美光新加坡廠(chǎng)明年投產(chǎn)

　　美系存儲器大廠(chǎng)美光(Micron)2010年全球NAND Flash市占率大躍進(jìn)，已擠下海力士(Hynix)坐穩全球三哥寶座，在擴產(chǎn)速度上，美光在2011年也不會(huì )缺席，與英特爾(Intel)合資的新加坡廠(chǎng)也將在2011年第2季開(kāi)始投產(chǎn)，對于三星電子(Samsung Electronics)和東芝(Toshiba)2011年也有擴產(chǎn)計畫(huà)，美光表示不擔心供過(guò)于求，在產(chǎn)能增加的同時(shí)，平板計算機等應用也大幅崛起，預計2011年NAND Flash市場(chǎng)供需可維持健康的狀態(tài)。

　　美光近來(lái)年陸續在34奈米和25奈米技術(shù)世代上，都接連領(lǐng)先三星和東芝，在全球NAND Flash技術(shù)地位上大幅提升，加上與英特爾合資建廠(chǎng)，也使得全球NAND Flash市占率增加，2010年第3季達10%。

　　展望2011年NAND Flash市場(chǎng)概況，三星和東芝都有擴產(chǎn)的計畫(huà)，三星興建的Line-16新廠(chǎng)房預計將以NAND Flash產(chǎn)品為主，東芝與快閃記憶卡龍頭大廠(chǎng)新帝(SanDisk)合資興建的Fab 5，也預計在2011年投產(chǎn)。

　　面對三星和東芝對于擴產(chǎn)NAND Flash產(chǎn)能來(lái)勢洶洶，美光在新加坡的新廠(chǎng)也將于2011年加入投產(chǎn)，預計此廠(chǎng)房的產(chǎn)能規模約10萬(wàn)片，預計2011年底前先完成50%機器設備裝置。

　　面對2011年NAND Flash產(chǎn)能大幅增加，美光表示，其實(shí)在終端應用上，也同步在往上，包括平板計算機、固態(tài)硬碟(SSD)、智能型手機等對于NAND Flash需求量都大增，預期2011年的NAND Flash市場(chǎng)供需將是健康穩定成長(cháng)。

　　再者，美光除了制程技術(shù)持續領(lǐng)先外，美光在產(chǎn)品技術(shù)上，也一直緊抓市場(chǎng)脈動(dòng)包括eMMC解決方案之外，也領(lǐng)先推出ClearNAND產(chǎn)品，將ECC除錯機制(Error Correcting Code)功能包裹在芯片之內，預計未來(lái)可搶占平板計算機商機。

　　面對NAND Flash技術(shù)在25奈米以下離瓶頸期越來(lái)越近，美光也持續開(kāi)發(fā)下世代快閃存儲器技術(shù)，在購并恒憶(Numonyx)之后，也獲得相變化存儲器(Phase-Change Memory;PCM)技術(shù)和專(zhuān)利，美光看好PCM可以取代NAND Flash和DRAM技術(shù)，這會(huì )是美光未來(lái)布局的重點(diǎn)之一。

　　再者，美光指出，新存儲器技術(shù)包括Cross Point Memory和3D技術(shù)等，也都是未來(lái)布局的一環(huán)。