40納米文章進(jìn)入40納米技術(shù)社區

TSMC推出先進(jìn)工藝之互通式電子設計自動(dòng)化格式

　　TSMC7日宣布針對65納米、40納米及28納米工藝推出已統合且可交互操作的多項電子設計自動(dòng)化(Electronic Design Automation; EDA) 技術(shù)檔案。這些與設計相關(guān)的技術(shù)檔案套裝包括可互通的工藝設計套件(iPDK)、工藝設計規則檢查(iDRC)、集成電路布局與電路圖對比 (iLVS)，及工藝電容電阻抽取模組 (iRCX)。　　iPDK、iDRC、iLVS，及iRCX技術(shù)系由TSMC與EDA合作伙伴一同在半導體產(chǎn)業(yè)的互通項目下通過(guò)驗證，也是TSMC「開(kāi)放創(chuàng )新平臺」之一部份。
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為什么臺積電在40納米代工中能奪冠

　　市場(chǎng)調研公司FBR分析師Hosseini關(guān)于臺積電與聯(lián)電的競爭態(tài)勢展望,認為直到年底全球代工業(yè)仍是不錯, 尤其是高端代工。　　無(wú)論臺積電或者聯(lián)電它們的硅片出貨量都好于預期,2010 Q1臺積電Q/Q持平或者-2%及聯(lián)電為上升3%或者持平。表示市場(chǎng)需求包括消費電子和通訊持好。對于Q2,Hosseini認為臺積電的出貨量有10% 的增長(cháng), 而聯(lián)電也可在8%-10%。　　因為今年代工的業(yè)績(jì)亮麗,所以?xún)纱蟠ぞ揞^的產(chǎn)能成為關(guān)鍵, 它們的產(chǎn)能利用率都很高及不用擔心庫存增加的風(fēng)險。Hosseini認為,臺
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TSMC推出65納米、40納米與28納米之互通式電子設計自動(dòng)化格式

　　TSMC 7日宣布針對65納米、40納米及28納米工藝推出已統合且可交互操作的多項電子設計自動(dòng)化(Electronic Design Automation; EDA) 技術(shù)檔案。這些與設計相關(guān)的技術(shù)檔案套裝包括可互通的工藝設計套件(iPDK)、工藝設計規則檢查(iDRC)、集成電路布局與電路圖對比 (iLVS)，及工藝電容電阻抽取模組 (iRCX)。　　iPDK、iDRC、iLVS，及iRCX技術(shù)系由TSMC與EDA合作伙伴一同在半導體產(chǎn)業(yè)的互通項目下通過(guò)驗證，也是TSMC「開(kāi)放創(chuàng )新平臺」之一部份
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任重而道遠：中芯國際將力爭在今年實(shí)現45納米小批量試產(chǎn)

　　據中芯國際集成電路制造有限公司資深研發(fā)副總季明華撰文披露，2010年，中芯國際將加強65納米的嵌入式工藝平臺和32納米關(guān)鍵模塊的研發(fā);同時(shí)力爭實(shí) 現45納米和40納米技術(shù)的小批量試產(chǎn)。　　在第四屆(2009年度)中國半導體創(chuàng )新產(chǎn)品和技術(shù)評選中，中芯國際有兩項技術(shù)獲獎，其一是 “65納米邏輯集成電路制造工藝技術(shù)”，其二是“0.11微米CMOS圖像傳感器工藝技術(shù)”。　　據介紹，目前，中芯國際已經(jīng)完成了65納米CMOS技術(shù)的認證，并于2009年第三季度
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Altera 40-nm Arria II GX FPGA轉入量產(chǎn)

　　Altera公司今天宣布，開(kāi)始量產(chǎn)發(fā)售40-nm Arria® II GX FPGA系列的第一款器件。Arria II GX器件系列專(zhuān)門(mén)針對3-Gbps收發(fā)器應用，為用戶(hù)提供了低功耗、低成本和高性能FPGA解決方案。廣播、無(wú)線(xiàn)和固網(wǎng)市場(chǎng)等多種大批量應用目前廣泛采用了Arria II GX FPGA。　　Arria II GX FPGA現在量產(chǎn)發(fā)售EP2AGX45和EP2AGX65，它們分別具有45K邏輯單元(LE)和65K LE。對于接入設備、遠程射頻前端、HD視頻攝像機和保密設備等低成本
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繪圖芯片缺貨難解超微NVIDIA扼腕

　　編者點(diǎn)評(莫大康 SEMI China顧問(wèn))：任何事具兩面性，fab lite模式也一樣。IDM廠(chǎng)試圖為節省研發(fā)費用，減少投資而積極推行fab lite及外協(xié)代工模式，其風(fēng)險也是很大的。如今臺積電在40nm的代工良率不足60%，影響AMD和 Nvidia的繪圖芯片出貨就是一個(gè)例證。所以從根本上fab lite是一種被動(dòng)的模式。　　繪圖芯片市場(chǎng)缺貨問(wèn)題依舊存在，繪圖卡業(yè)者透露，由于40奈米制程良率仍不及6成，嚴重影響超微(AMD)、NVIDIA出貨計劃，加上臺積電產(chǎn)能擠爆，使得繪圖芯片舊品亦難以紓解
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美光、南亞科攜手42納米　加入DRAM新技術(shù)戰局

　　美光(Micron)和南亞科正式宣布加入40納米DRAM制程大戰，今(9)日將攜手宣布42納米2Gb容量DDR3產(chǎn)品正式問(wèn)世，同時(shí)也全面導入銅制程技術(shù)，與三星電子(Samsung Electronics)的46納米、海力士(Hynix)44納米和爾必達(Elpida)45納米相比，美光陣營(yíng)的每片DDR3晶圓尺寸由于體積最小且產(chǎn)出數量最多，預計在2010年第2季試產(chǎn)，而策略伙伴南亞科和華亞科也將于下半年導入42納米制程，與爾必達旗下力晶和瑞晶導入45納米的時(shí)間點(diǎn)相仿。　　2010 年DRAM市場(chǎng)50
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晶圓雙雄再掀12寸廠(chǎng)投資潮　業(yè)界擔憂(yōu)恐造成產(chǎn)能過(guò)剩

　　繼臺積電提高2010年資本支出達48億美元，晶圓專(zhuān)工大廠(chǎng)聯(lián)電3日亦宣布，提高2010年資本支出達12億~15億美元，其中約有94%將用于擴充12寸先進(jìn)制程產(chǎn)能。聯(lián)電執行長(cháng)孫世偉表示，聯(lián)電65納米成長(cháng)會(huì )非常迅速，45/40納米世代占營(yíng)收比重將增加，同時(shí)良率已很穩健。值得注意的是，臺積電、聯(lián)電紛上看2010年晶圓代工產(chǎn)業(yè)將成長(cháng)3成，樂(lè )觀(guān)預期公司可望同步跟著(zhù)成長(cháng)，并加碼資本支出，透露在兩大龍頭廠(chǎng)帶領(lǐng)下，將再度掀起12寸廠(chǎng)投資熱潮。　　孫世偉表示，對于2010年展望非常樂(lè )觀(guān)，預估半導體產(chǎn)業(yè)可望成長(cháng)13~1
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40納米成DRAM廠(chǎng)流行口號

　　近期DRAM廠(chǎng)掀起一股40納米熱潮，這一切都要從爾必達(Elpida)說(shuō)起。因為爾必達2009年沒(méi)錢(qián)轉進(jìn)50納米技術(shù)制程后，最后決定跳過(guò)50納米，直接轉進(jìn)45納米，這下刺激了美光(Micron)陣營(yíng)，南亞科和華亞科近期宣布42納米制程提前1季導入，讓整個(gè)DRAM產(chǎn)業(yè)在50納米都還沒(méi)看到影子時(shí)，又冒出一堆40納米的話(huà)題，但40納米能為DRAM產(chǎn)業(yè)貢獻多少? 真的有待商榷，只有三星電子(Samsung Electronics)在克服良率困難后，有機會(huì )大量生產(chǎn)，其它陣營(yíng)的40納米技術(shù)，都是口頭說(shuō)說(shuō)成分居多。
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臺積電今年資本支出48億美元創(chuàng )新高震驚市場(chǎng)

　　晶圓代工在龍頭臺積電帶領(lǐng)下再掀投資熱潮，臺積電28日宣布2010年資本支出將創(chuàng )下歷史新高達48億美元，較2000年次高紀錄的33億美元大增45%，亦較2009年暴增70%，令市場(chǎng)咋舌!同時(shí)據統計，目前臺積電在45/40奈米制程高達9成市占，制程愈先進(jìn)市占率愈高，面對競爭對手聯(lián)電、全球晶圓(Global Founfries)來(lái)勢洶洶，臺積電老神在在。　　臺積電展望第1季營(yíng)收較2009年第4季持平符合市場(chǎng)預期，不過(guò)公布的2010年資本支出高達48億美元卻超出市場(chǎng)原預期的40億~45億美元區間，令市場(chǎng)驚
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臺積電2009年第四季每股盈余新臺幣1.26元

　　TSMC今(28)日公布2009年第四季財務(wù)報告，合并營(yíng)收為新臺幣920.9億元，稅后純益為新臺幣326.7億元，每股盈余為新臺幣1.26元(換算成美國存托憑證每單位為0.19美元)。　　與2008年同期相較，2009年第四季營(yíng)收增加42.6%，稅后純益增加162.5%，每股盈余則增加了162.7%。與前一季相較，2009年第四季營(yíng)收增加了2.4%，稅后純益增加6.9%，每股盈余則增加了7.2%。這些財務(wù)數字皆為合并財務(wù)報表數字，并依照中國臺灣一般公認會(huì )計準則所編制。　　2009年第四季毛利率
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張忠謀親赴上海受矚目臺積電對此次行程不予置評

　　兩岸經(jīng)濟合作架構協(xié)議(ECFA)25日展開(kāi)第1次協(xié)商，業(yè)界傳出臺積電董事長(cháng)張忠謀日前親赴上海會(huì )見(jiàn)當地重量級官方代表，張忠謀前往上海當日，正巧華虹NEC與宏力半導體宣布合資興建12寸廠(chǎng)，張忠謀應大陸官方之邀，以?xún)砂栋雽w產(chǎn)業(yè)大老身分給予產(chǎn)業(yè)建言。不過(guò)，臺積電對于張忠謀行程不予置評，中芯國際亦否認張忠謀此行與執行長(cháng)王寧國會(huì )面。　　張忠謀上周緊急飛往上海，業(yè)界傳出張忠謀可能與上海重量級官方代表會(huì )面，半導體業(yè)者指出，張忠謀此行受到矚目且頗為敏感，主要系因兩岸經(jīng)濟合作架構協(xié)議25日首次展開(kāi)協(xié)商，由于過(guò)去張忠
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4大DRAM陣營(yíng)競爭激烈美光、爾必達提前導入40納米

　　2010年4大DRAM陣營(yíng)三星電子(Samsung Electronics)、海力士(Hynix)、爾必達(Elpida)和美光(Micron)戰場(chǎng)直接拉到40納米世代!繼爾必達跳過(guò)50納米制程，大舉轉換至45納米后，美光陣營(yíng)也不甘示弱宣布年中將同步轉42納米。華亞科表示，表示旗下的50納米制程是最正統的完整世代技術(shù)，并非是制程微縮下的產(chǎn)物，因此成本競爭力有十足把握;在爾必達、美光跟上制程進(jìn)度后，年底4大陣營(yíng)技術(shù)實(shí)力大幅縮小，競爭更激烈。　　雖然三星電子和海力士已先一步轉到40納米世代，其中三星是
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臺積電12寸廠(chǎng)2年內達10座　堪稱(chēng)業(yè)界之冠

　　臺積電新竹Fab 12第5期(phase 5)19日正式舉行上梁典禮，臺積電營(yíng)運資深副總劉德音表示，phase 5預計2010年第3季投入28納米制程量產(chǎn)，此外，南科Fab 14第4期廠(chǎng)房過(guò)完農歷年后亦將開(kāi)始動(dòng)工興建，以加速擴充40納米制程產(chǎn)能。他并透露，未來(lái)新竹亦規劃投入phase 6用來(lái)投資22納米制程。因此，根據臺積電目前建廠(chǎng)規畫(huà)估算，2年內臺積電12寸廠(chǎng)數將高達10座之多，堪稱(chēng)業(yè)界之冠! 　　臺積電新竹Fab 12第5期19日舉行上梁典禮，典禮主持人劉德音表示，預計2010年第3季迅速完工裝
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Globalfoundries紐約州巨資建晶圓廠(chǎng) 預計2012年完工

　　AMD旗下的Globalfoundries(GF)合并新加坡特許后，計劃斥資42億美元，在紐約州建立12寸新晶圓廠(chǎng)(Fab8)，2012年完工19日第五期將舉行上梁典禮。　　臺積電12廠(chǎng)第五期上梁典禮，將由資深營(yíng)運副總劉德音主持。設備商指出，今年半導體景氣進(jìn)入多頭，全球三大晶圓代工廠(chǎng)擴產(chǎn)火力全開(kāi)，三家公司新廠(chǎng)房總耗資172億美元，相當于新臺幣5,469億元，支出將高度集中在今、明兩年，有史以來(lái)最大。　　GF目前擁有新加坡特許Fab7與德勒斯登Fab1，兩座12寸晶圓廠(chǎng)，為了擴大40納米以下先進(jìn)
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