美光出貨全球首款232層NAND，進(jìn)一步鞏固技術(shù)領(lǐng)先地位

Micron Technology, Inc.（美光科技股份有限公司，納斯達克股票代碼：MU）今日宣布已量產(chǎn)全球首款 232 層 NAND。它采用了業(yè)界領(lǐng)先的創(chuàng )新技術(shù)，從而為存儲解決方案帶來(lái)前所未有的性能。與前幾代 NAND 相比，該產(chǎn)品擁有業(yè)界最高的面密度和更高的容量及能效，能為客戶(hù)端及云端等數據密集型應用提供卓越支持。

美光技術(shù)與產(chǎn)品執行副總裁 Scott DeBoer 表示：“美光 232 層 NAND 率先在生產(chǎn)中將 3D NAND堆疊層數擴展到超過(guò) 200 層，可謂存儲創(chuàng )新的分水嶺。此項突破性技術(shù)得益于廣泛的創(chuàng )新，包括創(chuàng )建高深寬比結構的先進(jìn)工藝能力、新型材料的進(jìn)步，以及基于美光市場(chǎng)領(lǐng)先的 176 層 NAND 技術(shù)所進(jìn)行的進(jìn)一步設計創(chuàng )新?！?/span>

領(lǐng)先技術(shù)鑄就卓越性能

隨著(zhù)全球數據量的增加，客戶(hù)必須擴大存儲容量，提升性能，同時(shí)降低能耗，并滿(mǎn)足對環(huán)境可持續發(fā)展更為嚴格的要求。美光 232 層 NAND 技術(shù)提供了必要的高性能存儲，支持數據中心和汽車(chē)應用所需的先進(jìn)解決方案和實(shí)時(shí)服務(wù)，同時(shí)還可在移動(dòng)設備、消費電子產(chǎn)品和 PC 上實(shí)現快速響應和沉浸式體驗。美光還在該技術(shù)節點(diǎn)上實(shí)現了業(yè)界最快的 NAND 輸入/輸出（I/O）速度¹（每秒2.4GB），以滿(mǎn)足低延遲和高吞吐量的需求，適用于人工智能和機器學(xué)習、非結構化數據庫和實(shí)時(shí)分析，以及云計算等數據密集型工作負載。該 I/O 速度比美光在 176 層節點(diǎn)上所支持的最高速度還要快50%²。相比上一代產(chǎn)品，美光 232 層 NAND 的每顆裸片寫(xiě)入帶寬提升至高100%，讀取帶寬提升至少 75%²。這些優(yōu)勢提升了 SSD 和嵌入式 NAND 解決方案的性能和能效。

此外，美光 232 層 NAND 還是全球首款六平面 TLC 量產(chǎn) NAND³。與其他 TLC 閃存相比，該產(chǎn)品在每顆裸片上擁有最多的平面數量³，且每個(gè)平面都具有獨立的數據讀取能力。高 I/O 速度和低讀寫(xiě)延遲，以及美光的六平面架構，使其可在多種配置中提供一流的數據傳輸能力。該結構可確保減少寫(xiě)入和讀取命令沖突，推動(dòng)系統級服務(wù)質(zhì)量的提升。

美光 232 層 NAND 是首款支持 NV-LPDDR4 的量產(chǎn)技術(shù)。NV-LPDDR4 是一種低壓接口，與此前的 I/O 接口相比，每比特傳輸能耗可降低至少 30%。因此，232 層 NAND 解決方案可實(shí)現高性能與低功耗平衡，是移動(dòng)應用以及數據中心和智能邊緣領(lǐng)域部署的理想之選。此外，該接口還可向后兼容，支持傳統控制器和系統。

232 層 NAND 緊湊的外形規格還便于客戶(hù)進(jìn)行靈活設計，同時(shí)實(shí)現超越歷代產(chǎn)品的每平方毫米最高的 TLC 密度(14.6 Gb/mm²)³。其面密度比當今市場(chǎng)上的 TLC 競品高 35% 到 100%³。它還采用全新的 11.5mm x 13.5mm 封裝規格，較前幾代產(chǎn)品的封裝尺寸小 28%²，使其成為目前市場(chǎng)上尺寸最小的高密度 NAND³。該產(chǎn)品兼具小體積和高密度，因此占用更小的電路板空間，適用于各類(lèi)部署。

下一代 NAND 助力整個(gè)市場(chǎng)實(shí)現創(chuàng )新

美光首席商務(wù)官 Sumit Sadana 表示：“美光持續率先上市更高堆疊層數的 NAND，實(shí)現移動(dòng)設備更長(cháng)的電池續航和更緊湊的存儲空間，提升云計算性能，加快 AI 模型的訓練速度，從而能夠保持長(cháng)期的技術(shù)領(lǐng)先地位。美光 232層 NAND 為端到端存儲創(chuàng )新確立了新基準，助推多個(gè)行業(yè)的數字化轉型。”

232 層 NAND 的開(kāi)發(fā)得益于美光領(lǐng)先業(yè)界的研發(fā)和制程技術(shù)進(jìn)步。這些突破性技術(shù)將幫助客戶(hù)在數據中心、輕薄筆記本電腦、新型移動(dòng)設備和智能邊緣等領(lǐng)域打造更多創(chuàng )新解決方案。

供貨情況

美光 232 層 NAND 目前已在其新加坡晶圓廠(chǎng)實(shí)現量產(chǎn)，并首先以組件形式通過(guò)英睿達（Crucial）SSD 消費類(lèi)產(chǎn)品線(xiàn)向客戶(hù)出貨。其他產(chǎn)品信息及供貨狀況將在稍后公布。

美光位于新加坡的 NAND 卓越中心因其在智能制造領(lǐng)域的優(yōu)秀運營(yíng)能力而被世界經(jīng)濟論壇列入其全球燈塔工廠(chǎng)網(wǎng)絡(luò )。先進(jìn)的 AI 工具、智能控制系統和預測能力使美光能夠加速產(chǎn)品開(kāi)發(fā)，強化產(chǎn)品質(zhì)量，更快提升良率，從而縮短產(chǎn)品上市時(shí)間。

¹上市時(shí) NAND I/O 速度為 1.6GB/s

² 與美光產(chǎn)品數據表比較

³ 與當前市場(chǎng)上出貨的 NAND 產(chǎn)品比較