三星電子236層NAND閃存預計年內開(kāi)始生產(chǎn)

據國外媒體報道，當前全球最大的存儲芯片制造商三星電子，預計會(huì )在年內開(kāi)始生產(chǎn)236層NAND閃存。

此外，它還計劃在本月開(kāi)設一個(gè)新的研發(fā)中心，負責更先進(jìn)NAND閃存產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)。

韓國媒體在報道中還表示，三星目前量產(chǎn)的NAND閃存，最高是176層，在236層的產(chǎn)品量產(chǎn)之后，三星電子NAND閃存的層數就將創(chuàng )下新高。

從韓國媒體的報道來(lái)看，三星電子對即將量產(chǎn)的236層NAND閃存寄予了厚望。他們在報道中就表示，在NAND閃存市場(chǎng)，三星電子的市場(chǎng)份額占了35%，為全球最高。將層數增加60層后，他們計劃憑借生產(chǎn)技術(shù)、價(jià)格及性能上的競爭優(yōu)勢，增加市場(chǎng)份額。

在全球NAND閃存市場(chǎng)上，主要廠(chǎng)商之間的競爭也較為激烈，都在研發(fā)性能更強的產(chǎn)品 —— SK海力士8月2日就在官網(wǎng)宣布，他們已經(jīng)研發(fā)出了238層512Gb TLC 4D NAND，預計在明年上半年開(kāi)始量產(chǎn)。美光科技此前也已宣布，他們完成了232層NAND閃存的研發(fā)。