三星與海力士提升NAND Flash芯片產(chǎn)量
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據了解，由于智能型手機(Smartphone)和平板計算機(Tablet PC)需求暴增，三星電子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix) 2011年雙雙提升NAND Flash芯片產(chǎn)量。
本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/119331.htm據韓國電子新聞報導，三星和海力士2011年NAND Flash位元成長(cháng)率(Bit Growth)各評估為80%以上及100%以上。三星和海力士2011年DRAM位元成長(cháng)率各為60%以上及40%中段，因而相對增加快閃存儲器出貨量比重。
三星將會(huì )先在京畿道華城的存儲器芯片新工廠(chǎng)16產(chǎn)在線(xiàn)生產(chǎn)NAND Flash。該廠(chǎng)將于2011年下半首次投入量產(chǎn)。
海力士2011年投資額為3.4兆韓元，大部分將使用在位于忠清北道清州M11 NAND Flash廠(chǎng)。海力士4月28日法說(shuō)會(huì )中表示，M11工廠(chǎng)2011年第1季末每月產(chǎn)量10萬(wàn)片，NAND Flash產(chǎn)量較當初計劃的成長(cháng)速度還快。
海力士原先計劃年底前將M11廠(chǎng)的產(chǎn)量提升至每月10萬(wàn)片，海力士在第1季即已達到年度目標。海力士2011年下半將根據市場(chǎng)情況，將M11工廠(chǎng)最大產(chǎn)量提升至每月12萬(wàn)片。
韓國業(yè)界表示，主要需求NAND Flash的智能型手機和平板計算機市場(chǎng)2011年大展鴻圖，以NAND Flash為基礎的計算機儲存裝置固態(tài)硬盤(pán)(SSD)市場(chǎng)也將于2011年展開(kāi)，目前市場(chǎng)環(huán)境已逐漸成形，即使NAND Flash產(chǎn)量增加，市場(chǎng)也能吸收。
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