三星Q3穩居全球NAND市占王，東芝開(kāi)倒車(chē)、被遠遠甩開(kāi)

　　2016年第三季NAND Flash開(kāi)始漲價(jià)，使得NAND Flash原廠(chǎng)營(yíng)收季成長(cháng)19.6%，營(yíng)業(yè)利益率也較上季大幅進(jìn)步。

　　TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange最新調查顯示，受惠于智慧型手機需求強勁，及供給端2D-NAND 轉進(jìn)3D-NAND 所導致的整體產(chǎn)出減少，2016年第三季NAND Flash開(kāi)始漲價(jià)，使得NAND Flash原廠(chǎng)營(yíng)收季成長(cháng)19.6%，營(yíng)業(yè)利益率也較上季大幅進(jìn)步。

　　DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得表示，第四季各項終端設備出貨進(jìn)入今年最高峰，預估整體NAND Flash供不應求的市況將更為顯著(zhù)，各項NAND Flash產(chǎn)品的合約價(jià)漲幅將更高，廠(chǎng)商的營(yíng)收與營(yíng)業(yè)利益率也可望再創(chuàng )今年新高。

　　以各家廠(chǎng)商表現來(lái)看，由于第三季中國智慧型手機品牌對于高容量eMMC/UFS的需求強勁，讓三星(Samsung)成為最大贏(yíng)家。三星在高容量的eMMC/UFS與eMCP市占率領(lǐng)先同業(yè)，企業(yè)級固態(tài)硬碟(SSD)產(chǎn)品更藉出色的性?xún)r(jià)比出貨強勁。第三季三星NAND Flash位元出貨量季成長(cháng)約20%，營(yíng)收季成長(cháng)約20%。

　　展望2016年第四季，DRAMeXchange認為智慧型手機的需求將帶動(dòng)高容量eMMC/UFS與eMCP的需求攀升至年度高點(diǎn)，再加上三星在用戶(hù)級、企業(yè)級SSD的市占率增加，預估第四季三星的營(yíng)運表現將較第三季更出色。

　　同樣受惠中國智慧型手機的eMMC/eMCP需求，及其他品牌新機上市的備貨需求帶動(dòng)，使得第三季SK海力士(Hynix) NAND Flash位元出貨量季增12%，平均銷(xiāo)售單價(jià)更季成長(cháng)7%，營(yíng)收亦大幅季增20.3%，至10.61億美元。

　　SK海力士3D-NAND Flash的產(chǎn)能在今年底前將達每月2~3萬(wàn)片，第三代3D-NAND Flash明年第一季可開(kāi)始放量出貨，第四代的3D-NAND Flash有機會(huì )在明年下半開(kāi)始少量生產(chǎn)。

　　同樣受惠于整體NAND Flash市況好轉，東芝電子(Toshiba)在其會(huì )計年度2016年第二季(7~9月)位元出貨量季增15%，平均銷(xiāo)售單價(jià)跌幅減緩，整體營(yíng)收季增約17%，營(yíng)業(yè)利益率也呈現季成長(cháng)，營(yíng)運表現漸入佳境。

　　產(chǎn)能規劃部分，東芝電子現有第二半導體廠(chǎng)已全力生產(chǎn)3D-NAND Flash，第四季產(chǎn)能達每月4萬(wàn)片，待2017年64層堆疊的3D-NAND Flash順利量產(chǎn)后，產(chǎn)能提升速度將更快，而其第六半導體廠(chǎng)房新建計畫(huà)，將從明年二月開(kāi)始動(dòng)工。

　　從威騰電子(WD)的2017會(huì )計年度第一季相關(guān)NAND Flash的表現來(lái)看，其64層堆疊的3D-NAND Flash是投資焦點(diǎn)。目前64層堆疊的3D-NAND Flash產(chǎn)品正處OEM客戶(hù)測試階段，預計今年12月起率先使用在卡片及隨身碟等產(chǎn)品上，而其48層堆疊的產(chǎn)品已在eMMC/eMCP等行動(dòng)式NAND及外插式產(chǎn)品線(xiàn)上量產(chǎn)。

　　現階段15奈米 2D-NAND Flash仍為威騰電子主流制程，良率及成本效益都已達最佳化，因此對利潤提升有很大幫助，2017年威騰電子的NAND Flash位元產(chǎn)出成長(cháng)率預期將達45%。

　　美光(Micron) 2016會(huì )計年度第四季(6~8月)位元出貨量季成長(cháng)13%，平均銷(xiāo)售單價(jià)下滑1%，非揮發(fā)性記憶體(Non-Volatile)營(yíng)收季成長(cháng)約10%，至10億美元，在產(chǎn)品營(yíng)收比重上，Component base略微下降至50%、行動(dòng)式NAND產(chǎn)品微幅上升至18%、SSD則占13%，車(chē)用及其他類(lèi)別占約19%。

　　美光3D-NAND Flash架構的行動(dòng)式NAND在客戶(hù)端得到不錯評價(jià)外，用戶(hù)級SSD也已開(kāi)始量產(chǎn)出貨，而企業(yè)級SSD位元出貨量更大幅季成長(cháng)逾45%。此外，等到美光3D-NAND Flash (TLC)版本成為主流后，將可改善美光SSD的成本架構。

　　第三季英特爾(Intel) NAND Flash位元出貨量大幅季增25%以上，營(yíng)收也季成長(cháng)17%，至6.49億美元，結束連續三季的衰退。從產(chǎn)品規劃來(lái)看，雖然英特爾16奈米與20奈米依舊為產(chǎn)品組合大宗，但自第三季起其3D-NAND Flash的企業(yè)級固態(tài)硬碟已順利出貨放量，性?xún)r(jià)比已較上個(gè)世代產(chǎn)品更具競爭力。在產(chǎn)能規劃上，英特爾大連廠(chǎng)第四季產(chǎn)能約為每月1萬(wàn)片，至明年開(kāi)始將逐季提升。