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600v氮化鎵（gan）功率器件
600v氮化鎵（gan）功率器件 文章 進(jìn)入600v氮化鎵（gan）功率器件技術(shù)社區
SmartFET的熱響應，一文輕松get√
- 本系列文章將介紹安森美(onsemi)高邊SmartFET的結構和設計理念，可作為了解該器件在特定應用中如何工作的指南。范圍僅限于具有模擬電流檢測輸出的SmartFET。今天將為大家介紹SmartFET的熱響應，將簡(jiǎn)要解讀產(chǎn)品數據表中公布的熱數據和曲線(xiàn)。了解熱網(wǎng)絡(luò )對于外部條件可能出現極端變化的汽車(chē)應用而言，了解并準確估計器件的熱響應是一個(gè)長(cháng)期存在的挑戰。以瞬態(tài)或連續溫度波動(dòng)形式表現的超過(guò)器件熱容量的熱過(guò)應力，是該領(lǐng)域中最常遇到的故障模式之一，尤其是功率器件，在其壽命期間經(jīng)常觀(guān)察到這種瞬態(tài)。此外，隨著(zhù)硅特征
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Nexperia針對工業(yè)和可再生能源應用推出采用緊湊型SMD封裝CCPAK的GaN FET
- 基礎半導體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專(zhuān)家Nexperia今天宣布推出新款GaN FET器件，該器件采用新一代高壓GaN HEMT技術(shù)和專(zhuān)有銅夾片CCPAK表面貼裝封裝，為工業(yè)和可再生能源應用的設計人員提供更多選擇。經(jīng)過(guò)二十多年的辛勤耕耘，Nexperia在提供大規模、高質(zhì)量的銅夾片SMD封裝方面積累了豐富的專(zhuān)業(yè)知識，如今成功將這一突破性的封裝方案CCPAK應用于級聯(lián)氮化鎵場(chǎng)效應管（GaN FET），Nexperia對此感到非常自豪。GAN039-650NTB是一款33 mΩ（典型值）的氮化鎵場(chǎng)效應管，采用CCP
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一文看懂｜半導體功率器件的組成和應用
- 常見(jiàn)的幾種功率半導體器件半導體是我們生活中使用的電器里比較常用的一種器件，那么你對半導體有多少了解呢？今天我們就從最基礎的半導體功率器件入手，全面了解半導體的“前世今生”。電力電子器件又稱(chēng)為功率半導體器件，用于電能變換和電能控制電路中的大功率（通常指電流為數十至數千安，電壓為數百伏以上）電子器件。1、MCT? MOS控制晶閘管MCT是一種新型MOS與雙極復合型器件。MCT是將MOSFET的高阻抗、低驅動(dòng)下MCT的功率、快開(kāi)關(guān)速度的特性與晶閘管的高壓、大電流特型結合在一起，形成大功率、高壓、快速全
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“四兩撥千斤”，寬禁帶技術(shù)如何顛覆性創(chuàng )新
- 在半導體行業(yè)，新的材料技術(shù)有“四兩撥千斤”的魔力，輕輕松松帶來(lái)顛覆性變革。具有先天性能優(yōu)勢的寬禁帶半導體材料脫穎而出。在整個(gè)能源轉換鏈中，寬禁帶半導體的節能潛力可為實(shí)現長(cháng)期的全球節能目標作出貢獻。寬禁帶技術(shù)將推動(dòng)電力電子器件提高效率、提高密度、縮小尺寸、減輕重量、降低總成本，因此將在數據中心、智能樓宇、個(gè)人電子設備等應用場(chǎng)景中為能效提升作出貢獻。寬禁帶材料讓?xiě)眯阅苷?，怎么做到的？寬禁帶材料的?yōu)勢主要體現在：? 與傳統的硅基半導體材料相比，寬禁帶產(chǎn)品具有更寬更高的禁帶寬度、電場(chǎng)強度，更高的擊穿
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Efficient Energy Technology(EET)的SolMate選用EPC氮化鎵器件
- Efficient Energy Technology GmbH(EET)位于奧地利，是設計和生產(chǎn)創(chuàng )新、用于陽(yáng)臺的小型發(fā)電廠(chǎng)的先驅。EET公司選用了宜普電源轉換公司(EPC)的增強型氮化鎵(eGaN?)功率晶體管（EPC2204）, 用于其新型SolMate?綠色太陽(yáng)能陽(yáng)臺產(chǎn)品。EPC2204在低RDS(on)和低COSS之間實(shí)現了最佳折衷，這對于要求嚴格的硬開(kāi)關(guān)應用至關(guān)重要，同時(shí)在緊湊的封裝中實(shí)現100 V的漏-源擊穿電壓。這種緊湊型設計顯著(zhù)縮小了PCB的尺寸，保持較小的電流環(huán)路和最大限度地減少EMI。
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比亞迪半導體功率器和傳感控制器項目一期竣工
- 11月30日消息，日前，比亞迪半導體功率器件和傳感控制器件研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目一期竣工。據了解，位于馬山街道的比亞迪半導體項目總投資100億元，用地417畝。項目建設年產(chǎn)72萬(wàn)片功率器件產(chǎn)品和年產(chǎn)60億套光微電子產(chǎn)品生產(chǎn)線(xiàn)，達產(chǎn)后可實(shí)現年產(chǎn)值150億元。順應新能源汽車(chē)行業(yè)發(fā)展需求，一期項目研發(fā)生產(chǎn)的功率器件、傳感控制器件，均為新能源汽車(chē)核心器件。據相關(guān)人員介紹，比亞迪半導體項目預計42個(gè)月全部竣工。
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面向GaN功率放大器的電源解決方案
- RF前端的高功率末級功放已被GaN功率放大器取代。柵極負壓偏置使其在設計上有別于其它技術(shù)，有時(shí)設計具有一定挑戰性；但它的性能在許多應用中是獨特的。閱讀本文，了解Qorvo的電源管理解決方案如何消除GaN的柵極偏置差異。如今，電子工程師明白GaN技術(shù)需要柵極負電壓工作。這曾經(jīng)被視為負面的——此處“負面”和“負極”并非雙關(guān)語(yǔ)——但今天，有一些技術(shù)使這種柵極負壓操作變得微不足道。今天，我們擁有電源管理集成電路（PMIC）器件，可以輕松可靠地為這些GaN PA通電和斷電，以及PMIC所帶來(lái)更多其他優(yōu)勢。我們將在下
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日本開(kāi)發(fā)新技術(shù)，可實(shí)現GaN垂直導電
- 當地時(shí)間11月13日，沖電氣工業(yè)株式會(huì )社（OKI）與信越化學(xué)合作，宣布成功開(kāi)發(fā)出一種技術(shù)，該技術(shù)使用OKI的CFB（晶體薄膜鍵合）技術(shù)，從信越化學(xué)特殊改進(jìn)的QST（Qromis襯底技術(shù)）基板上僅剝離氮化鎵（GaN）功能層，并將其粘合到不同材料的基材該技術(shù)實(shí)現了GaN的垂直導電，有望為可控制大電流的垂直GaN功率器件的制造和商業(yè)化做出貢獻。兩家公司將進(jìn)一步合作開(kāi)發(fā)垂直GaN功率器件，并與制造這些器件的公司合作，讓這些器件能應用到實(shí)際生產(chǎn)生活中。GaN功率器件因兼具高頻率與低功耗特性而備受關(guān)注，尤其在1800
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1250V！PI PowiGaN?提升GaN開(kāi)關(guān)耐壓上限
- 氮化鎵(GaN)是最接近理想的半導體開(kāi)關(guān)的器件，能夠以非常高的能效和高功率密度實(shí)現電源轉換。相比于生成工藝復雜的SiC，GaN的生成工藝相對成熟，可以制作成尺寸小巧的芯片封裝，因此非常適合在各種消費級和工業(yè)級開(kāi)關(guān)功率應用。當然，相比SiC在高壓領(lǐng)域的出色表現，GaN在高壓的表現并不突出。因此，作為目前GaN市場(chǎng)占有率最高的Power Integrations（PI）創(chuàng )新地將GaN開(kāi)關(guān)的耐壓上限提升到1250V，再次為GaN開(kāi)關(guān)的應用填補了新的耐受電壓領(lǐng)域。 PI的PowiGaN已經(jīng)在超過(guò)60個(gè)的市場(chǎng)應用中
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Transphorm推出TOLL封裝FET，將氮化鎵定位為支持高功率能耗人工智能應用的最佳器件
- 加利福尼亞州戈萊塔 – 2023 年 11 月 7日 －新世代電力系統的未來(lái)、氮化鎵(GaN)功率半導體的全球領(lǐng)先供應商 Transphorm, Inc.（納斯達克股票代碼：TGAN）近日宣布，推出三款TOLL封裝的 SuperGaN? FET，導通電阻分別為35、50和72毫歐。Transphorm的TOLL封裝配置采用行業(yè)標準，這意味著(zhù)TOLL封裝的SuperGaN功率管可作為任何使用e-mode TOLL方案的直接替代器件。新器件還具備Transphorm經(jīng)驗證的高壓動(dòng)態(tài)(開(kāi)關(guān))導通電阻可
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EPC新推100 V GaN FET助力實(shí)現更小的電機驅動(dòng)器,用于電動(dòng)自行車(chē)、機器人和無(wú)人機
- 基于氮化鎵器件的EPC9194逆變器參考設計顯著(zhù)提高了電機驅動(dòng)系統的效率、扭矩而同時(shí)使得單位重量功率（比功率）增加了一倍以上。該逆變器非常微型，可集成到電機外殼中，從而實(shí)現最低的電磁干擾、最高的密度和最輕的重量。 宜普電源轉換公司宣布推出三相BLDC電機驅動(dòng)逆變器參考設計(EPC9194)。它的工作輸入電源電壓范圍為 14V ~60V，可提供高達60 Apk(40 ARMS)的輸出電流。此電壓范圍和功率使該解決方案非常適合用于各種三相BLDC電機驅動(dòng)器，包括電動(dòng)自行車(chē)、電動(dòng)滑板車(chē)、無(wú)人
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CGD與群光電能科技和劍橋大學(xué)技術(shù)服務(wù)部共同組建GaN生態(tài)系統
- Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家無(wú)晶圓廠(chǎng)環(huán)?？萍及雽w公司，開(kāi)發(fā)了一系列高能效 GaN 功率器件，致力于打造更環(huán)保的電子器件。CGD 與臺灣群光電能科技有限公司（TWSE：6412）和英國劍橋大學(xué)技術(shù)服務(wù)部 (CUTS) 簽署了三方協(xié)議，共同設計和開(kāi)發(fā)使用 GaN 的先進(jìn)、高效、高功率密度適配器和數據中心電源產(chǎn)品。群光電能科技是一家成熟的電力電子系統整體解決方案提供商，專(zhuān)注于各種應用的電源和適配器，包括筆記本電腦、臺式電腦、游戲設備和服務(wù)器/云解決方案。劍橋大學(xué)高壓微電子和傳
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電子半導體市場(chǎng)復蘇之路為何如此坎坷？
- 2023 上半年，全球手機和 PC 市場(chǎng)涼到冰點(diǎn)，人們把希望都寄托在了以 AI 服務(wù)器為代表的高性能計算市場(chǎng)。但是，到了下半年，越來(lái)越多的人意識到，AI 服務(wù)器雖美，但其在全球電子半導體總市場(chǎng)中的占有率有限，而傳統數據中心業(yè)務(wù)也已經(jīng)疲軟，要想全面恢復市場(chǎng)活力，還要將希望寄托在具有龐大市場(chǎng)規模的消費類(lèi)應用領(lǐng)域，特別是手機、個(gè)人電腦（PC），以及汽車(chē)。從最近的情況來(lái)看，在 2023 年的最后一個(gè)季度，市場(chǎng)給人們的期待做出了積極的回應。據 IDC 統計，全球智能手機出貨量在 2021 年第三季度同比下滑了 6%
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巧用這三個(gè)GaN 器件 輕松搞定緊湊型電源設計
- 緊湊型 100 瓦電源的應用范圍不斷增加，從 AC-DC 充電器和適配器、USB 供電 (PD) 充電器和快速充電(QC) 適配器，到 LED 照明、白色家電、電機驅動(dòng)、智能儀表和工業(yè)系統等。對于這些離線(xiàn)反激式電源的設計者來(lái)說(shuō)，面臨的挑戰是如何確保穩健性和可靠性，同時(shí)繼續降低成本，提高效率，縮小外形尺寸以提高功率密度。為了解決其中的許多問(wèn)題，設計者可以用基于寬帶隙 (WBG) 技術(shù)的器件 (GaN) 來(lái)取代硅 (Si) 功率開(kāi)關(guān)。這樣做直接轉化為提高電源效率和減少對散熱器的需求，從而實(shí)現更高的功率密度。然
- 關(guān)鍵字： 電源效率 氮化鎵 GaN 電源轉換器設計
英飛凌完成收購氮化鎵系統公司(GaN Systems),成為領(lǐng)先的氮化鎵龍頭企業(yè)
- 英飛凌科技股份公司近日宣布完成收購氮化鎵系統公司（GaN Systems，以下同）。這家總部位于加拿大渥太華的公司，為英飛凌帶來(lái)了豐富的氮化鎵?(GaN)?功率轉換解決方案產(chǎn)品組合和領(lǐng)先的應用技術(shù)。已獲得所有必要的監管部門(mén)審批，交易結束后，GaN Systems?已正式成為英飛凌的組成部分。英飛凌科技首席執行官?Jochen Hanebeck?表示，“氮化鎵技術(shù)為打造更加低碳節能的解決方案掃清了障礙，有助于推動(dòng)低碳化進(jìn)程。收購?GaN Syste
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 氮化鎵系統公司 GaN Systems 氮化鎵
600v氮化鎵（gan）功率器件介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條600v氮化鎵（gan）功率器件!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對600v氮化鎵（gan）功率器件的理解，并與今后在此搜索600v氮化鎵（gan）功率器件的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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