7nm制程將成臺積電力壓英特爾主戰場(chǎng)

　　安謀(ARM)與臺積電共同宣布一項為期多年的協(xié)議，針對7納米FinFET制程技術(shù)進(jìn)行合作，包括支援未來(lái)低功耗、高效能運算系統單晶片(SoC)的設計解決方案。 這項協(xié)議延續先前采用ARM Artisan 基礎實(shí)體IP之16納米與10納米FinFET的合作。

　　事實(shí)上，以臺積電目前先進(jìn)制程之生產(chǎn)時(shí)程來(lái)看，屬于同一世代的10納米、7納米進(jìn)度已經(jīng)追上，甚至超越競爭對手英特爾(Intel)。

　　臺積電先進(jìn)制程10納米、7納米、5納米等部分，所有制程皆on schedule10納米制程2016第1季完成產(chǎn)品認證，而10納米/7納米應用非常廣泛，如手機、高階networking、Gaming、wearable等，具有快速的傳輸效率及低耗電量，而7納米預計2018年第1季開(kāi)始量產(chǎn)。

　　據了解，英特爾估計在2018年確定10納米量產(chǎn)，7納米估計要到2019年，而三星電子(Samsung Electronics)目前10納米進(jìn)度較不確定，臺積電在10/7納米世代已經(jīng)展現雄心，并且展開(kāi)多方客戶(hù)布局。

　　部分相關(guān)下游業(yè)者表示，未必會(huì )使用10納米產(chǎn)品，如20納米為16納米制程之過(guò)渡期產(chǎn)品，反而7納米才是下一世代鎖定的主力目標，而此次臺積電與ARM的長(cháng)期合約訂立，也確立7納米未來(lái)將成為國際大廠(chǎng)的主戰場(chǎng)。

　　據臺積電于先前公開(kāi)法人說(shuō)明會(huì )之說(shuō)法，7納米制程可在2018年第1季提供，而依照臺積電之計劃，5納米將會(huì )在7納米制程的2年后推出，約在2020年上半可見(jiàn)端倪。