600v氮化鎵（gan）功率器件文章進(jìn)入600v氮化鎵（gan）功率器件技術(shù)社區

Nexperia擴展GaN FET產(chǎn)品組合，現可支持更多低壓和高壓應用中的功率需求

Nexperia近日宣布其E-mode GaN FET產(chǎn)品組合新增12款新器件。本次產(chǎn)品發(fā)布旨在滿(mǎn)足市場(chǎng)對更高效、更緊湊系統日益增長(cháng)的需求。這些新型低壓和高壓E-mode GaN FET適用于多個(gè)市場(chǎng)，包括消費電子、工業(yè)、服務(wù)器/計算以及電信，尤其著(zhù)重于支持高壓、中低功率以及低壓、中高功率的使用場(chǎng)景。自2023年推出E-mode GaN FET以來(lái)，Nexperia一直是業(yè)內少有、同時(shí)提供級聯(lián)型或D-mode和E-mode器件的供應商，為設計人員在應對設計過(guò)程中的不同挑戰提供了更多便捷性。Nexperia
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芯向未來(lái)，2025英飛凌消費、計算與通訊創(chuàng )新大會(huì )成功舉辦

3月14日，?“2025?英飛凌消費、計算與通訊創(chuàng )新大會(huì )”（ICIC 2025，以下同）在深圳舉行。本屆大會(huì )匯聚600多位業(yè)界精英，就AI、機器人、邊緣計算、氮化鎵應用等話(huà)題展開(kāi)了精彩探討，首次在國內展示了英飛凌兩款突破性技術(shù)——300mm氮化鎵功率半導體晶圓和20μm超薄硅功率晶圓，彰顯了英飛凌在技術(shù)創(chuàng )新領(lǐng)域的領(lǐng)先地位，并解讀最新產(chǎn)品與解決方案，為行業(yè)注入新動(dòng)能，助力企業(yè)在低碳數字變革的浪潮中把握先機。2025英飛凌消費、計算與通訊創(chuàng )新大會(huì )（ICIC 2025）在深圳舉行2024年，
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GaN HEMT為開(kāi)關(guān)應用帶來(lái)低噪聲功率

氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）是場(chǎng)效應晶體管的一種形式，它在微波頻率下工作時(shí)結合了高水平的性能和低噪聲系數。不過(guò)，HEMT 與其他類(lèi)型的 FET 器件有些不同，它的性能優(yōu)于標準結或 MOSFET。這些獨特的器件在微波射頻（RF）應用中表現出色。來(lái)自 n 型區域的電子穿過(guò)晶格，許多電子保持在異質(zhì)結附近（異質(zhì)結是指通過(guò)兩個(gè)或多個(gè)半導體的接觸耦合形成的界面區域）。這種只有一層厚的電子形成二維電子氣體。650V GaN HEMT 的開(kāi)關(guān)能量（Esw）是在硬開(kāi)關(guān)條
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CGD 官宣突破100KW以上技術(shù)，推動(dòng)GAN挺進(jìn)超100億美元的電動(dòng)汽車(chē)逆變器市場(chǎng)

無(wú)晶圓廠(chǎng)環(huán)?？萍及雽w公司 Cambridge GaN Devices（CGD）開(kāi)發(fā)了一系列高能效氮化鎵（GaN）功率器件，使更加環(huán)保的電子產(chǎn)品非常易于設計和運行。CGD今日推出的 Combo ICeGaN? 解決方案使 CGD 利用其 ICeGaN? 氮化鎵（GaN）技術(shù)滿(mǎn)足100kW 以上的電動(dòng)汽車(chē)動(dòng)力系統應用，該市場(chǎng)超過(guò)100億美元。Combo ICeGaN?將智能 ICeGaN HEMT IC 和絕緣柵雙極晶體管（IGBT）組合在同一個(gè)模塊或集成功率管理器件（IPM）中，最大限度地提高了效率，為昂
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基于GaN的汽車(chē)應用的最新進(jìn)展是什么？

電動(dòng)汽車(chē) （EV）越來(lái)越受歡迎，因為精明的消費者，尤其是在加利福尼亞州，認識到出色的加速性能的優(yōu)勢，例如，當紅綠燈變綠時(shí)，汽油動(dòng)力汽車(chē)可能會(huì )被塵土甩砸。這是因為電動(dòng)機在駕駛員踩下油門(mén)的那一刻就會(huì )產(chǎn)生峰值扭矩。然而，與內燃機（ICE）汽車(chē)相比，電動(dòng)汽車(chē)的主要動(dòng)機是能源效率。EV 車(chē)載電池充電器EV1 的車(chē)載電池充電器（OBC）完全能夠為來(lái)自交流電網(wǎng)的高壓牽引電池充電（圖 1）。停放的車(chē)輛插入 EV 1 級和 2 級交流充電站之一，這些充電站出現在停車(chē)場(chǎng)、家庭、公司、購
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氮化鎵（GaN）賦能D類(lèi)音頻放大器的未來(lái)

了解如何將氮化鎵（GaN）功率晶體管技術(shù)應用于D類(lèi)音頻放大器，可以提高信號保真度，降低功耗，并提供比硅更輕、更具成本效益的解決方案。在音頻工程中，放大器是傳遞強大、沉浸式聲音的核心設備。這些設備將低功率音頻信號轉換為豐富、高功率的輸出，從而驅動(dòng)從便攜式揚聲器到專(zhuān)業(yè)音響系統的一切設備。在過(guò)去十年中出現的各種放大器設計中，有一種脫穎而出：D類(lèi)放大器。以其高效性和廣泛使用而聞名，D類(lèi)技術(shù)主導了現代音頻領(lǐng)域。然而，即使是最受歡迎的放大器也有其局限性。當前的D類(lèi)音頻系統雖然效率很高，但在性能上仍面臨挑戰。D類(lèi)放大器
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GaN功率FET及背后柵極驅動(dòng)器在LiDAR傳感器中的作用

氮化鎵（GaN）功率器件因其超快的開(kāi)關(guān)速度和有限的寄生效應而成為 LiDAR 傳感器的核心構建模塊之一，從而在高總線(xiàn)電壓和窄脈沖寬度下實(shí)現高峰值電流。為了迎來(lái)自動(dòng)駕駛汽車(chē)的未來(lái)，必須在車(chē)輛系統內使用更先進(jìn)的傳感器。LiDAR 是檢測自動(dòng)駕駛汽車(chē)周?chē)矬w存在的更廣泛使用的傳感器之一，它是光檢測和測距的縮寫(xiě)，它從激光射出光并測量場(chǎng)景中的反射，有點(diǎn)像基于光的雷達。車(chē)輛的車(chē)載計算機可以使用這些數據來(lái)解釋汽車(chē)與周?chē)h(huán)境的關(guān)系以及道路上是否存在其他汽車(chē)和物體。LiDAR 傳感器必須基于一個(gè)非?？焖俚拈_(kāi)關(guān)，該開(kāi)關(guān)為
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50V耐壓GaN HEMT新增小型、高散熱TOLL封裝

全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）已將TOLL（TO-LeadLess）封裝的650V耐壓GaN HEMT*1“GNP2070TD-Z”投入量產(chǎn)。TOLL封裝不僅體積小，散熱性能出色，還具有優(yōu)異的電流容量和開(kāi)關(guān)特性，因此在工業(yè)設備、車(chē)載設備以及需要支持大功率的應用領(lǐng)域被越來(lái)越多地采用。此次，ROHM將封裝工序外包給了作為半導體后道工序供應商（OSAT）擁有豐富業(yè)績(jì)的日月新半導體（威海）有限公司（ATX SEMICONDUCTOR (WEIHAI) CO., LTD.，以下簡(jiǎn)稱(chēng)“ATX”）。
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日本電裝開(kāi)發(fā)出GaN 三電平汽車(chē)電驅方案

據日媒報道，名古屋大學(xué)和日本電裝公司利用橫向 GaN HEMT，合作開(kāi)發(fā)出了一種 800V 兼容逆變器（三相、三電平），主要用于驅動(dòng)使用的電動(dòng)汽車(chē)牽引電機（圖 1）。據了解，名古屋大學(xué)與松下控股、豐田合成、大阪大學(xué)和電裝合作，參與了日本環(huán)境省自 2022 年以來(lái)實(shí)施的項目“加速實(shí)現創(chuàng )新 CO? 減排材料的社會(huì )實(shí)施和傳播項目”。新開(kāi)發(fā)的高壓三電平逆變器是該項目努力的結果。圖1 ：電裝橫向 GaN HEMT 電驅逆變器（左）、單相降壓 DC-DC 轉換器運行時(shí)的開(kāi)關(guān)波形（右）。提高電動(dòng)汽車(chē)和混合動(dòng)力電動(dòng)汽車(chē)（
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復旦大學(xué)在Si CMOS+GaN單片異質(zhì)集成的探索

異質(zhì)異構Chiplet正成為后摩爾時(shí)代AI海量數據處理的重要技術(shù)路線(xiàn)之一，正引起整個(gè)半導體行業(yè)的廣泛關(guān)注，但這種方法要真正實(shí)現商業(yè)化，仍有賴(lài)于通用標準協(xié)議、3D建模技術(shù)和方法等。然而，以拓展摩爾定律為標注的模擬類(lèi)比芯片技術(shù)，在非尺寸依賴(lài)追求應用多樣性、多功能特點(diǎn)的現實(shí)需求，正在推動(dòng)不同半導體材料的異質(zhì)集成研究。為此，復旦大學(xué)微電子學(xué)院張衛教授、江南大學(xué)集成電路學(xué)院黃偉教授合作開(kāi)展了Si CMOS+GaN單片異質(zhì)集成的創(chuàng )新研究，并在近期國內重要會(huì )議上進(jìn)行報道。復旦大學(xué)微電子學(xué)院研究生杜文張、何漢釗、范文琪等
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650V耐壓GaN HEMT新增小型與高散熱TOLL封裝

全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）已將TOLL（TO-LeadLess）封裝的650V耐壓GaN HEMT*1“GNP2070TD-Z”投入量產(chǎn)。TOLL封裝不僅體積小，散熱性能出色，還具有優(yōu)異的電流容量和開(kāi)關(guān)特性，因此在工業(yè)設備、車(chē)載設備以及需要支持大功率的應用領(lǐng)域被越來(lái)越多地采用。此次，ROHM將封裝工序外包給了作為半導體后道工序供應商（OSAT）擁有豐富業(yè)績(jì)的日月新半導體（威海）有限公司（ATX SEMICONDUCTOR (WEIHAI) CO., LTD.，以下簡(jiǎn)稱(chēng)“ATX”）。
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技術(shù)洞察 | 邁向更綠色的未來(lái)：GaN技術(shù)的變革性影響

作者Nihit Bajaj 英飛凌科技 GaN產(chǎn)品高級總監校對宋清亮英飛凌科技大中華區消費、計算與通訊業(yè)務(wù)高級首席工程師過(guò)去幾十年間，人口和經(jīng)濟活動(dòng)的快速增長(cháng)推動(dòng)了全球能源消耗的穩步增長(cháng)，并且預計這一趨勢還將持續。這種增長(cháng)是線(xiàn)下與線(xiàn)上活動(dòng)共同作用的結果。因此，數據中心的快速擴張顯著(zhù)增加了全球電力需求。據估計，2022年全球數據中心耗電量約為240-340太瓦時(shí)（TWh）。近年來(lái)，全球數據中心的能源消耗以每年20-40%的速度持續增長(cháng) [1] 。圖1：1910年以來(lái)
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春晚科技「秧」光：人形機器人未來(lái)已來(lái)

在科技浪潮的推動(dòng)下，人形機器人正逐漸從幕后走向臺前。在 2025 央視春晚中，著(zhù)名電影導演張藝謀攜手杭州宇樹(shù)科技、新疆藝術(shù)學(xué)院帶來(lái)了一個(gè)名為《秧 BOT》的節目。舞臺上，宇樹(shù)科技的人形機器人與新疆藝術(shù)學(xué)院的舞蹈演員們默契共舞，人機互動(dòng)的奇妙場(chǎng)景，不僅帶來(lái)了一場(chǎng)別開(kāi)生面的視覺(jué)盛宴，展現出一種前所未有的科技美感，更讓觀(guān)眾真切感受到人形機器人時(shí)代的腳步正越來(lái)越近。這群 BOT 什么來(lái)頭？春晚舞臺上的《秧 BOT》節目，由 16 個(gè)靈動(dòng)的 BOT（機器人 robot 的簡(jiǎn)稱(chēng)）與 16 名技藝精湛的新疆藝術(shù)學(xué)院舞蹈
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功率器件的熱設計基礎（一）---功率半導體的熱阻

/ 前言 /功率半導體熱設計是實(shí)現IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統成本，并保證系統的可靠性。功率器件熱設計基礎系列文章會(huì )比較系統地講解熱設計基礎知識，相關(guān)標準和工程測量方法。散熱功率半導體器件在開(kāi)通和關(guān)斷過(guò)程中和導通電流時(shí)會(huì )產(chǎn)生損耗，損失的能量會(huì )轉化為熱能，表現為半導體器件發(fā)熱，器件的發(fā)熱會(huì )造成器件各點(diǎn)溫度的升高。半導體器件的溫度升高，取決于產(chǎn)生熱量多少（損耗）和散熱效率（散熱通路的熱阻）。IGBT模塊的風(fēng)冷散熱
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功率器件的熱設計基礎（二）---熱阻的串聯(lián)和并聯(lián)

/ 前言 /功率半導體熱設計是實(shí)現IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統成本，并保證系統的可靠性。功率器件熱設計基礎系列文章將比較系統地講解熱設計基礎知識，相關(guān)標準和工程測量方法。第一講《功率器件熱設計基礎（一）----功率半導體的熱阻》，已經(jīng)把熱阻和電阻聯(lián)系起來(lái)了，那自然會(huì )想到熱阻也可以通過(guò)串聯(lián)和并聯(lián)概念來(lái)做數值計算。熱阻的串聯(lián)首先，我們來(lái)看熱阻的串聯(lián)。當兩個(gè)或多個(gè)導熱層依次排列，熱量依次通過(guò)
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