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7nm
7nm 文章 進(jìn)入7nm技術(shù)社區
迎7nm制程戰 臺積電擴編研發(fā)大軍
- 臺積電深耕臺灣，透過(guò)增加研發(fā)支出與持續征才、擴大研發(fā)團隊編制等方式多管齊下，今年研發(fā)支出與研發(fā)大軍總數都將創(chuàng )新高，目標明年在7奈米關(guān)鍵戰役中勝出，為奪下全球半導體霸主的目標全力沖刺。 臺積電本周四(14日)將舉行法說(shuō)會(huì )，臺積電表示，相關(guān)人才招募行動(dòng)已趁近期畢業(yè)生投入職場(chǎng)，積極進(jìn)行中;董事長(cháng)張忠謀也將于法說(shuō)會(huì )中，針對研發(fā)支出及先進(jìn)制程挑戰目標，提出更詳細說(shuō)明。 臺積電研發(fā)支出占年度營(yíng)收約8%，以去年營(yíng)收8，434.97億元，公司釋出今年挑戰年增5%至10%的目標估算，今年營(yíng)收將突破9，000
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元件設計/新材料整合難度大增 半導體決戰關(guān)鍵7nm
- 7奈米制程節點(diǎn)將是半導體廠(chǎng)推進(jìn)摩爾定律(Moore’s Law)的下一重要關(guān)卡。半導體進(jìn)入7奈米節點(diǎn)后，前段與后段制程皆將面臨更嚴峻的挑戰，半導體廠(chǎng)已加緊研發(fā)新的元件設計架構，以及金屬導線(xiàn)等材料，期兼顧尺寸、功耗及運算效能表現。 臺 積電預告2017年第二季10奈米晶片將會(huì )量產(chǎn)，7奈米制程的量產(chǎn)時(shí)間點(diǎn)則將落在2018年上半。反觀(guān)英特爾(Intel)，其10奈米制程量產(chǎn)時(shí)間確定 將延后到2017下半年。但英特爾高層強調，7奈米制程才是決勝關(guān)鍵，因為7奈米的制程技術(shù)與材料將會(huì )有重大改變。
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三星：7nm工藝代工業(yè)務(wù)將采用EUV
- 三星電子在6月7日該公司與美國新思科技(Synopsys)聯(lián)合舉辦的會(huì )議上公開(kāi)了該公司代工業(yè)務(wù)的工藝路線(xiàn)圖。此次會(huì )議與第53屆設計自動(dòng)化大會(huì )(53rdDesignAutomationConference，DAC2016，2016年6月5日～10日舉行)同在美國奧斯汀舉行。 會(huì )議的主題是“ReadytoDesignat10nm!SynopsysandSamsungFoundry10nmEnablementforTapeoutSuccess”。來(lái)自三星的演講嘉賓是Foundr
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7nm成下代技術(shù)熱點(diǎn) 三星、臺積電競爭日益激烈
- 三星電子(Samsung Electronics)與臺積電在新一代晶圓代工戰局進(jìn)入白熱化，雙方紛將10納米制程量產(chǎn)目標訂在2016年底，近期三星更進(jìn)一步擴大投資，向荷蘭微影設備大廠(chǎng)ASML訂購極紫外光微影制程(EUV)掃描機，提前搶灘7納米制程，最快2017年底可用于量產(chǎn)晶圓，業(yè)界紛關(guān)注臺積電后續可能采取的反擊策略，恐將牽動(dòng)雙方未來(lái)在晶圓代工版圖變化。 業(yè)界認為EUV設備是突破微影制程界限的重要王牌，目前還沒(méi)有半導體業(yè)者真正將EUV設備導入量產(chǎn)，因為龐大的設備投資讓晶圓代工業(yè)者退卻，亦無(wú)法得知使
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臺積電形勢大好 16nm產(chǎn)能滿(mǎn)載且7nm將獲驗證
- 根據亞系外資所出具的報告預期，在掌握新一代處理器的生產(chǎn)訂單，并且在非蘋(píng)訂單的強勁成長(cháng)需求下，晶圓代工廠(chǎng)臺積電16納米產(chǎn)能直至9月都將滿(mǎn)載。而且，未來(lái)臺積電的7納米將獲驗證，有機會(huì )成為第一家推出相關(guān)產(chǎn)品的廠(chǎng)商下，看好未來(lái)2016年第3季的臺積電營(yíng)收動(dòng)能。 亞系外資在新出爐的報告中表示，目前市場(chǎng)過(guò)度關(guān)注上半年蘋(píng)果整體iPhone智能手機需求疲軟所產(chǎn)生的負面效應。然而在臺積電掌握新一代蘋(píng)果處理器的情況下，加上非蘋(píng)陣營(yíng)包括繪圖、移動(dòng)及虛擬現實(shí)等應用需求的訂單強勁成長(cháng)，2016年合計將可能占用臺積電16納
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臺積電將在7nm制程拉開(kāi)與三星、英特爾差距 稱(chēng)霸半導體
- 臺積電法說(shuō)會(huì )本周四(14日)登場(chǎng)，揭開(kāi)半導體族群法說(shuō)會(huì )序幕。半導體設備廠(chǎng)透露，臺積電在16納米拉開(kāi)與三星差距，10納米超車(chē)英特爾之后，預料本次法說(shuō)會(huì )，將宣告加速7納米制程腳步，向全球展現其半導體先進(jìn)制程領(lǐng)先群倫的氣勢。 相較英特爾宣布2020年才產(chǎn)出7納米制程產(chǎn)品，凸顯臺積電將在于今年下半年以10納米制程試產(chǎn)聯(lián)發(fā)科等相關(guān)產(chǎn)品之后，未來(lái)在7納米一舉拉開(kāi)與兩只700磅大猩猩(指三星與英特爾)差距，稱(chēng)霸全球半導體產(chǎn)業(yè)。 臺積電近期已指示相關(guān)設備廠(chǎng)，加速7納米生產(chǎn)線(xiàn)建置。從臺積電罕見(jiàn)在3月初于美西
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Mentor增強7nm制程初期設計開(kāi)發(fā)
- MentorGraphics藉由完成臺積電(TSMC)10奈米FinFETV1.0認證，進(jìn)一步增強和優(yōu)化Calibre平臺和AnalogFastSPICE(AFS)平臺。除此之外，Calibre和AnalogFastSPICE平臺已可應用在基于TSMC7奈米FinFET制程最新設計規則手冊(DRM)和SPICE模型的初期設計開(kāi)發(fā)和IP設計。 為協(xié)助共同客戶(hù)能準備好使用先進(jìn)制程做設計，Mentor為T(mén)SMC10奈米制程改進(jìn)物理驗證工具，加速CalibrenmDRCsign-off工具的執行時(shí)間，使
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7nm制程將成臺積電力壓英特爾主戰場(chǎng)
- 安謀(ARM)與臺積電共同宣布一項為期多年的協(xié)議，針對7納米FinFET制程技術(shù)進(jìn)行合作，包括支援未來(lái)低功耗、高效能運算系統單晶片(SoC)的設計解決方案。 這項協(xié)議延續先前采用ARM Artisan 基礎實(shí)體IP之16納米與10納米FinFET的合作。 事實(shí)上，以臺積電目前先進(jìn)制程之生產(chǎn)時(shí)程來(lái)看，屬于同一世代的10納米、7納米進(jìn)度已經(jīng)追上，甚至超越競爭對手英特爾(Intel)。 臺積電先進(jìn)制程10納米、7納米、5納米等部分，所有制程皆on schedule10納米制程2016第1季完成產(chǎn)
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臺積電為何想要在2018年量產(chǎn)7nm工藝？
- 在14/16nm工藝上落后于三星著(zhù)實(shí)讓臺積電吃了悶虧，雖然三星的14nm工藝并沒(méi)有臺積電的16nmFF+工藝強悍，但半年的時(shí)間領(lǐng)先已經(jīng)足夠讓三星去游說(shuō)很多客戶(hù)了。好在蘋(píng)果的A9芯片沒(méi)有給臺積電丟臉，從各種續航測試來(lái)看的確將三星甩在身后。過(guò)去半年一直被壓著(zhù)打的臺積電總算是翻身吐氣了，為了不重蹈覆轍，臺積電似乎要加速推送7nm工藝量產(chǎn)。 10nm還沒(méi)出來(lái)就要推動(dòng)7nm了？實(shí)際上臺積電準備在2017年量產(chǎn)10nm工藝，然后在2018年下半年量產(chǎn)7nm。目前的進(jìn)度來(lái)看，臺積電已經(jīng)完成了10nm工藝的
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英特爾：7nm芯片仍適用摩爾定律
- 據PCWorld網(wǎng)站報道稱(chēng)，制造處理器、圖形芯片和其他芯片的傳統方法最終將“失去動(dòng)力”。據本周在ISSCC(國際固態(tài)電路會(huì )議)上發(fā)言的英特爾研究人員稱(chēng)，未來(lái)數年芯片產(chǎn)業(yè)仍然有上升空間。 英特爾高級研究員馬克·玻爾(Mark Bohr)將于周一晚上在一次研討會(huì )上討論把制造工藝由當前的14納米提高到10納米或更先進(jìn)工藝所面臨的挑戰。 PCWorld指出，玻爾在與記者舉行的電話(huà)會(huì )議上表示，英特爾認為，當前半導體技術(shù)的發(fā)展速度能維持到10納米(預計2016年)
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7nm介紹
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