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600v氮化鎵（gan）功率器件
600v氮化鎵（gan）功率器件 文章 進(jìn)入600v氮化鎵（gan）功率器件技術(shù)社區
適用于自主駕駛車(chē)輛LiDAR的GaN FET快速指南
- 激光探測及測距 (LiDAR) 的應用包括自主駕駛車(chē)輛、無(wú)人機、倉庫自動(dòng)化和精準農業(yè)。在這些應用中，大多都有人類(lèi)參與其中，因此人們擔心 LiDAR 激光可能會(huì )對眼睛造成傷害。為防止此類(lèi)傷害，汽車(chē) LiDAR 系統必須符合 IEC 60825-1 1 類(lèi)安全要求，同時(shí)發(fā)射功率不超過(guò) 200 W。通用解決方案一般采用 1 至 2 ns 脈沖，重復頻率為 1 至 2 MHz。這很有挑戰性，因為需要使用微控制器或其他大型數字集成電路 (IC) 來(lái)控制激光二極管，但又不能直接驅動(dòng)它，這樣就必須增加一個(gè)柵極
- 關(guān)鍵字： 自主駕駛 LiDAR GaN FET
功率器件市場(chǎng)為什么這么火爆？
- 電動(dòng)汽車(chē)、可再生能源和云計算等應用正在推動(dòng)提高效率和功率密度的需求。
- 關(guān)鍵字： 功率器件
SR-ZVS與GaN：讓電源開(kāi)關(guān)損耗為零的魔法
- 當今，快充市場(chǎng)正迎來(lái)前所未有的機遇與挑戰。風(fēng)暴仍在繼續，快充市場(chǎng)的迅猛發(fā)展，用戶(hù)對于充電器的功率需求也在不斷增大；移動(dòng)設備的普及，用戶(hù)對于充電器體積的要求也越來(lái)越高；同時(shí)為了在激烈的市場(chǎng)競爭中脫穎而出，低成本是每個(gè)快充產(chǎn)品必須考慮的因素。種種這些都對快充技術(shù)的要求愈發(fā)嚴格，不僅需要高效率、高功率，還需要適應多樣化的標準和滿(mǎn)足用戶(hù)個(gè)性化的需求。在種種挑戰之下，PI推出了InnoSwitch5-Pro 離線(xiàn)反激式開(kāi)關(guān)IC，在內部集成750V或900V PowiGaN?初級開(kāi)關(guān)、初級側控制器、FluxLink?
- 關(guān)鍵字： PI SR-ZVS GaN 氮化鎵
中國芯片自給率鎖定新目標
- 經(jīng)過(guò)了 2023 年的低迷，全球半導體業(yè)將希望寄托在 2024 年。從 2023 年第四季度開(kāi)始，無(wú)論是智能手機，還是 PC 市場(chǎng)，都出現了回暖信號，供應鏈上相關(guān)廠(chǎng)商的訂單開(kāi)始多起來(lái)，而且，各大市場(chǎng)調研機構也都預測 2024 年將是新一個(gè)半導體周期的開(kāi)始，整個(gè)電子半導體產(chǎn)業(yè)將進(jìn)入上行周期。對于正處在各種挑戰與困難之中的中國電子半導體產(chǎn)業(yè)來(lái)說(shuō)，2024 年有望迎來(lái)更上一層樓的契機。一輪一輪的貿易限制政策，芯片企業(yè)投資（特別是 IC 設計企業(yè)）虛熱冷卻，本土新建晶圓廠(chǎng)陸續完成并開(kāi)始量產(chǎn)，進(jìn)口和本土芯片博弈后的
- 關(guān)鍵字： 模擬芯片 功率器件 傳感器
EPC GaN FET可在數納秒內驅動(dòng)激光二極管，實(shí)現75~231A脈沖電流
- 宜普電源轉換公司（EPC）推出三款激光驅動(dòng)器電路板，這些板采用了符合AEC-Q101認證標準、快速轉換的GaN FET以實(shí)現具備卓越性能的激光雷達系統。EPC推出三款評估板，分別是EPC9179、EPC9181和EPC9180，它采用75 A、125 A、231 A脈沖電流激光驅動(dòng)器和通過(guò)車(chē)規級AEC-Q101認證的EPC GaN FET - EPC2252、EPC2204A 和EPC2218A。它比前代氮化鎵器件的體積小30%和更具成本效益。這些電路板專(zhuān)為長(cháng)距離和
- 關(guān)鍵字： EPC GaN FET 激光二極管
低功耗 GaN 在常見(jiàn)交流/直流電源拓撲中的優(yōu)勢
- 消費者希望日常攜帶的各種電子設備能夠配備便攜、快速和高效的充電器。隨著(zhù)大多數電子產(chǎn)品轉向 USB Type-C? 充電器，越來(lái)越多的用戶(hù)希望可以使用緊湊型電源適配器為所有設備充電。在設計現代消費級 USB Type-C 移動(dòng)充電器、PC 電源和電視電源時(shí)，面臨的挑戰是如何在縮小解決方案尺寸的同時(shí)保持甚至提高功率水平。德州儀器的低功耗氮化鎵 (GaN) 器件有助于在各種最流行的拓撲中解決這一問(wèn)題，同時(shí)提供散熱、尺寸和集成方面的優(yōu)勢。在過(guò)去的幾十年里，隨著(zhù) GaN 等寬帶隙技術(shù)的發(fā)展，交流/直流拓撲
- 關(guān)鍵字： TI GaN 電源拓撲
瑞薩收購Transphorm,利用GaN技術(shù)擴展電源產(chǎn)品陣容
- 2024 年 1 月 11 日 3:00 p.m. JST，日本東京 | 2024 年 1 月 10 日 10:00 p.m. PST 加利福尼亞州戈利塔訊 - 全球半導體解決方案供應商瑞薩電子（以下“瑞薩”，TSE：6723）與全球氮化鎵（GaN）功率半導體供應商Transphorm, Inc.（以下“Transphorm”，Nasdaq：TGAN）于今天宣布雙方已達成最終協(xié)議，根據該協(xié)議，瑞薩子公司將以每股5.10美元現金收購Transphorm所有已發(fā)行普通股，較Transphorm在2024年1月
- 關(guān)鍵字： 瑞薩 Transphorm GaN
GaN新技術(shù)可使散熱能力提高2倍以上
- 近期，大阪公立大學(xué)的研究團隊成功利用金剛石為襯底，制作出了氮化鎵（GaN）晶體管，其散熱性能是使用碳化硅（SiC）襯底制造相同形狀晶體管的兩倍以上，有望應用于5G通信基站、氣象雷達、衛星通信、微波加熱、等離子體處理等領(lǐng)域，該研究成果已發(fā)表在“Small”雜志上。隨著(zhù)半導體技術(shù)不斷發(fā)展，功率密度和散熱等問(wèn)題日益凸顯，業(yè)界試圖通過(guò)新一代材料解決上述問(wèn)題。據悉，金剛石具備極強的導熱性能，氮化鎵具有寬帶隙和高導電性等特性，居于上述特性，以金剛石為襯底的氮化鎵晶體管被寄予厚望。在最新研究中，大阪公立大學(xué)的科學(xué)家們成
- 關(guān)鍵字： GaN 散熱能力
使用 GaN 器件可以減小外置醫用 AC/DC 電源的體積
- 盡管電池技術(shù)和低功耗電路不斷取得進(jìn)步，但對于許多應用來(lái)說(shuō)，完全不依賴(lài)純電池設計可能是不可行、不適用和無(wú)法接受的。醫療系統就屬于這類(lèi)應用。相反，設備通常必須直接通過(guò) AC 線(xiàn)路運行，或至少在電池電量不足時(shí)連接 AC 插座即可運行。除了滿(mǎn)足基本的 AC/DC 電源性能規范外，醫用電源產(chǎn)品還必須符合監管要求，即滿(mǎn)足電隔離、額定電壓、泄漏電流和保護措施 (MOP) 等不那么明顯的性能要求。制定這些標準是為了確保用電設備即使在電源或負載出現故障時(shí)，也不會(huì )給操作員或病人帶來(lái)危險。與此同時(shí)，醫療電源的設計者必須不斷提地
- 關(guān)鍵字： DigiKey GaN AC/DC
工業(yè)電源模塊對功率器件的要求
- 工業(yè)電源的作用是將交流電轉換為直流電，在工業(yè)領(lǐng)域為設備提供穩定的電力供應，在工業(yè)自動(dòng)化、通訊、醫療、數據中心、新能源儲能等領(lǐng)域廣泛使用。與普通的電源相比，工業(yè)電源應用環(huán)境苛刻復雜，對電源的穩定性要求更高，需滿(mǎn)足一些特殊要求，如低功耗、高功率密度、高可靠性和高耐用性，同時(shí)，它對EMI和穩定性的要求也比其它應用更為嚴格。按在電能轉換過(guò)程中的位置做分類(lèi)，電源可分為一次電源和二次電源。模塊電源屬于二次電源，是采用優(yōu)化的電路和結構設計，利用先進(jìn)的工藝和封裝技術(shù)制造， 形成的一個(gè)結構緊湊、體積小、高可靠的電子穩壓電源
- 關(guān)鍵字： 工業(yè)電源 功率器件 碳化硅
SiC仿真攻略手冊——詳解物理和可擴展仿真模型功能！
- 過(guò)去，仿真的基礎是行為和具有基本結構的模型。這些模型使用的公式我們在學(xué)校都學(xué)過(guò)，它們主要適用于簡(jiǎn)單集成電路技術(shù)中使用的器件。但是，當涉及到功率器件時(shí)，這些簡(jiǎn)單的模型通常無(wú)法預測與為優(yōu)化器件所做的改變相關(guān)的現象。當今大多數功率器件不是橫向結構，而是垂直結構，它們使用多個(gè)摻雜層來(lái)處理大電場(chǎng)。柵極從平面型變?yōu)闇喜坌?，引入了更復雜的結構，如超級結，并極大地改變了MOSFET的行為?；維pice模型中提供的簡(jiǎn)單器件結構沒(méi)有考慮所有這些非線(xiàn)性因素?，F在，通過(guò)引入物理和可擴展建模技術(shù)，安森美(onsemi)使仿真精度
- 關(guān)鍵字： 功率器件 Spice模型 SiC 仿真
基于 GaN 的高效率 1.6kW CrM 圖騰柱PFC參考設計 TIDA-00961 FAQ
- 高頻臨界模式 (CrM) 圖騰柱功率因數校正 (PFC) 是一種使用 GaN 設計高密度功率解決方案的簡(jiǎn)便方法。TIDA-00961 參考設計使用 TI 的 600V GaN 功率級 LMG3410 和 TI 的 Piccolo?高頻臨界模式 (CrM) 圖騰柱功率因數校正 (PFC) 是一種使用 GaN 設計高密度功率解決方案的簡(jiǎn)便方法。TIDA-00961 參考設計使用 TI 的 600V GaN 功率級 LMG3410 和 TI 的 Piccolo? F280049 控制器。功率級尺寸 65 x 4
- 關(guān)鍵字： TI GaN 圖騰柱 PFC TIDA-00961 FAQ
宜普電源轉換公司將在CES 2024展示基于氮化鎵技術(shù)的消費電子應用場(chǎng)景
- PC公司的氮化鎵專(zhuān)家將在國際消費電子展(CES)上分享氮化鎵技術(shù)如何增強消費電子產(chǎn)品的功能和性能?增強型氮化鎵(eGaN?)FET和IC領(lǐng)域的全球領(lǐng)導者宜普電源轉換公司(EPC)將在CES 2024展會(huì )展示其卓越的氮化鎵技術(shù)如何為消費電子產(chǎn)品在功能和性能方面做出貢獻 ，包括實(shí)現更高效率、更小尺寸和更低成本的解決方案。CES展會(huì )期間，EPC的技術(shù)專(zhuān)家將于1月9日至12日在套房與客戶(hù)會(huì )面、進(jìn)行技術(shù)交流、討論氮化鎵技術(shù)及其應用場(chǎng)景的最新發(fā)展。氮化鎵技術(shù)正在改變大批量消費應用的關(guān)鍵領(lǐng)域包括：推動(dòng)人工智能
- 關(guān)鍵字： 宜普電源 CES 2024 氮化鎵 GaN
總投資15億元，漢軒車(chē)規級功率器件制造項目開(kāi)工建設
- 據“徐州高新發(fā)布”公眾號消息，12月18日，徐州高新區漢軒車(chē)規級功率器件制造項目開(kāi)工建設。據悉，漢軒車(chē)規級功率器件制造項目總投資約15億元，占地面積68.8畝，總建筑面積約8萬(wàn)平米，潔凈室面積1.4萬(wàn)平米，滿(mǎn)足6到8英寸晶圓生產(chǎn)需求，是一座專(zhuān)注于車(chē)規級功率器件的晶圓代工廠(chǎng)。項目規劃VDMOS、SBD、FRD、SGT、IGBT、SIC MOS等多個(gè)工藝代工平臺，規劃月產(chǎn)能超過(guò)6萬(wàn)片，年銷(xiāo)售收入約13.8億元。項目建成后將進(jìn)一步完善高新區半導體產(chǎn)業(yè)鏈布局，有力推動(dòng)車(chē)規級功率器件國產(chǎn)化進(jìn)程。
- 關(guān)鍵字： 功率器件 汽車(chē)電子 晶圓制造
600v氮化鎵（gan）功率器件介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條600v氮化鎵（gan）功率器件!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對600v氮化鎵（gan）功率器件的理解，并與今后在此搜索600v氮化鎵（gan）功率器件的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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