臺美日DRAM廠(chǎng)連手 抗韓策略發(fā)酵

　　兩大韓系內存廠(chǎng)三星電子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix)紛傳出將大幅調高2010年資本支出，繼三星預計投入30億美元擴產(chǎn)及制程微縮后，海力士2010年資本支出亦將倍增至20億美元，使得爾必達(Elpida)和美光(Micron)加緊腳步與臺系DRAM廠(chǎng)合作，盡管過(guò)去喊出的臺美日廠(chǎng)連手抗韓策略，在DRAM整合戲碼停擺后沒(méi)再被提起，但DRAM廠(chǎng)指出，實(shí)際上全球4大DRAM陣營(yíng)板塊運動(dòng)，仍按照臺美日廠(chǎng)連手抗韓局勢發(fā)展。

　　隨著(zhù)三星和海力士都擴增2010年資本支出，隱約釋出對2010年DRAM和NAND Flash產(chǎn)業(yè)樂(lè )觀(guān)看法，以2010年三星30億美元資本支出為例，雖然還未回到2007、2008年逾40億美元資本支出水平，但已較2009年大幅成長(cháng);目前三星單月12吋晶圓DRAM芯片產(chǎn)出超過(guò)30萬(wàn)片。

　　海力士2010年資本支出約20億美元，與2009年相比成長(cháng)超過(guò)1倍，其中，13億美元花在DRAM芯片，7億美元花在NAND Flash芯片。海力士2009年與臺廠(chǎng)茂德緣分告終，但并未影響DRAM擴產(chǎn)進(jìn)度，目前海力士單月12吋晶圓DRAM芯片產(chǎn)出超過(guò)20萬(wàn)片，2010年將致力往40納米制程發(fā)展。

　　2008年底DRAM產(chǎn)業(yè)整合定調為臺美日廠(chǎng)聯(lián)盟，連手對抗韓廠(chǎng)，在這樣氛圍下使得海力士退出臺DRAM產(chǎn)業(yè)，茂德轉向與日系陣營(yíng)合作，臺DRAM產(chǎn)業(yè)整合雖破局，但臺美、臺日陣營(yíng)聯(lián)盟抗韓效應，卻仍發(fā)酵中。

　　內存業(yè)者認為，面對韓系大軍調高資本支出，爾必達2009年資本支出為5億美元，2010年暫訂6億美元，表面上增加支出金額相當小，但實(shí)際上大部分支出都轉嫁至臺廠(chǎng)，包括力晶、瑞晶、茂德、華邦電等，尤其是子公司瑞晶2010年資本支出高達4億美元，會(huì )是臺日聯(lián)盟主要基地。

　　在臺美陣營(yíng)方面，美光雖然沒(méi)有獲得臺灣當局金援，但自身募資成功，加上合作伙伴南亞科和子公司華亞科2009年連番募資成功，2010年大量轉進(jìn)50奈米制程，亦將成功穩固臺美陣營(yíng)實(shí)力。

　　整體來(lái)看，原本全球DRAM產(chǎn)業(yè)有5大陣營(yíng)，2009年奇夢(mèng)達(Qimonda)遭洗牌出局后，海力士亦被洗出臺灣市場(chǎng)，未來(lái)全球4大陣營(yíng)也1分為2，由臺美日廠(chǎng)對抗韓廠(chǎng)，其中，日廠(chǎng)爾必達和美系美光在全球DRAM產(chǎn)業(yè)三哥寶座競爭激烈，臺廠(chǎng)產(chǎn)能將牽動(dòng)未來(lái)全球DRAM市占版圖。