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600v氮化鎵（gan）功率器件
600v氮化鎵（gan）功率器件 文章 進(jìn)入600v氮化鎵（gan）功率器件技術(shù)社區
羅姆、臺積電就車(chē)載氮化鎵 GaN 功率器件達成戰略合作伙伴關(guān)系
- 12 月 12 日消息，日本半導體制造商羅姆 ROHM 當地時(shí)間本月 10 日宣布同臺積電就車(chē)載氮化鎵 GaN 功率器件的開(kāi)發(fā)和量產(chǎn)事宜建立戰略合作伙伴關(guān)系。羅姆此前已于 2023 年采用臺積電的 650V?氮化鎵 HEMT（注：高電子遷移率晶體管）工藝推出了 EcoGaN 系列新產(chǎn)品。羅姆、臺積電雙方將致力于把羅姆的氮化鎵器件開(kāi)發(fā)技術(shù)與臺積電業(yè)界先進(jìn)的 GaN-on-Silicon（硅基氮化鎵）工藝技術(shù)優(yōu)勢結合起來(lái)，滿(mǎn)足市場(chǎng)對高耐壓和高頻特性?xún)?yōu)異的功率器件日益增長(cháng)的需求。臺積電在新聞稿中提到，
- 關(guān)鍵字： 羅姆 臺積電 氮化鎵 功率器件
功率器件熱設計基礎（六）——瞬態(tài)熱測量
- / 前言 /功率半導體熱設計是實(shí)現IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統成本，并保證系統的可靠性。功率器件熱設計基礎系列文章會(huì )比較系統地講解熱設計基礎知識，相關(guān)標準和工程測量方法。確定熱阻抗曲線(xiàn)測量原理——R th /Z th 基礎：IEC 60747-9即GB/T 29332半導體器件分立器件第9部分：絕緣柵雙極晶體管（IGBT）（等同采用）中描述了測量的基本原理。確定熱阻抗的
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 功率器件，瞬態(tài)熱測量
“LiDAR激光雷達”為智慧物流賦能，羅姆“激光器+GaN”帶來(lái)安全精準
- 1? ?LiDAR（3D感測和距離感測）備受矚目在物流行業(yè)，物流需求持續擴大，但同時(shí)也面臨著(zhù)嚴重的勞動(dòng)力短缺問(wèn)題。越來(lái)越多的業(yè)內企業(yè)開(kāi)始考慮引進(jìn)智慧物流系統，利用AGV（無(wú)人搬運車(chē)）和AMR（自主移動(dòng)機器人）等執行工作。然而，也有很多企業(yè)擔心安全性和系統管理等方面的問(wèn)題。實(shí)際上，ISO 對功能安全的要求也很高，能夠確保安全性的智能感測技術(shù)和模塊已經(jīng)逐漸成為不可或缺的存在。在這種背景下，旨在構建更安全、更安心的智慧物流系統，并且能夠更精準地感測更遠的距離、不易受到陽(yáng)光干擾的激光雷達LiD
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Microchip推出廣泛的IGBT 7 功率器件組合，專(zhuān)為可持續發(fā)展、電動(dòng)出行和數據中心應用而優(yōu)化設計
- 為滿(mǎn)足電力電子系統對更高效率、更小尺寸和更高性能的日益增長(cháng)的需求，功率元件正在不斷發(fā)展。為了向系統設計人員提供廣泛的電源解決方案，Microchip Technology（微芯科技公司）今日宣布推出采用不同封裝、支持多種拓撲結構以及電流和電壓范圍的IGBT 7器件組合。這一新產(chǎn)品組合具有更高的功率容量、更低的功率損耗和緊湊的器件尺寸，旨在滿(mǎn)足可持續發(fā)展、電動(dòng)汽車(chē)和數據中心等高增長(cháng)細分市場(chǎng)的需求。高性能IGBT 7器件是太陽(yáng)能逆變器、氫能生態(tài)系統、商用車(chē)和農用車(chē)以及更多電動(dòng)飛機（MEA）中電源應用的關(guān)鍵構件
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中芯國際：部分邏輯電路產(chǎn)能將轉向功率器件
- 大半導體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)消息，日前，中芯國際聯(lián)席CEO趙海軍在業(yè)績(jì)會(huì )上表示，為滿(mǎn)足公司客戶(hù)的需求，公司將加速布局功率器件產(chǎn)能，充分支持汽車(chē)工業(yè)和新能源市場(chǎng)的發(fā)展。中芯國際將會(huì )在此前宣布的邏輯電路產(chǎn)能基礎上，調轉一部分來(lái)做功率器件，不會(huì )因為增加功率器件生產(chǎn)而新增產(chǎn)能規?；蛲顿Y。趙海軍表示，會(huì )把原來(lái)已有的背面處理、鍵合、邏輯電路等已有工藝能力遷移到功率產(chǎn)品中，這也是之后與客戶(hù)合作的方向。
- 關(guān)鍵字： 中芯國際 邏輯電路 功率器件 新能源
Nexperia的AC/DC反激式控制器可實(shí)現更高功率密度的基于GaN的反激式轉換器
- Nexperia今天推出了一系列新的AC/DC反激式控制器，進(jìn)一步壯大其不斷擴展的電源IC產(chǎn)品組合。NEX806/8xx和NEX8180x專(zhuān)為基于GaN的反激式轉換器而設計，用于PD(Power Delivery)快速充電器、適配器、壁式插座、條形插座、工業(yè)電源和輔助電源等設備以及其他需要高功率密度的AC/DC轉換應用。?NEX806xx/NEX808xx是準諧振/多模反激式控制器，可在寬VCC范圍(10-83V)下工作，而NEX81801/NEX81802是自適應同步整流控制器。這些IC可與N
- 關(guān)鍵字： Nexperia AC/DC反激式控制器 GaN 反激式轉換器
如何在設計中輕松搭載GaN器件？答案內詳~~
- 如今，圍繞第三代半導體的研發(fā)和應用日趨火熱。由于具有更大的禁帶寬度、高耐壓、高熱導率、更高的電子飽和速度等特點(diǎn)，第三代半導體材料能夠滿(mǎn)足未來(lái)電子產(chǎn)品在高溫、高功率、高壓、高頻等方面更高的要求，被認為是突破傳統硅（Si）器件性能天花板的必由之路。氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）并稱(chēng)為第三代半導體界的“雙雄”。其中，SiC在高耐壓和大電流應用方面優(yōu)勢突出，近年來(lái)在新能源汽車(chē)、可再生能源等功率電子領(lǐng)域風(fēng)頭無(wú)兩；而GaN則憑借出色的擊穿場(chǎng)強特性和電子飽和速度，提供出色的低導通電阻和高速開(kāi)關(guān)（高頻率工作）性能，在
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德州儀器擴大氮化鎵（GaN）半導體自有制造規模，產(chǎn)能提升至原來(lái)的四倍
- 新聞亮點(diǎn)：●? ?德州儀器增加了GaN制造投入，將兩個(gè)工廠(chǎng)的GaN半導體自有制造產(chǎn)能提升至原來(lái)的四倍?！? ?德州儀器基于GaN的半導體現已投產(chǎn)上市?！? ?憑借德州儀器品類(lèi)齊全的GaN集成功率半導體，能打造出高能效、高功率密度且可靠的終端產(chǎn)品?！? ?德州儀器已成功開(kāi)展在12英寸晶圓上應用GaN制造工藝的試點(diǎn)項目。德州儀器 (TI)近日宣布，公司基于氮化鎵 (GaN) 的功率半導體已在日本會(huì )津工廠(chǎng)開(kāi)始投產(chǎn)。隨著(zhù)會(huì )津工廠(chǎng)投產(chǎn)，
- 關(guān)鍵字： 德州儀器 氮化鎵 GaN
三相集成GaN技術(shù)如何更大限度地提高電機驅動(dòng)器的性能
- 在應對消費類(lèi)電器、樓宇暖通空調(HVAC)系統和工業(yè)驅動(dòng)裝置的能耗挑戰中，業(yè)界積極響應，通過(guò)實(shí)施諸如季節性能效比(SEER)、最低能效標準(MEPS)、Energy Star 和Top Runner等項目推進(jìn)建立系統能效評級體系。變頻驅動(dòng)器(VFD) 可為加熱和冷卻系統提供出色的系統效率，特別是在這些系統具有范圍非常寬的精確速度控制的情況下。VFD使用逆變器控制電機轉速，并進(jìn)行高頻脈寬調制(PWM)開(kāi)關(guān)，可獲得真正的可變速度控制。雖然這些逆變器目前是使用絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)和金屬氧化物半導體場(chǎng)效
- 關(guān)鍵字： 202409 三相集成GaN 電機驅動(dòng)器 GaN
新潔能SiC/GaN功率器件及封測研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目延期
- 8月13日，新潔能發(fā)布公告稱(chēng)，擬將此前募投項目中的“第三代半導體 SiC/GaN 功率器件及封測的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”項目達到預定可使用狀態(tài)日期延期至2025年8月。此次延期是受宏觀(guān)環(huán)境等不可控因素的影響，項目的工程建設、設備采購及人員安排等相關(guān)工作進(jìn)度均受到一定程度的影響，無(wú)法在計劃時(shí)間內完成。據悉，此次延期項目屬新潔能二廠(chǎng)區擴建項目，項目總投資約2.23億元，2022年開(kāi)建，原計劃2024年建設完成。項目建成后，將實(shí)現年產(chǎn) SiC/GaN 功率器件2640萬(wàn)只。新潔能稱(chēng)，本次募投項目延期僅涉及項目進(jìn)度的
- 關(guān)鍵字： 新潔能 SiC GaN 功率器件 封測
CAGR達49%，2030全球GaN功率元件市場(chǎng)規?；蛏?3.76億美元
- 根據TrendForce集邦咨詢(xún)最新報告《2024全球GaN Power Device市場(chǎng)分析》顯示，隨著(zhù)英飛凌、德州儀器對GaN技術(shù)傾注更多資源，功率GaN產(chǎn)業(yè)的發(fā)展將再次提速。2023年全球GaN功率元件市場(chǎng)規模約2.71億美元，至2030年有望上升至43.76億美元，CAGR（復合年增長(cháng)率）高達49%。其中非消費類(lèi)應用比例預計會(huì )從2023年的23%上升至2030年的48%，汽車(chē)、數據中心和電機驅動(dòng)等場(chǎng)景為核心。AI應用普及，GaN有望成為減熱增效的幕后英雄AI技術(shù)的演進(jìn)，帶動(dòng)算力需求持續攀升，C
- 關(guān)鍵字： CAGR GaN 功率元件
600v氮化鎵（gan）功率器件介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條600v氮化鎵（gan）功率器件!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對600v氮化鎵（gan）功率器件的理解，并與今后在此搜索600v氮化鎵（gan）功率器件的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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