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600v氮化鎵（gan）功率器件
600v氮化鎵（gan）功率器件 文章 進(jìn)入600v氮化鎵（gan）功率器件技術(shù)社區
功率器件熱設計基礎（三）----功率半導體殼溫和散熱器溫度定義和測試方法
- / 前言 /功率半導體熱設計是實(shí)現IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統成本，并保證系統的可靠性。功率器件熱設計基礎系列文章會(huì )聯(lián)系實(shí)際，比較系統地講解熱設計基礎知識，相關(guān)標準和工程測量方法。功率半導體模塊殼溫和散熱器溫度功率模塊的散熱通路由芯片、DCB、銅基板、散熱器和焊接層、導熱脂層串聯(lián)構成的。各層都有相應的熱阻，這些熱阻是串聯(lián)的，總熱阻等于各熱阻之和，這是因為熱量在傳遞過(guò)程中，需要依次克服每一個(gè)熱阻，所以總熱阻就是
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功率器件熱設計基礎（四）——功率半導體芯片溫度和測試方法
- / 前言 /功率半導體熱設計是實(shí)現IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統成本，并保證系統的可靠性。功率器件熱設計基礎系列文章會(huì )比較系統地講解熱設計基礎知識，相關(guān)標準和工程測量方法。芯片表面溫度芯片溫度是一個(gè)很復雜的問(wèn)題，從芯片表面測量溫度，可以發(fā)現單個(gè)芯片溫度也是不均勻的。所以工程上設計一般可以取加權平均值或給出設計余量。這是一個(gè)MOSFET單管中的芯片，直觀(guān)可以看出芯片表面溫度是不一致的，光標1的位置與光標2位置溫度
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功率器件熱設計基礎（七）——熱等效模型
- 前言 /功率半導體熱設計是實(shí)現IGBT、SiC MOSFET高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統成本，并保證系統的可靠性。功率器件熱設計基礎系列文章會(huì )比較系統地講解熱設計基礎知識，相關(guān)標準和工程測量方法。有了熱阻熱容的概念，自然就會(huì )想到在導熱材料串并聯(lián)時(shí)，就可以用阻容網(wǎng)絡(luò )來(lái)描述。一個(gè)帶銅基板的模塊有7層材料構成，各層都有一定的熱阻和熱容，哪怕是散熱器，其本身也有熱阻和熱容。整個(gè)散熱通路還包括導熱脂、散熱器和環(huán)境。不同時(shí)間尺度下
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功率器件熱設計基礎（九）——功率半導體模塊的熱擴散
- / 前言 /功率半導體熱設計是實(shí)現IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統成本，并保證系統的可靠性。功率器件熱設計基礎系列文章會(huì )比較系統地講解熱設計基礎知識，相關(guān)標準和工程測量方法。任何導熱材料都有熱阻，而且熱阻與材料面積成反比，與厚度成正比。按道理說(shuō)，銅基板也會(huì )有額外的熱阻，那為什么實(shí)際情況是有銅基板的模塊散熱更好呢？這是因為熱的橫向擴散帶來(lái)的好處。熱橫向擴散除了熱阻熱容，另一個(gè)影響半導體散熱的重要物理效應為熱的橫向傳
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功率器件熱設計基礎（十三）——使用熱系數Ψth(j-top)獲取結溫信息
- 前言 /功率半導體熱設計是實(shí)現IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統成本，并保證系統的可靠性。功率器件熱設計基礎系列文章會(huì )比較系統地講解熱設計基礎知識，相關(guān)標準和工程測量方法。驅動(dòng)IC電流越來(lái)越大，如采用DSO-8 300mil寬體封裝的EiceDRIVER? 1ED3241MC12H和1ED3251MC12H 2L-SRC緊湊型單通道隔離式柵極驅動(dòng)器，驅動(dòng)電流高達+/-18A，且具有兩級電壓變化率控制和有
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功率器件熱設計基礎（十二）——功率半導體器件的PCB設計
- / 前言 /功率半導體熱設計是實(shí)現IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統成本，并保證系統的可靠性。功率器件熱設計基礎系列文章會(huì )比較系統地講解熱設計基礎知識，相關(guān)標準和工程測量方法。功率半導體的電流密度隨著(zhù)功率半導體芯片損耗降低，最高工作結溫提升，器件的功率密度越來(lái)越高，也就是說(shuō)，相同的器件封裝可以采用更大電流規格的芯片，使輸出電流更大，但同時(shí)實(shí)際的損耗和發(fā)熱量也會(huì )明顯增大。功率器件中的分立器件、Easy系列模塊，Eco
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日常生活中的工業(yè)技術(shù)：助力智能生活的幕后力量
- 大多數人在想象工業(yè)應用中的技術(shù)時(shí)，想到的是大型的機械和復雜的制造流程，這似乎與日常生活毫無(wú)關(guān)聯(lián)。然而通過(guò)實(shí)時(shí)控制，系統可以在規定的時(shí)間范圍內收集、處理數據并自行更新。智能感應可以檢測人員和機械，而邊緣人工智能 (AI) 可以快速、高效地做出決策。這些技術(shù)涵蓋從制造到物流的方方面面。它們就像超人一樣，從我們早上起床到晚上睡覺(jué)休息的這段時(shí)間里，在幕后悄悄地執行著(zhù)各種各樣的任務(wù)，讓我們的世界正常運轉。對我們的日常生活來(lái)說(shuō)，在工業(yè)應用中使用的技術(shù)與智能手機一樣重要且有益。它們?yōu)槲覀児澥×藭r(shí)間，增加了便利性；保護我
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國產(chǎn)1700V GaN器件進(jìn)一步打開(kāi)應用端市場(chǎng)
- 遠山半導體在連續推出幾款高壓GaN器件后，最終將他們最新款產(chǎn)品的額定電壓推向1700V，相較于之前的1200V器件又有了顯著(zhù)的提升。為了解決GaN器件常見(jiàn)的電流崩塌問(wèn)題，他們采用特有的極化超級結（PSJ: Polarization Super Junction）技術(shù)，并對工藝進(jìn)行進(jìn)一步優(yōu)化，使器件的額定工作電壓和工作電流得到更大的提升（1700V/30A）。本次測試采用遠山半導體提供的1700V/100mΩ規格GaN樣品,其可以輕松應對1000V輸入電壓下的開(kāi)關(guān)測試需求，在靜態(tài)測試條件下，1700V時(shí)測得
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功率器件熱設計基礎（十一）——功率半導體器件的功率端子
- / 前言 /功率半導體熱設計是實(shí)現IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統成本，并保證系統的可靠性。功率器件熱設計基礎系列文章會(huì )比較系統地講解熱設計基礎知識，相關(guān)標準和工程測量方法。功率器件的輸出電流能力器件的輸出電流能力首先是由芯片決定的，但是IGBT芯片的關(guān)斷電流能力很強，在單管里是標稱(chēng)電流的3倍或4倍，模塊由于考慮多芯片并聯(lián)等因素，關(guān)斷電流能力定義為標稱(chēng)電流的2倍。在實(shí)際系統設計中，器件輸出電流能力往往受限于芯片的
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牛人居然把功率MOS剖析成這樣，很難得的資料！
- 功率MOSFET的正向導通等效電路（1）：等效電路（2）：說(shuō)明：功率 MOSFET 正向導通時(shí)可用一電阻等效，該電阻與溫度有關(guān)，溫度升高，該電阻變大；它還與門(mén)極驅動(dòng)電壓的大小有關(guān)，驅動(dòng)電壓升高，該電阻變小。詳細的關(guān)系曲線(xiàn)可從制造商的手冊中獲得。功率MOSFET的反向導通等效電路（1）（1）：等效電路（門(mén)極不加控制）（2）：說(shuō)明：即內部二極管的等效電路，可用一電壓降等效，此二極管為MOSFET 的體二極管，多數情況下，因其特性很差，要避免使用。功率MOSFET的反向導通等效電路（2）（1）：等效電路（門(mén)極加
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邁向更綠色的未來(lái)：GaN技術(shù)的變革性影響
- 過(guò)去幾十年間，人口和經(jīng)濟活動(dòng)的快速增長(cháng)推動(dòng)了全球能源消耗的穩步增長(cháng)，并且預計這一趨勢還將持續。這種增長(cháng)是線(xiàn)下與線(xiàn)上活動(dòng)共同作用的結果。因此，數據中心的快速擴張顯著(zhù)增加了全球電力需求。據估計，2022 年全球數據中心耗電量約為240-340 太瓦時(shí)（TWh）。近年來(lái)，全球數據中心的能源消耗以每年20-40% 的速度持續增長(cháng)[1]。圖1 1910年以來(lái)全球二氧化碳排放量（單位：千兆噸）：總量（上）；按行業(yè)劃分（下）隨著(zhù)能源消耗的增加，相關(guān)的二氧化碳排放量也在2022年達到創(chuàng )紀錄的37 千兆噸。為應對這一問(wèn)題，
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深度 | GaN還是SiC，電氣工程師該如何選擇？
- / 編輯推薦 /氮化鎵晶體管和碳化硅MOSFET是近年來(lái)新興的功率半導體，相比于傳統的硅材料功率半導體，他們都具有許多非常優(yōu)異的特性：耐壓高，導通電阻小，寄生參數小等。他們也有各自與眾不同的特性：氮化鎵晶體管的極小寄生參數，極快開(kāi)關(guān)速度使其特別適合高頻應用。碳化硅MOSFET的易驅動(dòng)，高可靠等特性使其適合于高性能開(kāi)關(guān)電源中。本文基于英飛凌科技有限公司的氮化鎵晶體管和碳化硅MOSFET產(chǎn)品，對他們的結構、特性、兩者的應用差異等方面進(jìn)行了詳細的介紹。引 言作為第三代功率半導體的絕代雙驕，氮化鎵晶體
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功率器件熱設計基礎（八）——利用瞬態(tài)熱阻計算二極管浪涌電流
- / 前言 /功率半導體熱設計是實(shí)現IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統成本，并保證系統的可靠性。功率器件熱設計基礎系列文章會(huì )比較系統地講解熱設計基礎知識，相關(guān)標準和工程測量方法。上一篇講了兩種熱等效電路模型，Cauer模型和Foster模型，這一篇以二極管的浪涌電流為例，講清瞬態(tài)熱阻曲線(xiàn)的應用。浪涌電流二極管的浪涌電流能力是半導體器件的一個(gè)重要參數。在被動(dòng)整流應用中，由于電網(wǎng)的頻率是50Hz，因此10ms的二極管電流
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600v氮化鎵（gan）功率器件介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條600v氮化鎵（gan）功率器件!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對600v氮化鎵（gan）功率器件的理解，并與今后在此搜索600v氮化鎵（gan）功率器件的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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