英特爾：7nm芯片仍適用摩爾定律

　　據PCWorld網(wǎng)站報道稱(chēng)，制造處理器、圖形芯片和其他芯片的傳統方法最終將“失去動(dòng)力”。據本周在ISSCC(國際固態(tài)電路會(huì )議)上發(fā)言的英特爾研究人員稱(chēng)，未來(lái)數年芯片產(chǎn)業(yè)仍然有上升空間。

　　英特爾高級研究員馬克·玻爾(Mark Bohr)將于周一晚上在一次研討會(huì )上討論把制造工藝由當前的14納米提高到10納米或更先進(jìn)工藝所面臨的挑戰。

　　PCWorld指出，玻爾在與記者舉行的電話(huà)會(huì )議上表示，英特爾認為，當前半導體技術(shù)的發(fā)展速度能維持到10納米(預計2016年)之后。無(wú)需轉向成本高昂、高深的制造技術(shù)——例如紫外線(xiàn)激光，廠(chǎng)商就可以生產(chǎn)出7納米(預計時(shí)間為2018年)芯片。

　　今年是摩爾定律問(wèn)世50周年。摩爾定律是由英特爾創(chuàng )始人戈登·摩爾(Gordon Moore)提出的，即芯片上的晶體管密度每18個(gè)月翻一番。在現實(shí)世界中，芯片每2年左右發(fā)展一代，速度更快，能耗更低。

　　硅芯片生產(chǎn)工藝相當復雜。芯片由光在硅片上“蝕刻”而成，為了改進(jìn)芯片制造工藝，芯片廠(chǎng)商必須不斷縮減光線(xiàn)波長(cháng)。如果芯片廠(chǎng)商做不到這一點(diǎn)——或不能經(jīng)濟地做到這一點(diǎn)，芯片改進(jìn)的進(jìn)程就會(huì )停止。

　　英特爾：14納米“Broadwell”技術(shù)逐步走上正軌

　　英特爾在ISSCC上將宣讀5篇論文，其中3篇與14納米工藝有關(guān)。英特爾還將參與與10納米工藝有關(guān)的研討會(huì )。

　　PCWorld表示，受制造問(wèn)題影響，英特爾被迫把14納米“Broadwell”芯片發(fā)布時(shí)間推遲了數個(gè)月，希望在轉向10納米工藝時(shí)避免“重蹈覆轍”。在被問(wèn)到原因時(shí)玻爾表示，“我認為我們可能低估了需要學(xué)習的東西，像14納米工藝這樣的技術(shù)，需要進(jìn)行更長(cháng)時(shí)間的試驗。這會(huì )導致產(chǎn)品開(kāi)發(fā)速度比預期的要慢，提高成品率需要更長(cháng)的時(shí)間。但現在我們的成品率已經(jīng)相當高。”

　　玻爾表示，英特爾試驗性10納米生產(chǎn)線(xiàn)的速度比14納米生產(chǎn)線(xiàn)快50%，這將使10納米工藝開(kāi)發(fā)工作能按計劃進(jìn)行。

　　對于PC市場(chǎng)來(lái)說(shuō)這是個(gè)好消息。但是，如果芯片產(chǎn)業(yè)能維持制造技術(shù)未來(lái)數年不發(fā)生重大變化，這將是一個(gè)更好的消息。