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Altera公開(kāi)下一代20nm產(chǎn)品創(chuàng )新技術(shù)細節

  • 不久前,Altera公司公開(kāi)了在其下一代20nm產(chǎn)品中規劃的幾項關(guān)鍵創(chuàng )新技術(shù),通過(guò)在20 nm的體系結構、軟件和工藝的創(chuàng )新,支持更強大的混合系統架構的開(kāi)發(fā)。日前,Altera公司資深副總裁首席技術(shù)官Misha Burich博士專(zhuān)程來(lái)到北京,詳細介紹了創(chuàng )新技術(shù)的細節。
  • 關(guān)鍵字: Altera  20nm  FPGA  201210  

臺積電推20nm及CoWoS參考流程

  •  臺積電研發(fā)副總侯永清表示,以上參考流程能夠完整的,將臺積電先進(jìn)的20奈米與CoWoS技術(shù)提供給晶片設計業(yè)者,以協(xié)助其盡早開(kāi)始設計開(kāi)發(fā)產(chǎn)品。而對于臺積電及其開(kāi)放創(chuàng )新平臺設計生態(tài)環(huán)境伙伴而言,首要目標即在于能夠及早、并完整地提供先進(jìn)的矽晶片與生產(chǎn)技術(shù)給客戶(hù)
  • 關(guān)鍵字: 臺積電  20nm  CoWoS  

臺積電摘蘋(píng)果A7 明年試產(chǎn)

  • 至于智慧型手機晶片,現在多采28或32奈米制程,明年良率會(huì )倍增到75%,吸引更多手機大廠(chǎng)采用。德意志證券預估,明年約有75~100%智慧型手機搭配28或32奈米制程的晶片,整體半導體產(chǎn)業(yè)又向前跨一步。
  • 關(guān)鍵字: 臺積電  20nm  

20nm和3D IC將是積極的產(chǎn)業(yè)

  •  注2:doublepatterning(兩次曝光):20nm后需要兩次曝光或多次曝光。28nm到20nm時(shí),設備不用做大的改變,但是設計手段要變。因為20nm后,設計間距太窄了,一次曝光會(huì )使光線(xiàn)無(wú)法穿過(guò),或者穿過(guò)的光線(xiàn)大大失真。doublepatterning就像兩個(gè)人坐在一起,為了加大間距,中間可隔開(kāi)一個(gè)位置。因此,人們把一層金屬拆成兩個(gè)mask(掩膜),這樣間距加大,光的不良效應就降低。方法是第一次曝光奇數行,第二次偶數行。
  • 關(guān)鍵字: 20nm  3D  

ARM和Globalfoundries聯(lián)手研發(fā)20nm移動(dòng)芯片

  •  ARM和Globalfoundries都沒(méi)有透露雙方合作將持續多長(cháng)時(shí)間,但鑒于20nm工藝節點(diǎn)還有很長(cháng)的一段路要走,臺積電也不必太過(guò)擔心于增加28nm工藝節點(diǎn)的產(chǎn)量。
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ARM將與Global Foundries合作開(kāi)發(fā)生產(chǎn)20nm芯片

  •   近日,ARM和Global Foundries簽訂了一個(gè)長(cháng)期協(xié)議,將一起研發(fā)生產(chǎn)下一代移動(dòng)系統級(SoC)芯片。屆時(shí),兩家公司將合力開(kāi)發(fā)生產(chǎn)20nm芯片,并在生產(chǎn)過(guò)程中使用FinFET加工技術(shù)。另外,根據這個(gè)協(xié)議,ARM還需要著(zhù)手開(kāi)發(fā) Artisan Physical IP 平臺,其中包括電池庫、記憶卡及POP IP解決方案。   而研發(fā)生產(chǎn)出來(lái)的芯片將用于下一代的智能手機、平板電腦和超級本。   據報道,Global Foundries生產(chǎn)的20nm LPM技術(shù)將可提升芯片40%的性能表現。
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20nm是如何改變半導體生態(tài)系統的

  •   芒果啤酒對于半導體設計與制造業(yè)有什么貢獻?我從未想象過(guò),在一張來(lái)自世界各地的啤酒愛(ài)好者的表單中,果味啤酒會(huì )通過(guò)一項味覺(jué)測試。事實(shí)證明,芒果啤酒非常好!同樣的道理,20nm曾經(jīng)被認為華而不實(shí),不會(huì )投入量產(chǎn),不會(huì )微縮,但事實(shí)證明20nm非常好。那些前沿的無(wú)晶圓廠(chǎng)商們6個(gè)月前還在撓頭糾結,現在已經(jīng)在規劃著(zhù)明年第一季度20nm的流片了。   20nm工藝節點(diǎn)是電子產(chǎn)業(yè)的轉折點(diǎn)。它帶來(lái)巨大的動(dòng)力、性能和面積優(yōu)勢,同時(shí)帶來(lái)了光刻技術(shù)、可變性和復雜性等挑戰。然而令人欣慰的是,通過(guò)在端到端、集成設計流程中使用EDA
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GLOBALFOUNDRIES代工意法半導體28納米和20納米芯片

  •   意法半導體宣布,引領(lǐng)全球半導體技術(shù)升級的半導體代工廠(chǎng)商GLOBALFOUNDRIES將采用意法半導體專(zhuān)有的FD-SOI(FullyDepletedSilicon-on-Insulator,全耗盡絕緣體上硅)技術(shù)為意法半導體制造28納米和20納米芯片。當今的消費者對智能手機和平板電腦的期望越來(lái)越高,要求既能處理精美的圖片,支持多媒體和高速寬帶上網(wǎng)功能,同時(shí)又不能犧牲電池壽命。在設備廠(chǎng)商滿(mǎn)足消費者這些需求的努力中,意法半導體的FD-SOI芯片的量產(chǎn)和上市將起到至關(guān)重要的作用。   多媒體融合應用需要性能
  • 關(guān)鍵字: 意法半導體  20nm  28nm  

28nm芯片供不應求 或影響高端智能手機市場(chǎng)

  •   全球智能手機市場(chǎng)近幾年來(lái)出現爆發(fā)式增長(cháng),智能手機迅速對功能手機進(jìn)行更新?lián)Q代,高端智能手機的需求也同樣增長(cháng)迅猛。但目前最高端的28納米尺寸芯片的缺貨,可能對高端智能手機的出貨產(chǎn)業(yè)影響。雖然日前分析家稱(chēng),蘋(píng)果公司下一代iPhone的發(fā)布計劃不會(huì )受到高通公司28納米芯片缺貨的影響,但高通公司13日也承認28納米芯片供給吃緊,問(wèn)題要等到今年10~12月才能得到緩解。   28納米芯片缺貨   隨著(zhù)越來(lái)越多的人開(kāi)始使用手機和平板電腦上網(wǎng)、玩游戲和看視頻,對移動(dòng)設備芯片的需求也在增加。據美國市場(chǎng)研究公司com
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三星嫁西安,看上去很美

  •   最近,有關(guān)于三星存儲器生產(chǎn)項目落戶(hù)西安的新聞充斥網(wǎng)絡(luò ),引起了很大的爭議。   該項目是三星電子繼1996年于美國奧斯汀之后第二次在海外設立半導體生產(chǎn)工廠(chǎng),同時(shí)是三星電子海外投資史上最大的項目,也是我國西部地區迄今為止最大的外商投資高新技術(shù)項目。該項目主要包含20nm工藝存儲芯片生產(chǎn)線(xiàn)以及相關(guān)研發(fā)中心,三期預計總投資300億美元,第一期約70億美元,將坐落于西安市長(cháng)安區興隆鄉,毗鄰西安電子科技大學(xué),計劃今年開(kāi)工,明年年底前投產(chǎn)。   爭議的焦點(diǎn)不在于三星此次投資的規模,而在于西安方面給出的優(yōu)惠政策。
  • 關(guān)鍵字: 三星  20nm  生產(chǎn)線(xiàn)  

20nm制程后年來(lái)到:臺積電Fab 14五期動(dòng)工

  •   根據官網(wǎng)消息,臺積電于今日在臺南科學(xué)工業(yè)園區舉行Fab 14超大型晶圓廠(chǎng)五期奠基儀式。此前本站曾經(jīng)報道臺積電Fab 14五期將可極大緩解28nm制程工藝產(chǎn)能不足的現狀,但從今日公告看來(lái)其意義遠不僅僅如此。   臺積電稱(chēng),今日奠基的Fab 14五期將是臺積電繼新竹園區Fab 12六期之后第二座具備20nm制程工藝生產(chǎn)能力的超大型12英寸晶圓廠(chǎng),預計將于2014年初進(jìn)行量產(chǎn)。兩座晶圓廠(chǎng)總無(wú)塵潔凈室面積高達87000平方米,超過(guò)11個(gè)足球場(chǎng)的面積,是一般2英寸晶圓廠(chǎng)的4倍。臺積電稱(chēng)該公司的20nm制程工藝
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IBM/GF/三星聯(lián)合展望20nm、14nm

  •   通用平臺聯(lián)盟的三巨頭IBM、GlobalFoundries、三星電子將于今年3月14日(德國漢諾威CeBIT 2012展會(huì )之后一周)在加州圣克拉拉舉行2012年通用平臺技術(shù)論壇,主題是“預覽硅技術(shù)的未來(lái)”(previewing the future of silicon technology)。   屆時(shí),三大巨頭將會(huì )聯(lián)合介紹在28nm、20nm、14nm等一系列新工藝技術(shù)上的發(fā)展和開(kāi)發(fā)情況,同時(shí)還會(huì )展望下一代450毫米晶圓——比現在流行的300毫米大
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TSMC確認將擴大旗下Gigafab工廠(chǎng)20nm產(chǎn)能

  •   臺灣TSMC公司宣布,該公司目前已經(jīng)開(kāi)始了旗下Fab15(Gigafab)工廠(chǎng)的phase3廠(chǎng)房建設,新廠(chǎng)房將會(huì )被用于20nm以及更先進(jìn)的生產(chǎn)工藝。   TSMC于2010年7月開(kāi)始了Fab15,phase1的建設,并于2011年年中完成了設備的安裝,計劃于2012年年初投入生產(chǎn)。與此同時(shí),Fab15,phase2于2011年年中開(kāi)始建設,計劃于明年投入生產(chǎn)。Fab15/1和Fab15/2預計將會(huì )每年帶來(lái)約30億美元的產(chǎn)值,而phase3在不久的未來(lái)也將會(huì )達到相似的規模。   TSMC公司主席Mo
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MRAM熱輔助寫(xiě)入 為實(shí)現20nm以下工藝所必需

  •   法國研究機構SPINTEC與開(kāi)發(fā)MRAM技術(shù)的Crocus Technology共同開(kāi)發(fā)出了將熱輔助切換(Thermally Assisted Switching:TAS)用于垂直磁化方式MTJ元件的STT-MRAM技術(shù)。并在2011年10月31日于美國亞利桑那(Arizona)州斯科茨戴爾(Scottsdale)開(kāi)幕的磁技術(shù)國際會(huì )議“56th MMM”的首日進(jìn)行了發(fā)布。   TAS技術(shù)是一項邊用加熱器對MTJ元件存儲層進(jìn)行加熱,邊寫(xiě)入數據的技術(shù)。對存儲層進(jìn)行加熱后,矯頑力會(huì )
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GlobalFoundries 20nm工藝成功流片

  •   GlobalFoundries今天宣布,最新的20nm工藝試驗芯片已于近日成功流片,這也是新工藝發(fā)展之路上里程碑式的關(guān)鍵一步。   GlobalFoundries 20nm工藝使用了四家電子設計自動(dòng)化(EDA)廠(chǎng)商的工藝流程,分別是Cadence Design Systems、Magma Design Automation、Mentor Graphics Corporation、Synopsys Inc.。  
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20nm介紹

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