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3d chiplet
3d chiplet 文章 進(jìn)入3d chiplet技術(shù)社區
Teledyne將在Vision China展示最新3D和AI成像方案
- 中國上海，2023 年 7 月 4 日 — Teledyne 將于 7 月 11-13 日在上海國家會(huì )展中心舉辦的 2023中國（上海）機器視覺(jué)展 (Vision China) 展示最新產(chǎn)品和解決方案。歡迎各位蒞臨 5.1A101 展位了解先進(jìn)的 3D 解決方案，Teledyne DALSA、e2v 和 FL
- 關(guān)鍵字： Teledyne Vision China 3D AI成像
泰瑞達亮相SEMICON China：解讀異構集成和Chiplet時(shí)代下，測試行業(yè)的機遇與挑戰
- 2023年7月3日，中國 北京訊 —— 全球先進(jìn)的自動(dòng)測試設備供應商泰瑞達（NASDAQ:TER）宣布，受邀出席了SEMICON China 2023同期舉辦的“先進(jìn)封裝論壇 - 異構集成”活動(dòng)。在活動(dòng)中，泰瑞達Complex SOC事業(yè)部亞太區總經(jīng)理張震宇發(fā)表題為《異構集成和Chiplet時(shí)代下，芯片測試行業(yè)的機遇與挑戰》的精彩演講，生動(dòng)介紹泰瑞達對于先進(jìn)封裝，在質(zhì)量和成本之間找到平衡和最優(yōu)方案的經(jīng)驗和見(jiàn)解。 SEMICON China是中國最重要的半導體行業(yè)盛事之一，見(jiàn)證中國半導體制造業(yè)的茁
- 關(guān)鍵字： 泰瑞達 SEMICON China 異構集成 Chiplet
3D NAND 堆疊可超 300 層，鎧俠解讀新技術(shù)
- 5 月 5 日消息， 鎧俠和西數展示最新的技術(shù)儲備，雙方正在努力實(shí)現 8 平面 3D NAND 設備以及具有超過(guò) 300 條字線(xiàn)的 3D NAND IC。根據其公布的技術(shù)論文，鎧俠展示了一種八平面 1Tb 3D TLC NAND 器件，有超過(guò) 210 個(gè)有源層和 3.2 GT/s 接口，可提供 205 MB/s 的程序吞吐量，讀取延遲縮小到 40 微秒。此外，鎧俠和西部數據還合作開(kāi)發(fā)具有超過(guò) 300 個(gè)有源字層的 3D NAND 器件，這是一個(gè)具有實(shí)驗性的 3D NAND IC，通過(guò)金屬誘導側向
- 關(guān)鍵字： 3D NAND
突破封控！中國推出自有小芯片接口標準，加速半導體自研發(fā)
- 從整個(gè)芯片的發(fā)展來(lái)看，隨著(zhù)芯片工藝制程提升的難度越來(lái)越大，Chiplet這種小芯片疊加的方案，已經(jīng)逐漸成為了一種主流。特別是5nm以下先進(jìn)芯片工藝，在制造單芯片產(chǎn)品之際成本極高，所以用Chiplet的方案不但能保證性能，同時(shí)也能有效節約成本。目前整個(gè)行業(yè)都在向Chiplet方向發(fā)展，甚至海外還有專(zhuān)門(mén)針對Chiplet這一技術(shù)的聯(lián)盟——UCIe聯(lián)盟。UCIe聯(lián)盟的初衷是確保來(lái)自不同供應商的小芯片相互兼容，畢竟多芯片設計的優(yōu)勢之一是它們可以由不同的公司設計，并由不同的代工廠(chǎng)在不同的節點(diǎn)生產(chǎn)。這樣要做到不同芯片
- 關(guān)鍵字： Chiplet 小芯片
中國Chiplet的機遇與挑戰及芯片接口IP市場(chǎng)展望
- 在探討Chiplet(小芯片)之前，摩爾定律是繞不開(kāi)的話(huà)題。戈登·摩爾先生在1965 年提出了摩爾定律：每年單位面積內的晶體管數量會(huì )增加一倍，性能也會(huì )提升一倍。這意味著(zhù)，在相同價(jià)格的基礎上，能獲得的晶體管數量翻倍。不過(guò)，摩爾先生在十年后的1975年，把定律的周期修正為24個(gè)月。至此，摩爾定律已經(jīng)影響半導體行業(yè)有半個(gè)世紀。隨著(zhù)集成電路技術(shù)的不斷演進(jìn)，半導體行業(yè)發(fā)現摩爾定律在逐漸失效。上圖右上部分是英特爾x86 CPU 1970-2025年的演化歷史，可看出每顆芯片的晶體管數量持續增加(右上深藍色線(xiàn)條)，但時(shí)
- 關(guān)鍵字： Chiplet 芯片接口IP 摩爾定律失效
Chiplet：后摩爾時(shí)代關(guān)鍵芯片技術(shù)，先進(jìn)封裝市場(chǎng)10年10倍
- 大家好，我是小胡。在前面的內容我們講國內六大CPU廠(chǎng)商的時(shí)候，發(fā)現了一個(gè)問(wèn)題，就是國產(chǎn)CPU后續工藝迭代的問(wèn)題。除了華為鯤鵬以外，其余五大CPU廠(chǎng)商目前主力芯片的制程工藝都在10nm以上，而六大廠(chǎng)商當中有四家被列入實(shí)體清單，鯤鵬920雖然是7nm工藝，但這兩年一直依靠庫存支撐，芯片供應鏈問(wèn)題一直是國產(chǎn)CPU無(wú)法回避的問(wèn)題。22年8月份之后，Chiplet技術(shù)，也就是芯粒技術(shù)在A(yíng)股市場(chǎng)中熱度升高，我在看券商研報的時(shí)候發(fā)現，“超越摩爾定律”、“性能升級”、“彎道超車(chē)”、“產(chǎn)業(yè)突破”成為了研報當中的關(guān)鍵詞。今天
- 關(guān)鍵字： Chiplet 摩爾定律
中國推出本土小芯片接口以實(shí)現自力更生
- Chiplet 作為目前受到廣泛關(guān)注的新技術(shù)，給全球和中國的半導體市場(chǎng)帶來(lái)了變革與機遇。
- 關(guān)鍵字： Chiplet
圍繞小芯片形成的小型聯(lián)盟
- 商業(yè)小芯片市場(chǎng)崛起還遠，但公司正在通過(guò)更有限的合作伙伴關(guān)系早日起步。
- 關(guān)鍵字： chiplet
平面→立體，3D DRAM重定存儲器游戲規則？
- 近日，外媒《BusinessKorea》報道稱(chēng)，三星的主要半導體負責人最近在半導體會(huì )議上表示正在加速3D DRAM商業(yè)化，并認為3D DRAM是克服DRAM物理局限性的一種方法，據稱(chēng)這將改變存儲器行業(yè)的游戲規則。3D DRAM是什么？它將如何顛覆DRAM原有結構？壹摩爾定律放緩，DRAM工藝將重構1966年的秋天，跨國公司IBM研究中心的Robert H. Dennard發(fā)明了動(dòng)態(tài)隨機存取存儲器（DRAM），而在不久的將來(lái)，這份偉大的成就為半導體行業(yè)締造了一個(gè)影響巨大且市場(chǎng)規模超千億美元的產(chǎn)業(yè)帝國。DRA
- 關(guān)鍵字： 3D DRAM 存儲器
外媒：存儲大廠(chǎng)正在加速3D DRAM商業(yè)化
- 據外媒《BusinessKorea》報道，三星電子的主要半導體負責人最近在半導體會(huì )議上表示正在加速3D DRAM商業(yè)化，并認為3D DRAM是克服DRAM物理局限性的一種方法。三星電子半導體研究所副社長(cháng)兼工藝開(kāi)發(fā)室負責人Lee Jong-myung于3月10日在韓國首爾江南區三成洞韓國貿易中心舉行的“IEEE EDTM 2023”上表示，3D DRAM被認為是半導體產(chǎn)業(yè)的未來(lái)增長(cháng)動(dòng)力?？紤]到目前DRAM線(xiàn)寬微縮至1nm將面臨的情況，業(yè)界認為3~4年后新型DRAM商品化將成為一種必然，而不是一種方向。與現有
- 關(guān)鍵字： 存儲 3D DRAM
芯和半導體榮獲3D InCites “Herb Reiter 年度最佳設計工具供應商獎”
- 國內EDA行業(yè)領(lǐng)導者芯和半導體，由于其Metis平臺在2.5D/3DIC Chiplet先進(jìn)封裝設計分析方面的杰出表現，近日在半導體行業(yè)國際在線(xiàn)平臺3D InCites的評選中，獲封2023“Herb Reiter 年度最佳設計工具供應商獎”稱(chēng)號。? “Xpeedic芯和半導體去年宣布Chipletz采用了Metis平臺用于智能基板產(chǎn)品的設計，這一事件引起了我們極大的關(guān)注?！?D InCites創(chuàng )始人Fran?oise von Trapp表示，” 我們非常興奮芯和半導體今年首次參加3D InCi
- 關(guān)鍵字： 芯和半導體榮 3D InCites Herb Reiter 年度最佳設計工具供應商獎
芯和半導體榮獲3D InCites “Herb Reiter年度最佳設計工具供應商獎”
- 國內EDA行業(yè)領(lǐng)導者芯和半導體，由于其Metis平臺在2.5D/3DIC Chiplet先進(jìn)封裝設計分析方面的杰出表現，近日在半導體行業(yè)國際在線(xiàn)平臺3D InCites的評選中，獲封2023“Herb Reiter 年度最佳設計工具供應商獎”稱(chēng)號。?“Xpeedic芯和半導體去年宣布Chipletz采用了Metis平臺用于智能基板產(chǎn)品的設計，這一事件引起了我們極大的關(guān)注?！?D?InCites創(chuàng )始人Fran?oise von Trapp表示，” 我們非常興奮芯和半導體今年首次參加3D
- 關(guān)鍵字： 芯和半導體 3D InCites Herb Reiter年度最佳設計工具供應商獎
支持下一代 SoC 和存儲器的工藝創(chuàng )新
- 本文將解析使 3D NAND、高級 DRAM 和 5nm SoC 成為可能的架構、工具和材料。要提高高級 SoC 和封裝（用于移動(dòng)應用程序、數據中心和人工智能）的性能，就需要對架構、材料和核心制造流程進(jìn)行復雜且代價(jià)高昂的更改。正在考慮的選項包括新的計算架構、不同的材料，包括更薄的勢壘層和熱預算更高的材料，以及更高縱橫比的蝕刻和更快的外延層生長(cháng)。挑戰在于如何以不偏離功率、性能和面積/成本 (PPAC) 曲線(xiàn)太遠的方式組合這些。當今的頂級智能手機使用集成多種低功耗、高性能功能的移動(dòng) SoC 平臺，包括一個(gè)或多
- 關(guān)鍵字： 3D NAND DRAM 5nm SoC
3d chiplet介紹
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歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對3d chiplet的理解，并與今后在此搜索3d chiplet的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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