如圖1所示。數據I／O接口也改為正負雙沿采集的DQ數據線(xiàn)。如圖1中DDR NAND閃存部分所示，各引腳功能說(shuō)明如下：
CE1#～CE4#：片選信號，低為使能。一個(gè)48腳的物理NAND Flash片子最多能同時(shí)包含(封裝)4個(gè)NAND Flash。
CLE：命令鎖存使能信號，高為使能。
ALE：地址鎖存使能信號，高為使能
CLK：時(shí)鐘信號。
W／R#：區分讀寫(xiě)操作信號，高為寫(xiě)，低為讀。
DQ0～DQ7：數據／地址／命令復用數據線(xiàn)。
R／B1#～R／B4#：NAND狀態(tài)信號線(xiàn)。
VCC，VCCQ：接電源。
VSS，VSSQ：接地。
R：無(wú)定義。