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EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> 40納米

美光新加坡廠(chǎng)年底導入40納米 為明年大戰暖身

  •   三星電子(Samsung Electronics)、海力士(Hynix)40納米制程開(kāi)始試產(chǎn),爾必達(Elpida)也考慮在2010年直接從65納米跳至40納米制程,美光計劃年底在新加坡12寸廠(chǎng)率先導入40納米制程,將成為美光旗下第1個(gè)導入40納米制程的廠(chǎng)房,為2010年40納米大戰來(lái)臨作暖身!美光指出,雖然現在多家DRAM廠(chǎng)開(kāi)始復工生產(chǎn),但多是采用落后制程生產(chǎn),也很難募得新資金升級機器設備,因此不認為全球DRAM產(chǎn)業(yè)供需會(huì )因此惡化。   美光表示,2009、2010年對美光而言,最大的挑戰是從目前
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DRAM廠(chǎng)40納米開(kāi)戰 50納米恐曇花一現

  •   臺系DRAM廠(chǎng)身陷財務(wù)泥淖且制程停留在70納米制程,然國際大廠(chǎng)卻提前引爆40納米制程大戰!三星電子(Samsung Electronics)40納米制程產(chǎn)品已開(kāi)始送樣,美光(Micron)產(chǎn)品亦趨近成熟,2010年將加入戰局,爾必達(Elpida)這次雖沒(méi)趕上50納米世代,差點(diǎn)出現世代交替斷層危機,公司內部已研擬2010年將略過(guò)50納米世代,直接跳到40納米,50納米恐成短命制程,未來(lái)真正決戰點(diǎn)會(huì )是40納米制程技術(shù)。   三星、海力士(Hynix)、美光等DRAM大廠(chǎng)2009年紛轉進(jìn)50納米制程,且
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微捷碼Quartz DRC和Quartz LVS支持臺積電統一物理驗證格式

  •   芯片設計解決方案供應商微捷碼(Magma®)設計自動(dòng)化有限公司(納斯達克代碼:LAVA)日前宣布,Quartz™ DRC和Quartz LVS現在可支持臺積電(TSMC)互操作設計規則檢查(iDRC)和互操作版圖電路圖一致性檢查(iLVS)。采用這兩種統一的電子設計自動(dòng)化(EDA)數據格式與線(xiàn)性Quartz物理驗證解決方案,微捷碼和臺積電將通過(guò)合作幫助雙方客戶(hù)實(shí)現更輕松快捷、更低成本的臺積電40納米工藝技術(shù)采用。   “在定義適用于所有DRC和LVS工具的互操作通用語(yǔ)
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臺積電40納米良率大躍進(jìn) 已逾60%

  •   外界關(guān)心臺積電40納米制程良率進(jìn)展,臺積電30日法說(shuō)首次破例現場(chǎng)聯(lián)機至Fab 12,請先進(jìn)制程事業(yè)副總劉德音說(shuō)明。劉德音表示,40納米制程良率已從30%進(jìn)展到60%,預期10月其缺陷密度將達0.2左右,同時(shí),臺積電本季40納米制程產(chǎn)能也將沖上3萬(wàn)片。臺積電董事長(cháng)張忠謀則認為,臺積電32、28納米制程,未來(lái)承接CPU訂單的機會(huì )將愈來(lái)愈多。   過(guò)去臺積電法說(shuō)會(huì )多現場(chǎng)問(wèn)答,這次破例進(jìn)行現場(chǎng)與Fab 12即時(shí)聯(lián)機,并由先進(jìn)制程副總劉德音身著(zhù)無(wú)塵衣,親自對外界40納米制程進(jìn)度說(shuō)明釋疑并接受提問(wèn)。劉德音說(shuō),目
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張忠謀:半導體產(chǎn)業(yè)可提前一年復蘇

  •   臺積電董事長(cháng)暨總執行長(cháng)張忠謀30日表示,臺積電第三季度合并營(yíng)收約880億至900億元新臺幣(下同),比第二季度增長(cháng)18.6%到21.3%;第三季度毛利率約為46.5%到48.5 %,大幅優(yōu)于市場(chǎng)預期;今年資本支出預估也由年初的15億美元上修至23億美元,“很高興可以帶給大家驚喜!”   張忠謀回任CEO后,首次主持臺積電說(shuō)明會(huì ),他一口氣調高全球半導體產(chǎn)值(包括芯片代工產(chǎn)值)、電子產(chǎn)品產(chǎn)值、第三季營(yíng)收、全年資本支出共四項數據。半導體產(chǎn)業(yè)的復蘇速度也比先前預期的更快,預估2011
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臺積電2009年第二季每股盈余新臺幣0.94元

  •   臺灣積體電路制造股份有限公司今(30)日公布2009年第二季財務(wù)報告,合并營(yíng)收為新臺幣742.1億元,稅后純益為新臺幣244.4億元,每股盈余為新臺幣0.94元(換算成美國存托憑證每單位為0.14美元)。   與2008年同期相較,2009年第二季營(yíng)收減少15.8%,稅后純益減少15%,每股盈余則減少了13.9%。與前一季相較,2009年第二季營(yíng)收增加了87.9%,稅后純益增加1467.9%,每股盈余則增加了1466.5%。這些財務(wù)數字皆為合并財務(wù)報表數字,并系依照中華民國一般公認會(huì )計準則所編制。
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臺積電Q2毛利率攀升至46.2% 45nm出貨三倍增長(cháng)

  •   臺積電7月30日公布2009年第二季財務(wù)報告,合并營(yíng)收為新臺幣742.1億元,稅后純益為新臺幣244.4億元,每股盈余為新臺幣0.94元。   與2008年同期相較,2009年第二季營(yíng)收減少15.8%,稅后純益減少15%,每股盈余則減少了13.9%。與前一季相較,2009年第二季營(yíng)收增加了87.9%,稅后純益增加1467.9%,每股盈余則增加了1466.5%。這些財務(wù)數字皆為合并財務(wù)報表數字,并系依照中華民國一般公認會(huì )計準則所編制。   2009年第二季毛利率為46.2%,營(yíng)業(yè)利益率為33.9%,
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意法半導體成為Globalfoundries首位新客戶(hù)

  •   據國外媒體報道,今年初從AMD分拆出來(lái)的芯片制造業(yè)務(wù)新公司Globalfoundries今天宣布,意法半導體(STMicroelectronics)已成為Globalfoundries除AMD之外的首位新客戶(hù)。   AMD今年3月初完成了其制造工廠(chǎng)業(yè)務(wù)的分拆工作,這部分業(yè)務(wù)已并入同阿布扎比(Abu Dhabi)國有風(fēng)險投資公司ATIC組建的合資公司,公司新名稱(chēng)為Globalfoundries。分拆工作完成后,Globalfoundries實(shí)際身份已是一家芯片代工商,雖然AMD為其主要客戶(hù),但其他科技
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微捷碼宣布東芝公司部署Talus進(jìn)行ASIC和ASSP設計

  •   芯片設計解決方案供應商微捷碼(Magma)設計自動(dòng)化有限公司日前宣布,世界領(lǐng)先的消費電子半導體供應商日本東芝公司(Toshiba Corporation)已在其世界范圍設計中心部署了微捷碼的Talus IC實(shí)現軟件以進(jìn)行針對多媒體、網(wǎng)絡(luò )和打印機應用的90納米、65納米和40納米工藝節點(diǎn)IC的開(kāi)發(fā)。東芝公司是在對Talus進(jìn)行廣泛評估,證明該軟件能夠大幅縮短設計周期、提高設計師生產(chǎn)率并改善結果質(zhì)量后才作出的這個(gè)決定。事實(shí)上,早在2001年?yáng)|芝公司就已在其Apex流程中部署了微捷碼設計實(shí)現軟件,現在通過(guò)其
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三星電子率先量產(chǎn)40納米DDR3 DRAM

  •   7月21日三星電子宣布已經(jīng)開(kāi)始量產(chǎn)40納米2Gb DDR3 Dram。這是該級別產(chǎn)品全世界首次進(jìn)入量產(chǎn)。同時(shí)該產(chǎn)品比去年九月量產(chǎn)的50納米產(chǎn)品擁有更高的量產(chǎn)性。   據悉,繼2008年9月三星電子在業(yè)內首次量產(chǎn)50納米DDR3 Dram之后,該公司又于2009年1月首次開(kāi)發(fā)出40納米2Gb DDR3 Dram并于本月首次投入量產(chǎn)。三星電子通過(guò)不斷簡(jiǎn)化生產(chǎn)工藝縮短生產(chǎn)時(shí)間,極大地提高了生產(chǎn)效率和成本競爭力。   三星電子表示,新一代量產(chǎn)的40納米產(chǎn)品擁有更高的科技水平和環(huán)保型解決方案從而將獲得比50
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Magma宣布推出基于Talus的RTL-to-GDSII低功耗參考流程

  •   芯片設計解決方案供應商微捷碼(Magma®)設計自動(dòng)化有限公司日前宣布,一款支持臺聯(lián)電(UMC)先進(jìn)40納米工藝的集成化低功耗IC實(shí)現參考流程正式面市。   這款參考流程采用UMC 40納米工藝和UMC 40納米低漏電單元庫;它以微捷碼Talus® IC實(shí)現系統為基礎且完全支持統一功率格式(UPF),使得設計師能夠在單一環(huán)境內貫穿整個(gè)實(shí)現流程地解決低功耗納米設計問(wèn)題,從而在縮短設計周期的同時(shí)最大程度提高結果質(zhì)量(QoR)。此前,微捷碼已向市場(chǎng)推出了與其相類(lèi)似的90納米和65納米低功耗
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NetLogic與臺積電在40納米技術(shù)領(lǐng)域合作

  •   NetLogic Microsystems公司與臺灣積體電路制造股份有限公司今(14)日宣布,在領(lǐng)先業(yè)界的40納米泛用型制程技術(shù)領(lǐng)域合作,推出NetLogic Microsystems下一世代先進(jìn)的knowledge-based網(wǎng)絡(luò )處理器及10/40/100 Gigabit 實(shí)體層(Physical Layer)解決方案。NetLogic Microsystems是knowledge-based網(wǎng)絡(luò )處理器及整合高速芯片設計發(fā)展的領(lǐng)導者,也是最先在臺積公司先進(jìn)40納米制程流片與驗證多項產(chǎn)品的客戶(hù)之一。
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TSMC的40nm工藝已經(jīng)達到極限

  •   我們已經(jīng)聽(tīng)到太多關(guān)于TSMC在其40nm工藝上提升良率的難處,在這篇文章里,我從這些消息里進(jìn)行揣測,并推斷出是什么原因阻止晶圓代工廠(chǎng)獲得可接受的良率。   最近,關(guān)于TSMC在40nm工藝的GPU生產(chǎn)過(guò)程中出現的超級低的良率的傳言很多,這個(gè)傳言最初的來(lái)源是FBR Capital Markets的Mehdi Hosseini寫(xiě)的一篇報告,而EE Times的編輯Mark LaPedus引用了Hosseini的說(shuō)法,“我們相信良率低到了20%到30%”。兩家圖形芯片巨頭和其他TS
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碳芯片技術(shù)準備邁向商業(yè)化?

  •   市場(chǎng)研究機構Gartner資深分析師Dean Freeman認為,在碳科技中已經(jīng)最接近商業(yè)化的,就是發(fā)展時(shí)間已經(jīng)超過(guò)15年的鉆石。鉆石是三維架構的碳,根據供應硅晶圓片上40納米(nm)~15微米(micron)鉆石薄膜的廠(chǎng)商指出,其散熱效率是硅的10倍。   二維架構的碳,是厚度3埃(angstrom)的單分子層,又稱(chēng)為石墨烯(graphene),則可藉由比硅高十倍的電子遷移率,達到兆兆赫(terahertz)等級的頻率表現。至于一維架構的碳,則是直徑1nm的納米管(nanotube),其超越硅的特
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聯(lián)電65納米曝良率問(wèn)題 Xilinx受損

  •   繼臺積電傳出40納米制程出現良率問(wèn)題,聯(lián)電客戶(hù)端FPGA(Field Programmable Gate Array)芯片業(yè)者賽靈思(Xilinx),亦傳出因65納米制程良率問(wèn)題,導致高階產(chǎn)品Virtex-5大缺貨,且可能要到9月才能獲得解決。臺積電、聯(lián)電先后在40納米、65納米出狀況,顯示晶圓代工廠(chǎng)宣告已成熟的先進(jìn)制程技術(shù),恐怕還是距離客戶(hù)期待有一段差距,由于晶圓廠(chǎng)跟不上出貨腳步,不僅讓賽靈思急得跳腳,甚至迫使其調降財測。不過(guò),聯(lián)電對此并未發(fā)表評論。   近期半導體業(yè)界最熱門(mén)話(huà)題,就是晶圓代工廠(chǎng)與
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40納米介紹

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