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40納米
40納米 文章 進(jìn)入40納米技術(shù)社區
內存瘋閃存噴 存儲業(yè)界漲勢深度分析
- 9月DRAM價(jià)格猛增13% Flash亦漲4% 最近幾個(gè)月來(lái)，DRAM價(jià)格連連上漲，同時(shí)也拉升了NAND Flash顆粒的價(jià)格。各大晶圓廠(chǎng)和模組廠(chǎng)也都連連傳出利好消息。雖然各大內存廠(chǎng)商的產(chǎn)品訂單和資金流相較2009年年初的金融海嘯時(shí)期已經(jīng)有較大起色，但是這內存的價(jià)格上漲也波及到了電子賣(mài)場(chǎng)中的零售價(jià)格。那么究竟現在的內存產(chǎn)品是怎樣的一個(gè)局面呢，下面小編就給大家來(lái)個(gè)深度分析，給你講講這里面的道道。 9 月的1Gbit DDR2 DRAM的平均報價(jià)約為 1.70 美元，較上個(gè)月多出了近 13%。
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中芯國際將45納米工藝技術(shù)延伸至40納米以及55納米
- 中芯國際今天宣布其45納米的互補型金屬氧化物半導體 (CMOS) 技術(shù)將延伸至40納米以及55納米。 這些新工藝技術(shù)進(jìn)一步豐富了中芯國際現有的技術(shù)能力，更好地滿(mǎn)足全球客戶(hù)的需求，包括快速增長(cháng)的中國市場(chǎng)在內。其應用產(chǎn)品包括多媒體產(chǎn)品、圖形芯片、芯片組以及手機設備(如3G/4G 手機)。 “中芯國際上海的12英寸廠(chǎng)已提前達標完成了45納米的技術(shù)工藝。我們也同樣期盼著(zhù)這些附加的延伸技術(shù)能取得佳績(jì)。”張汝京博士 -- 中芯國際總裁兼首席執行長(cháng)表示，“這些新技術(shù)為
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晶圓代工砸銀彈 聯(lián)電2010年資本支出倍增
- 因應景氣翻揚，晶圓代工廠(chǎng)臺積電、聯(lián)電紛紛備妥銀彈展開(kāi)資本支出競賽，其中45/40納米產(chǎn)能擴充將是2009~2010年重點(diǎn)，而臺積電則于40納米制程世代起一并提供客戶(hù)全套式的前、后段制程代工服務(wù)，加上太陽(yáng)能產(chǎn)廠(chǎng)將動(dòng)工，預料2010年資本支出上看30億美元，不過(guò)同業(yè)聯(lián)電的資本支出增幅更為驚人，2010年資本支出可望翻一倍達到10億美元。 2008 年臺積電、聯(lián)電受到金融風(fēng)暴影響，緊急在資本支出踩煞車(chē)，讓半導體設備業(yè)者陷入寒冬，如今景氣狀況回穩，2009年上半起資本支出逐漸解凍，到了下半年臺積電、聯(lián)電
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爾必達擬投資4.52億美元提高40納米芯片產(chǎn)量
- 日本最大閃存芯片制造商爾必達表示，可能投資至多400億日元(約合4.52億美元)提高40納米芯片的產(chǎn)量，達到公司芯片總產(chǎn)量的一半。 爾必達發(fā)言人表示，公司計劃今年開(kāi)始大規模生產(chǎn)這一產(chǎn)品。他說(shuō)，為了反映市場(chǎng)狀況，爾必達決定加快投資步伐。 爾必達、三星電子、海力士半導體等芯片制造商正在降低芯片尺寸，以增加一片晶圓所能切割出的芯片數量，以此降低成本，應對產(chǎn)品價(jià)格不斷下滑的局面。爾必達說(shuō)，從當前的50納米技術(shù)轉向較小的芯片尺寸，公司可以將每片晶圓的芯片產(chǎn)量提高44%。 亞洲最大半導體現貨市場(chǎng)
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臺積電老將再出山 蔣尚義領(lǐng)命戰研發(fā)
- 不知是否是因為Global Foundries的步步威脅，臺積電28日宣布，延聘3年前離職的蔣尚義博士擔任研究發(fā)展資深副總經(jīng)理，他將直接對張忠謀董事長(cháng)負責。 這是繼張忠謀6月重新執政臺積電以來(lái)，又一次重大的人事調整。蔣尚義博士早在1997年即加入臺積電擔任研究發(fā)展副總經(jīng)理，帶領(lǐng)研發(fā)團隊一路順利開(kāi)發(fā)完成0.25微米、0.18微米、0.13微米、90納米、65納米等各個(gè)世代的先進(jìn)工藝技術(shù)，成果斐然。但是三年多前因為要照顧年邁生病的父親而暫時(shí)離開(kāi)，如今因父親仙逝而能再度回到臺積，相信蔣資深副總的回任，
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制程差距擴大 臺灣DRAM廠(chǎng)隱憂(yōu)
- 臺灣DRAM大廠(chǎng)南科宣布8億股現金增資計劃，預計籌措100億元以上資金，全數投入50納米制程，以及償還公司債，盡管DRAM現貨價(jià)格已站上每顆2美元，時(shí)間點(diǎn)來(lái)得比預期早，國內DRAM廠(chǎng)暫時(shí)度過(guò)最艱困的時(shí)刻，但三星半導體將在明年把40納米推升為生產(chǎn)線(xiàn)主力，成本大幅降低的優(yōu)勢，勢必更加顯著(zhù)，臺廠(chǎng)與國外一線(xiàn)大廠(chǎng)的苦戰還是難免。 由于DDR2過(guò)渡至DDR3面臨產(chǎn)能轉換的瓶頸期，導致DDR3產(chǎn)能不足，進(jìn)一步拉抬DDR2價(jià)格，原本內存模塊廠(chǎng)預測，今年第四季底，DDR2現貨價(jià)才有機會(huì )達到2美元，但根據集邦科技報
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LSI 推出業(yè)界首款 40nm 串行 PHY
- 日前，LSI 公司宣布其開(kāi)始提供業(yè)界首款專(zhuān)為筆記本電腦、臺式機以及企業(yè)級硬盤(pán)驅動(dòng)器(HDD) 市場(chǎng)領(lǐng)域設計的 40 納米多接口物理層(PHY) IP 樣片。 所有主要 HDD 和固態(tài)驅動(dòng)器(SSD) 制造商均可在其片上系統(SoC)設計方案中集成 LSI TrueStore® PHY9500 這一統一解決方案，也可支持 6Gb/s SAS、6Gb/s SATA 及 4.25Gb/s 光纖通道接口標準。驅動(dòng)器制造商通過(guò)在其 SoC中集成 PHY9500，不僅可大幅降低驗證及開(kāi)發(fā)成本，而且還
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中芯45納米搭上IBM快車(chē) 4Q投產(chǎn)
- 臺積電40/45納米制程傳出好消息，對岸的晶圓代工廠(chǎng)中芯國際也緊跟在后!中芯國際表示，45納米搭上IBM技術(shù)陣營(yíng)的共通平臺 (Common Platform)，進(jìn)展也將愈追愈快，預計2009年底將正式投產(chǎn)(Tape-out)，2010年放量生產(chǎn)。中芯國際認為在機器設備折舊攤提持續下降與高階制程加入雙重效果下，2010年期待實(shí)現獲利。 IBM陣營(yíng)愈來(lái)愈壯大，除了三星電子(Samsung Electronics)、新加坡特許(Chartered)與全球晶圓(Global Foundries)以外，中
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臺積電40納米良率偏低 傳給予客戶(hù)代工折扣
- 原先預期繪圖晶片雙雄40納米大戰將會(huì )在2009年第2季正式開(kāi)打，其中超微(AMD)所推出ATI Radeon HD 4770備受市場(chǎng)關(guān)注，稍后NVIDIA也會(huì )跟進(jìn)發(fā)布40納米產(chǎn)品，但出乎預料的是，由于臺積電40納米制程良率偏低，傳出僅達2成左右，令超微受傷遭受重創(chuàng )。 超微5月初準備大舉登場(chǎng)的ATI Radeon HD 4770繪圖芯片，首度導入臺積電40納米制程，由于功耗降低、效能提升，備受市場(chǎng)期待，然在6月時(shí)因實(shí)際出貨量相當稀少，僅少數一線(xiàn)業(yè)者有貨可賣(mài)，使得超微錯失逆轉契機，外界開(kāi)始質(zhì)疑40納
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ARM開(kāi)發(fā)出2GHz 雙核Cortex A9芯片
- ARM當地時(shí)間17早上宣稱(chēng)開(kāi)發(fā)出2GHz的雙核版Cortex-A9架構處理器,它基于40納米制程構建,在沒(méi)有提升功耗的前提下提高了速度,每個(gè)處理單元功耗最低可達0.25W. 這款芯片主要用于高速家庭設備以及空間應用等需要低功耗、小空間的計算環(huán)境. ARM將制造40納米芯片的任務(wù)交給了臺積電,實(shí)際交貨要等到今年秋天. 2GHz芯片不大可能這么早裝載在手機上,但有可能會(huì )在MID上出現,目前蘋(píng)果iPhone正在使用其上一代產(chǎn)品Cortex A8,這款芯片由三星設計,頻率達到600MHz.
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全球DRAM業(yè)僅韓廠(chǎng)賺錢(qián)
- 盡管近期DRAM價(jià)格大幅反彈，但估計2009年第3季仍?xún)H有韓系兩大廠(chǎng)三星電子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix)可以賺錢(qián)，2010年再輪到美光(Micron)和爾必達(Elpida)轉虧為盈，至于臺廠(chǎng)方面，由于 2010年三星制程技術(shù)將晉級到40納米，以目前臺廠(chǎng)腳步，未來(lái)恐將會(huì )有多家大廠(chǎng)被迫淡出標準型DRAM市場(chǎng)。 DRAM價(jià)格雖已開(kāi)始反彈，然復原最快廠(chǎng)商仍是三星，第2季已開(kāi)始賺錢(qián)，預計第3季三星和海力士?jì)纱箜n廠(chǎng)都可望進(jìn)入獲利，隨著(zhù)DRAM產(chǎn)業(yè)逐步復蘇，美光和爾必達2
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臺積電打入CPU代工市場(chǎng) 獲Sun高端處理器訂單
- 經(jīng)過(guò)一年半的合作，臺積電終于拿下首顆高階服務(wù)器處理器代工訂單，正式進(jìn)入CPU代工市場(chǎng)!美國Sun Microsystems最近在美國Hot Chips大會(huì )中，發(fā)表新款16核心Rainbow Falls系統處理器，該款處理器主要委由臺積電40納米制程代工，明年可望順利量產(chǎn)投片，成為臺積電明年營(yíng)收成長(cháng)的主要動(dòng)力來(lái)源之一。 臺積電與Sun在去年2月底宣布合作，Sun將把先前的服務(wù)器用UltraSPARC處理器，委由臺積電以45/40納米代工，未來(lái)世代的處理器也將交由臺積電生產(chǎn)。另外，臺積電也與Sun合
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NVIDIA部署Quartz作為40納米及40納米以下設計規則檢查器
- 芯片設計解決方案供應商微捷碼(Magma®)設計自動(dòng)化有限公司日前宣布，NVIDIA公司已部署Quartz™ DRC作為40納米及40納米以下工藝節點(diǎn)IC的主要設計規則檢查器。NVIDIA打算將微捷碼物理驗證工具用于從定制單元開(kāi)發(fā)到全芯片驗證的各種應用。NVIDIA是在多項65納米設計上使用了Quartz DRC并發(fā)現其提供了較現有物理驗證工具顯著(zhù)縮短的驗證周期后才選擇Quartz DRC進(jìn)行40納米和40納米以下設計。 “自從向65納米工藝節點(diǎn)發(fā)展以來(lái)，我們一直
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Magma客戶(hù)通過(guò)采用Talus 設計實(shí)現系統
- 芯片設計解決方案供應商微捷碼(Magma)設計自動(dòng)化有限公司日前宣布，微捷碼客戶(hù)們通過(guò)采用微捷碼的Talus® netlist-to-GDSII設計實(shí)現系統，已完成超過(guò)50次的45納米及45納米以下工藝節點(diǎn)的芯片投片，次數遠超過(guò)任何其它EDA供應商的實(shí)現系統。作為微捷碼專(zhuān)為45/40納米及更小工藝節點(diǎn)芯片而設計的下一代實(shí)現平臺，Talus現已在廣大微捷碼客戶(hù)中得到廣泛使用，其最新版本Talus 1.1對于45/40納米工藝節點(diǎn)設計更是展現出特殊的優(yōu)勢。 就應用類(lèi)型而言，現已完成的45/4
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富士通微電子與臺積電合作發(fā)展28納米工藝技術(shù)
- 日本富士通微電子株式會(huì )社與臺灣積體電路制造股份有限公司27日宣布，雙方同意以臺積電先進(jìn)的技術(shù)平臺為基礎，針對富士通微電子的28納米邏輯IC產(chǎn)品進(jìn)行生產(chǎn)、共同開(kāi)發(fā)并強化28納米高效能工藝。在這之前，富士通微電子與臺積電已經(jīng)就40納米工藝進(jìn)行合作。這項協(xié)定代表富士通微電子將延伸已經(jīng)在臺積電生產(chǎn)的40納米產(chǎn)品，雙方將共同發(fā)展最佳化的28納米高效能工藝，而首批28納米工程樣品預計于2010年年底出貨。 這項先進(jìn)技術(shù)的合作將富士通微電子在先進(jìn)高速工藝與低耗電設計技術(shù)的專(zhuān)長(cháng)及優(yōu)勢，以及臺積電節能的高效能邏輯
- 關(guān)鍵字： 富士通 28納米 40納米
40納米介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條40納米!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對40納米的理解，并與今后在此搜索40納米的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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