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40納米
40納米 文章 進(jìn)入40納米技術(shù)社區
40納米以下客戶(hù)少 晶圓代工2012年恐供過(guò)于求
- 全球4大晶圓代工廠(chǎng)2010年積極擴充40納米以下先進(jìn)制程產(chǎn)能，臺積電、聯(lián)電、全球晶圓(Global Foundries)與中芯(SMIC)資本支出金額逾100億美元。然而，目前40納米以下先進(jìn)制程客戶(hù)只有超微(AMD)、NVIDIA、賽靈思 (Xilinx)等少數大廠(chǎng)，隨著(zhù)4大晶圓代工廠(chǎng)產(chǎn)能在2012年相繼開(kāi)出，屆時(shí)恐有供過(guò)于求的疑慮。 2009年臺積電與全球晶圓的40納米制程技術(shù)開(kāi)始進(jìn)入量產(chǎn)，三星電子(Samsung Electronics)、聯(lián)電也隨后跟進(jìn)，中芯則預估于2011年下半進(jìn)入量產(chǎn)
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二線(xiàn)廠(chǎng)開(kāi)火 臺積電40納米可能降價(jià)
- 晶圓代工40納米價(jià)格戰開(kāi)打，設備商傳出， 聯(lián)電、全球晶圓(GF)、 三星近期打算以低價(jià)搶市，龍頭廠(chǎng)商臺積電因應二線(xiàn)廠(chǎng)點(diǎn)燃價(jià)格戰戰火，本周舉行季度業(yè)務(wù)周時(shí)，有可能同步降價(jià)因應，恐壓抑臺積電毛利與營(yíng)收動(dòng)能。 臺積電15日表示，每一個(gè)制程，都會(huì )在成本下降后，與客戶(hù)分享利潤，公司今年與客戶(hù)的價(jià)格，去年上半年就談好，不會(huì )因為市場(chǎng)供需有所變動(dòng)。間接否認加入40納米價(jià)格戰的說(shuō)法。 臺積電本周將展開(kāi)季度業(yè)務(wù)周(Sales Week);據了解，臺積電內部會(huì )針對第四季客戶(hù)需求再次確認，并先了解明年上半訂單狀況
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TSMC 2010年第二季每股盈余新臺幣1.55元 第三季增長(cháng)勢頭繼續
- TSMC 29日公布2010年第二季財務(wù)報告，合并營(yíng)收為新臺幣1,049.6億元，稅后純益為新臺幣402.8億元，每股盈余為新臺幣1.55元(換算成美國存托憑證每單位為0.24美元)。 與2009年同期相較，2010年第二季營(yíng)收增加41.4%，稅后純益增加64.8%，每股盈余則增加了65%。與前一季相較，2010年第二季營(yíng)收增加了13.9%，稅后純益及每股盈余皆增加了19.7%。這些財務(wù)數字皆為合并財務(wù)報表數字，并依照中國臺灣一般公認會(huì )計準則所編制。 2010年第二季毛利率為49.5%，營(yíng)
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TSMC2010年第二季每股盈余新臺幣1.55元
- TSMC昨日公布2010年第二季財務(wù)報告，合并營(yíng)收為新臺幣1,049.6億元，稅后純益為新臺幣402.8億元，每股盈余為新臺幣1.55元(換算成美國存托憑證每單位為0.24美元)。 與2009年同期相較，2010年第二季營(yíng)收增加41.4%，稅后純益增加64.8%，每股盈余則增加了65%。與前一季相較，2010年第二季營(yíng)收增加了13.9%，稅后純益及每股盈余皆增加了19.7%。這些財務(wù)數字皆為合并財務(wù)報表數字，并依照中國臺灣一般公認會(huì )計準則所編制。 2010年第二季毛利率為49.5%，營(yíng)業(yè)利
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中芯國際和Virage Logic拓展伙伴關(guān)系至40納米低漏電工藝
- 備受半導體產(chǎn)業(yè)信賴(lài)的IP供應商Virage Logic公司 和中國最先進(jìn)的半導體制造商中芯國際集成電路有限公司(中芯國際，紐約證券交易所交易代碼：SMI，香港聯(lián)交所交易代碼：0981.HK)日前宣布其長(cháng)期合作伙伴關(guān)系擴展到40納米(nanometer)的低漏電(low-leakage)工藝技術(shù)。Virage Logic 公司和中芯國際從最初的130納米工藝合作起便為雙方共同的客戶(hù)提供具高度差異的 IP，涵蓋的工藝廣泛還包含90納米以及65納米。根據協(xié)議條款，系統級芯片(SoC)設計人員將能夠使用 Vi
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第三季度DRAM價(jià)格或下滑
- 據韓國ET NEWS報導，過(guò)去1年2個(gè)月期間呈現上升趨勢的DRAM價(jià)格，可能將再度下滑。預期第3季DRAM價(jià)格將小幅下滑后止跌，但第4季將會(huì )有大幅的下滑趨勢。雖韓國企業(yè)的凈利也將減少，但對臺灣企業(yè)打擊可能更大。 據相關(guān)業(yè)者及證券師指出，自2009年4月持續上升的DRAM價(jià)格進(jìn)入第3季后可能會(huì )有 5%的價(jià)格下滑。業(yè)界相關(guān)人員表示，第3季DRAM價(jià)格依據PC業(yè)者的調降要求，可能會(huì )有5%的下滑，但DRAM供貨貨量有限制，因此下滑幅度應不大。 摩根大通(JP Morgan Chase &
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TSMC宣布三項能加速系統規格至芯片設計完成時(shí)程的創(chuàng )新技術(shù)
- TSMC 7日宣布擴展開(kāi)放創(chuàng )新平臺服務(wù)，增加著(zhù)重于提供系統級設計、類(lèi)比/混合訊號/射頻設計(analog/mixed-signal (AMS)/RF)，以及二維/三維集成電路(2-D/3-D IC)的設計服務(wù)。TSMC亦同時(shí)針對上述新增的服務(wù)，宣布開(kāi)放創(chuàng )新平臺的三項創(chuàng )新技術(shù)。 TSMC自2008年推出促進(jìn)產(chǎn)業(yè)芯片設計的開(kāi)放創(chuàng )新平臺后，幫助縮短產(chǎn)品上市時(shí)程，改善設計投資的報酬，并減少重復建構設計工具的成本。此開(kāi)放創(chuàng )新平臺包含一系列可相互操作支援的各種設計平臺介面、及合作元件與設計流程，能促進(jìn)供應鏈
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Global Foundries加碼投資 明年40納米戰場(chǎng)更火熱
- 全球晶圓(Global Foundries)加入晶圓代工戰局后動(dòng)作頻頻，不僅合并特許半導體，并大幅擴產(chǎn)，更積極布局先進(jìn)制程，挑戰臺積電與聯(lián)電，市場(chǎng)預期，Global Foundries此次擴充德國廠(chǎng)45/40納米產(chǎn)能后，加上聯(lián)電40納米制程良率提升，以及領(lǐng)先在前頭的臺積電，將使得2011年40納米戰場(chǎng)更為火熱。 目前40納米市場(chǎng)仍由臺積電獨大，不過(guò)此次Global Foundries的擴產(chǎn)計劃中，德國德勒斯登Fab1將于2011年開(kāi)始量產(chǎn)，并且計劃擴充45/40納米制程，同時(shí)聯(lián)電40納米逐漸跟上
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Global Foundries宣布擴充德國與紐約12寸廠(chǎng)產(chǎn)能
- 全球晶圓(Global Foundries)在臺北計算機展(COMPUTEX)首日在臺舉行記者會(huì )，宣布一系列擴產(chǎn)計畫(huà)，執行長(cháng)Douglas Grose指出，Global Foundries將擴充12寸晶圓廠(chǎng)產(chǎn)能，位于德國的Fab1將成為歐洲首座Giga Fab，另外也將目前正在興建的紐約Fab8，將每月產(chǎn)能增加到6萬(wàn)片。 Douglas Grose表示，德國Fab1將成為歐洲首座Giga Fab與最大的12寸廠(chǎng)，產(chǎn)能增加33%，由每月6萬(wàn)片提升到8萬(wàn)片，用以增加45奈米、40奈米與28奈米制程產(chǎn)
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光刻設備交貨延期推遲DRAM 40納米戰局
- 全球DRAM產(chǎn)業(yè)40納米大戰出現變量，由于浸潤式機臺(Immersion Scanner)遞延交貨之故，瑞晶已松口表示，原本計劃年底前旗下8萬(wàn)片12寸晶圓產(chǎn)能要全轉進(jìn)45納米制程的目標，將正式遞延至2011年第1季，其第1臺浸潤式機臺本周才會(huì )正式到貨，比原訂時(shí)程晚了2~3個(gè)月，內部已決定將8萬(wàn)片產(chǎn)能全數轉進(jìn)63納米制程作為應變。DRAM業(yè)者皆認為，全球DRAM 產(chǎn)業(yè)的40納米正式對決時(shí)間點(diǎn)，會(huì )是在2011年! 瑞晶總經(jīng)理陳正坤表示，瑞晶第1臺浸潤式機臺將于本周正式到貨，預計在9月之前會(huì )有5~6臺
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臺灣聯(lián)電第一季凈利潤1.1億美元 實(shí)現同比扭虧
- 據國外媒體報道，臺聯(lián)電(UMC)日前發(fā)布了2010年第一季度業(yè)績(jì)報告。 在今年第一季度中，臺聯(lián)電實(shí)現凈利潤34.8億元新臺幣，約合1.1億美元。去年同期聯(lián)電虧損81.6億新臺幣，而在09年第四季度，公司凈利潤為44億新臺幣。 湯森路透調查的分析師此前普遍認為，臺聯(lián)電第一季度有望實(shí)現凈利潤35.8億元新臺幣。 公司第一季運營(yíng)利潤率為12.7%。這一水平低于競爭對手臺積電同期的37%。臺積電大力推行其更為先進(jìn)的40與65納米工藝技術(shù)，這部分產(chǎn)品帶來(lái)的銷(xiāo)售收入約占公司總收入的41%。
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追隨三星之路 爾必達推出32GB容量模塊
- 日韓DRAM大廠(chǎng)制程競賽延伸至產(chǎn)品規格之戰，在三星電子(Samsung Electronics)于3月底，宣布推出由32GB大容量服務(wù)器內存模塊后，日系內存大廠(chǎng)爾必達(Elpida)也宣布4Gb DDR3芯片正式問(wèn)世，不但采40奈米制程生產(chǎn)，未來(lái)也將用此芯片生產(chǎn)32GB內存模塊，應用于服務(wù)器、大型數據中心或其他大型系統等，DRAM大廠(chǎng)在產(chǎn)品規格之戰，逐漸由主流規格2Gb，延伸至4Gb容量。 爾必達22日指出，將正式推出4Gb DDR3芯片，主要是采用40納米制程生產(chǎn)，且響應近期科技產(chǎn)業(yè)吹起的環(huán)保
- 關(guān)鍵字： Samsung DRAM 40納米
DRAM供不應求因素 供給和需求分析
- 2010年DRAM產(chǎn)業(yè)自谷底回春，不淡擺脫過(guò)去虧損連連的情況，或是各廠(chǎng)要求政府要紓困，幾乎每家DRAM業(yè)者都開(kāi)始賺錢(qián)，且DRAM供不應求情況越來(lái)越嚴重，價(jià)格也不斷上漲，現在DDR3和DDR2價(jià)格1顆3美元的情況發(fā)生在傳統淡季，實(shí)在少見(jiàn)，且缺貨的情況短期內無(wú)法紓解。 市場(chǎng)分析主要原因可分為供給和需求兩方配合。在供給端方面，除了三星電子(SamsungElectronics)實(shí)力和財力雄厚外，廠(chǎng)的資本支出頂多只能應付制程微縮的需求，沒(méi)有多余的資金可蓋新廠(chǎng)房。 再者，2010年各廠(chǎng)轉進(jìn)50或是4
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臺積電與芯片生產(chǎn)商進(jìn)行談判 訂單規模將增加
- 巴黎銀行在本周二公布的投資報告中表示，臺積電公司正在與歐洲及日本的芯片生產(chǎn)商就設備采購問(wèn)題進(jìn)行談判，這也意味著(zhù)臺積電公司的訂單有可能增加。 對于巴黎銀行的報告，臺積電新聞發(fā)言人J.H. Tzeng表示，他目前無(wú)法對此事發(fā)表評論。截至臺北時(shí)間本周五上午9點(diǎn)17分，臺積電股價(jià)上漲了0.3%，報每股62.8新臺幣。目前，臺積電是全球最大的代工芯片生產(chǎn)商。 巴黎銀行分析師在其報告中表示：“臺積電計劃提高其市場(chǎng)份額并擴大市場(chǎng)規模，同時(shí)還將進(jìn)一步豐富其IP組合。通過(guò)這些資產(chǎn)收購，臺積電及其
- 關(guān)鍵字： 臺積電 40納米 芯片代工
40納米介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條40納米!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對40納米的理解，并與今后在此搜索40納米的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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