DRAM廠(chǎng)40納米開(kāi)戰　50納米恐曇花一現

　　臺系DRAM廠(chǎng)身陷財務(wù)泥淖且制程停留在70納米制程，然國際大廠(chǎng)卻提前引爆40納米制程大戰!三星電子(Samsung Electronics)40納米制程產(chǎn)品已開(kāi)始送樣，美光(Micron)產(chǎn)品亦趨近成熟，2010年將加入戰局，爾必達(Elpida)這次雖沒(méi)趕上50納米世代，差點(diǎn)出現世代交替斷層危機，公司內部已研擬2010年將略過(guò)50納米世代，直接跳到40納米，50納米恐成短命制程，未來(lái)真正決戰點(diǎn)會(huì )是40納米制程技術(shù)。

　　三星、海力士(Hynix)、美光等DRAM大廠(chǎng)2009年紛轉進(jìn)50納米制程，且進(jìn)入量產(chǎn)出貨階段，然臺廠(chǎng)技術(shù)卻仍停留在70納米制程，甚至身陷生存危機，然更危急之處在于國際大廠(chǎng)現在都開(kāi)始布局40納米制程，2010年40納米大戰確定提前引爆，50納米技術(shù)恐成短命的過(guò)渡制程。

　　DRAM廠(chǎng)表示，三星不僅維持50納米制程世代領(lǐng)先地位，更積極研發(fā)40納米產(chǎn)品，且已進(jìn)入成熟階段，開(kāi)始送樣給客戶(hù)進(jìn)行驗證，初期會(huì )從6F2技術(shù)切入，完全不用更新機器設備，每片晶圓產(chǎn)出可增加20%，相當具成本競爭力，待良率成熟后，再進(jìn)入高階4F2技術(shù)，40納米制程將是三星重點(diǎn)布局的秘密武器。

　　美光40納米制程已進(jìn)入成熟階段，預計于2010年進(jìn)入量產(chǎn)，美光是全球第1家導入6F2技術(shù)的DRAM廠(chǎng)，在0.11微米制程世代就開(kāi)始導入，根據美光內部藍圖規畫(huà)，待40納米6F2技術(shù)成熟后，亦將緊接著(zhù)導入4F2技術(shù)。

　　臺廠(chǎng)方面，南亞科和華亞科預計2009年下半開(kāi)始導入50納米制程，目標2010年底全數產(chǎn)能轉進(jìn)50納米，且產(chǎn)品線(xiàn)全規劃為DDR3，由于轉進(jìn)40納米所需要機臺、銅制程技術(shù)等，南亞科和華亞科在規劃50納米制程時(shí)，都已配備齊全，因此，后續切入40納米速度相當快，初期先規劃6F2技術(shù)，再轉進(jìn)4F2技術(shù)，將是唯一有能力同時(shí)加入50和40納米戰局的臺DRAM廠(chǎng)。

　　至于爾必達在這次50納米制程大戰，由于金融風(fēng)暴襲擊，新制程出現斷層危機，只能停留在65納米制程，短期因應對策是研發(fā)省錢(qián)的制程技術(shù)，業(yè)界暫稱(chēng)為60納米制程技術(shù)，在不需要購買(mǎi)新機臺下，成本可再降20%。爾必達內部已研擬將略過(guò)50納米制程，2010年直接由60納米跳到40納米制程，以免落后競爭對手太多。

　　DRAM廠(chǎng)認為，50納米未來(lái)恐是短命制程，未來(lái)真正決戰點(diǎn)會(huì )是40納米制程，若DRAM廠(chǎng)此時(shí)能募得資金布局40納米，才有機會(huì )在2010年扳回一城。