NAND Flash再刮大風(fēng)　30納米世代競賽起跑

　　全球NAND Flash需求仍相當疲弱，盡管東芝(Toshiba)宣布增產(chǎn)重創(chuàng )市場(chǎng)信心，然存儲器業(yè)者透露，由于東芝43納米制程NAND Flash芯片日前打入蘋(píng)果(Apple)iPhone供應鏈，推測其增產(chǎn)系為蘋(píng)果供貨做準備，近期更需關(guān)注的是，三星電子(Samsung Electronics)除采用既有42納米制程應戰，亦開(kāi)始準備最新版35納米制程NAND Flash芯片，且已陸續送樣給控制芯片廠(chǎng)，這不僅將對東芝和英特爾(Intel)、美光(Micron)聯(lián)盟造成壓力，亦將影響NAND Flash市場(chǎng)。

　　存儲器業(yè)者表示，東芝決定增產(chǎn)，加上傳出三星亦跟進(jìn)，成為壓垮NAND Flash市場(chǎng)最后一根稻草，業(yè)者預估東芝7月將全產(chǎn)能開(kāi)出，恐對供給面不利，然東芝43納米產(chǎn)品日前正式打入蘋(píng)果iPhone供應鏈，增產(chǎn)部分可能是蘋(píng)果專(zhuān)用，因此，并不用太擔心會(huì )沖擊市場(chǎng)。

　　值得注意的是，目前三星和東芝各以42及43納米制程生產(chǎn)NAND Flash芯片，然三星已開(kāi)始布局35納米制程，且已送樣給多家控制芯片廠(chǎng)，希望能配合加快腳步，一旦三星35納米制程芯片量產(chǎn)，NAND Flash市場(chǎng)將進(jìn)入30納米世代。

　　控制芯片業(yè)者指出，盡管目前英特爾及美光陣營(yíng)34納米制程跑在前面，但因產(chǎn)能不多，對市場(chǎng)影響有限，若三星35納米制程順利起跑，將防止英特爾和美光陣營(yíng)坐大機會(huì )。不過(guò)，三星仍應注意東芝積極開(kāi)發(fā)3-bit-per-cell技術(shù)，由于三星在此方面進(jìn)度始終不如東芝，恐怕市占率會(huì )再被東芝侵蝕。模塊廠(chǎng)認為，3-bit-per-cell芯片因穩定度問(wèn)題，或許不能用在固態(tài)硬碟(SSD)，但絕對可用在隨身碟，在成本考量下，3-bit-per-cell技術(shù)殺傷力不小。

　　存儲器業(yè)者表示，三星35納米制程量產(chǎn)后，預計伴隨成本結構下降，NAND Flash價(jià)格恐將再有一波修正，主流規格將由目前16Gb向上推升到32Gb，若應用端僅限于隨身碟或快閃記憶卡，恐無(wú)法消化這么高容量，可能導致價(jià)格下跌，但此亦有助于固態(tài)硬碟拉近與硬碟成本，擴大市場(chǎng)需求。對臺系模塊廠(chǎng)而言，亦樂(lè )見(jiàn)NAND Flash廠(chǎng)制程持續微縮，進(jìn)一步帶動(dòng)SSD產(chǎn)業(yè)成長(cháng)。