臺積電：7nm工藝已簽下20多個(gè)合同

　　臺積電(TSMC)在美國奧斯汀舉行的“Collaborating to Enable Design with the Latest Processors and FinFET Processes, including 7nm”(由美國新思科技、英國ARM和臺積電于6月6日聯(lián)合舉辦)上，介紹了采用10nm FinFET及7nm FinFET工藝的設計和生產(chǎn)進(jìn)展情況。演講人跟上年一樣。

　　(設計暨技術(shù)平臺副處長(cháng))

　　初次使用三重曝光的10nm工藝，第一款芯片已于2016年第一季度送廠(chǎng)生產(chǎn)(設計完成)。預計10nm工藝的量產(chǎn)將于2016年內開(kāi)始。ARM于上周(5月30日)發(fā)布了利用10nm工藝制造的瞄準智能手機SoC的CPU內核“ARM Cortex-A73”和GPU內核“ARM Mali-G71”(參閱本站報道2)，當時(shí)宣布：配備集成有這些內核的SoC的智能手機將于2017年上市。

　　可以考慮每層各異的布線(xiàn)電阻及過(guò)孔電阻的設計流程　

　　至于7nm工藝，Willy Chen表示“已簽訂了20多個(gè)合同”。已有用戶(hù)開(kāi)始設計，將于2017年下半年送廠(chǎng)生產(chǎn)。7nm工藝的量產(chǎn)將于2018年開(kāi)始。據Willy Chen介紹，7nm工藝與10nm工藝相比，邏輯集成度將提高60%，性能和耗電量將改善30～40%。另外，Willy Chen表示，希望利用該工藝不僅生產(chǎn)智能手機，還生產(chǎn)HPC(High Performance Computing)的芯片。

　　雖然有人預測7nm工藝將使用四重曝光，不過(guò)現在看來(lái)可能跟10nm工藝一樣采用三重曝光。Willy Chen介紹說(shuō)“10nm和7nm工藝的設計流程基本相同”，不過(guò)，7nm工藝有些地方需要注意，比如要想發(fā)揮高速工藝實(shí)力有三個(gè)要點(diǎn)。即：(1)牢固的時(shí)鐘網(wǎng)布設方法，(2)削減布線(xiàn)延遲，(3)更加整合的設計流程。

　　關(guān)于(1)，既不采用傳統的時(shí)鐘樹(shù)，也不采用最近備受關(guān)注的網(wǎng)格狀結構，而將采用介于兩者之間的方法。關(guān)于(2)布線(xiàn)延遲，根據每個(gè)布線(xiàn)層單獨考慮電阻及考慮過(guò)孔電阻至關(guān)重要。“僅根據布線(xiàn)長(cháng)度來(lái)確定布線(xiàn)延遲已經(jīng)行不通”(Willy Chen)。關(guān)于(3)，則需要可以考慮每層各異的布線(xiàn)電阻及過(guò)孔電阻的設計流程。