20nm 文章進(jìn)入20nm技術(shù)社區

挑戰龍頭三星！美光/爾必達合體年內量產(chǎn)20nm DRAM

　　美國記憶體大廠(chǎng)美光科技(Micron Technology Inc.)最高營(yíng)運負責人(CEO)Mark Duncan于7月31日接受訪(fǎng)談時(shí)表示，在獲得美光的奧援下，正進(jìn)行破產(chǎn)重整的全球第3大DRAM廠(chǎng)爾必達(Elpida)將領(lǐng)先三星電子(Samsung Electronis)等南韓廠(chǎng)商于今(2013)年內量產(chǎn)全球最先端、采用20nm制程技術(shù)的DRAM產(chǎn)品(現行最高為25nm)。Mark Duncan表示，將融合美光及爾必達的技術(shù)，利用爾必達旗下主力12寸晶圓廠(chǎng)「廣島工廠(chǎng)」量產(chǎn)上述20nm產(chǎn)品，初期將生
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IC Insights:中國芯片市場(chǎng)成長(cháng)迅速自制比重仍低

　　還記得就在不久前還在討論中國迅速崛起成為半導體制造重鎮之勢不可擋嗎?如今看來(lái)，這一趨勢并不見(jiàn)得真的會(huì )發(fā)生。　　在21世紀初，包括中芯國際(SMIC)等幾家中國本土代工廠(chǎng)突然活躍起來(lái)了。由于中國具有勞動(dòng)成本相對較低以及來(lái)自中國大學(xué)大量培育的新工程師等優(yōu)勢，許多人都認為中國遲早都會(huì )成為全球半導體制造業(yè)的重要據點(diǎn)。　　根據市場(chǎng)研究公司IC Insights的最新統計資料顯示，2012年全球晶片市場(chǎng)產(chǎn)值達到了2,920億美元，其中來(lái)自中國制造的晶片只占3.5%;中國晶片市場(chǎng)約有810億美元規模，其中當
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ARM將進(jìn)軍20nm領(lǐng)域：功耗降低25%

　　ARM的下一步棋怎么走?看起來(lái)在今年前兩個(gè)季度“表現平平”的它，在英特爾的一波Haswell的大浪下變得似乎沒(méi)什么存在感了。不過(guò)，當下的一條消息讓我略感它正在醞釀一場(chǎng)反擊之戰。　　有消息稱(chēng)，基于A(yíng)RM架構的20nm制程工藝移動(dòng)處理器正在被臺積電和格羅方德半導體股份有限公司研發(fā)中，而預計問(wèn)世時(shí)間就在明年。同時(shí)，據了解在20nm制程的幫助下，新一代的ARM架構處理器的主頻將突破現在28nm制程的2.3Ghz，從而最終達到3.0Ghz。　　除此之外，20nm制程工藝還將幫助
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蘋(píng)果情定臺積電:20nm A8、16nm A9/A9X

　　蘋(píng)果的去三星化終于邁出了最關(guān)鍵的一步，“搶親的”就是臺積電：業(yè)內消息稱(chēng)，臺積電及其IC設計服務(wù)伙伴創(chuàng )意電子(GlobalUniChip)已經(jīng)與蘋(píng)果簽訂了一紙三年合約，將利用其20nm、16nm、10nm等多代工藝為蘋(píng)果制造未來(lái)的A系列處理器。據稱(chēng)，臺積電將從今年7月份開(kāi)始，使用20nm工藝小批量生產(chǎn)蘋(píng)果A8處理器，12月之后投入量產(chǎn)。　　 ? 　　臺積電的20nm工廠(chǎng)目前還在安裝設備，預計到2014年第一季度的時(shí)候，每月能生產(chǎn)5萬(wàn)塊晶圓。　　這其中的很
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GlobalFoundries：20nm已出樣 14nm年底試產(chǎn)

　　GlobalFoundries全球營(yíng)銷(xiāo)執行副總裁MichaelNoonen披露稱(chēng)，該公司正在進(jìn)行大范圍、大規模的擴張，尤其是增加美國紐約、新加坡工廠(chǎng)的產(chǎn)能，以滿(mǎn)足半導體客戶(hù)移動(dòng)設備的需求。　　目前，GF紐約州的Fab8工廠(chǎng)已經(jīng)能每月生產(chǎn)6萬(wàn)塊300毫米晶圓。這座工廠(chǎng)的28nm生產(chǎn)線(xiàn)已經(jīng)最終成熟，并贏(yíng)得了聯(lián)發(fā)科、瑞芯微等客戶(hù)的大批訂單，正在向更新工藝進(jìn)發(fā)。　　GF還稱(chēng)，已經(jīng)向客戶(hù)發(fā)出了20nm工藝的芯片樣品，供產(chǎn)品設計和驗證，同時(shí)還加速了14nmFinFET3D晶體管工藝的開(kāi)發(fā)，已經(jīng)做好準備在2
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聯(lián)電：20nm不會(huì )成主流 28nm后直接跳14nm

　　近日消息，聯(lián)電召開(kāi)法說(shuō)會(huì )，關(guān)于外界關(guān)注的先進(jìn)制程進(jìn)度，即使28nm之路仍顛簸，而老大哥臺積電20nm制程量產(chǎn)在即，但聯(lián)電執行長(cháng)顏博文仍表示，他認為28nm制程會(huì )是一個(gè)“強勁、且生命周期長(cháng)"(strong, and long-life node)的制程，至于20nm制程則不會(huì )成為主流制程(weak node)。他強調，聯(lián)電在28nm制程過(guò)后，下一個(gè)制程很可能直接跳過(guò)20nm、往14nm走。　　顏博文指出，對20nm制程而言，最大的變數并不是技術(shù)難以做到，而是雙層投影(doub
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聯(lián)電：20nm不會(huì )成主流 28nm后直接跳14nm

　　聯(lián)電(2303)今(8日)召開(kāi)法說(shuō)會(huì )，關(guān)于外界關(guān)注的先進(jìn)制程進(jìn)度，即使28奈米之路仍顛簸，而老大哥臺積電(2330)20奈米制程量產(chǎn)在即，但聯(lián)電執行長(cháng)顏博文(見(jiàn)附圖)仍表示，他認為28奈米制程會(huì )是一個(gè)「強勁、且生命周期長(cháng)」(strong,andlong-lifenode)的制程，至于20奈米制程則不會(huì )成為主流制程(weaknode)。他強調，聯(lián)電在28奈米制程過(guò)后，下一個(gè)制程很可能直接跳過(guò)20奈米、往14奈米走。　　顏博文指出，對20奈米制程而言，最大的變數并不是技術(shù)難以做到，而是雙層投影(dou
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賽靈思20nm All Programmable器件推出的三大里程碑事件

　　All Programmable技術(shù)和器件的全球領(lǐng)先企業(yè)賽靈思公司(Xilinx, Inc. (NASDAQ:XLNX) )日前宣布下一代20nm All Programmable器件推出的三大里程碑事件。賽靈思20nm產(chǎn)品系列建立在其業(yè)經(jīng)驗證的28nm突破性技術(shù)基礎之上，在系統性能、低功耗和可編程系統集成方面擁有著(zhù)領(lǐng)先一代的優(yōu)勢。其20nm產(chǎn)品系列不僅能滿(mǎn)足下一代各種各樣系統的廣泛需求，而且還可為ASIC與ASSP提供極具吸引力的可編程替代方案。　　賽靈思公司可編程平臺產(chǎn)品部高級副總裁Victo
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Xilinx 20nm產(chǎn)品細節揭秘搶占20nm FPGA制高點(diǎn)

　　前不久，賽靈思(Xilinx)發(fā)表其20 nm產(chǎn)品路線(xiàn)圖，在之前的28nm產(chǎn)品上，Xilinx聲稱(chēng)他們領(lǐng)先競爭對手一代，落實(shí)了All Programmable器件戰略(FPGA、SoC和3D IC)，推出了Vivado設計環(huán)境和開(kāi)發(fā)套件，結合其豐富的IP資源，為市場(chǎng)提供了高性能、低功耗和有利于減少系統/BOM成本的產(chǎn)品。賽靈思公司全球高級副總裁，亞太區執行總裁湯立人表示，Xilinx在20nm產(chǎn)品的表現上還將保持領(lǐng)先一代的優(yōu)勢,下一代FPGA及第二代SoC和3D IC將與Vivado設計套件&ldqu
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賽靈思宣布20nm產(chǎn)品戰略

All Programmable技術(shù)和器件的領(lǐng)先企業(yè)賽靈思公司(Xilinx)近日宣布其20nm產(chǎn)品系列發(fā)展戰略，包括下一代8系列All Programmable FPGA以及第二代3D IC和SoC。20nm產(chǎn)品系列建立在業(yè)經(jīng)驗證的28nm技術(shù)突破之上，在系統性能、功耗和可編程系統集成方面繼續領(lǐng)先。
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20納米FPGA箭在弦上

　　臺積電28nm良率大幅提升的利好還沒(méi)被市場(chǎng)徹底消化，FPGA業(yè)界雙雄已爭先恐后地發(fā)布20nm FPGA戰略，在性能、功耗、集成度等方面均大幅躍升，蠶食ASIC之勢將愈演愈烈。在45nm工藝節點(diǎn)，大量ASIC廠(chǎng)商率先量產(chǎn);而到了28nm工藝時(shí)代，率先量產(chǎn)的7家公司中已有兩家是FPGA廠(chǎng)商;在20nm時(shí)代，FPGA或將拔得頭籌。　　超越簡(jiǎn)單工藝升級　　FPGA向下一代工藝演進(jìn)并不是“升級”那么簡(jiǎn)單，需要諸多創(chuàng )新技術(shù)應對挑戰。　　邁向更高工藝是市場(chǎng)驅動(dòng)力所致。&ldquo
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向20nm沖刺 FPGA跨入嶄新階段

　　大約在近半年前，Altera公司CTO Misha Burich先生曾向業(yè)內媒體介紹了FPGA體系架構的演進(jìn)，以及FPGA走向硅片融合的發(fā)展大趨勢。所謂硅片融合，指的是業(yè)內各種不同架構的核集成于同一硅片或平臺上的發(fā)展趨勢，如將MCU、DSP和FPGA這幾種不同架構的核集成在一個(gè)芯片上，這成為業(yè)界和FPGA行業(yè)的發(fā)展的大趨勢，這是市場(chǎng)發(fā)展的客觀(guān)需求，也已經(jīng)成為整個(gè)業(yè)界的共識。2012年9月末，Misha Burich再次向業(yè)界公布了Altera 公司如何將硅片融合這一趨勢落實(shí)到真正的產(chǎn)品上的創(chuàng )新技術(shù)，并
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跨進(jìn)20nm門(mén)檻高 IC廠(chǎng)改走類(lèi)IDM模式

　　IC設計公司與晶圓代工廠(chǎng)的合作將邁向類(lèi)IDM模式。進(jìn)入20nm制程世代，將牽動(dòng)半導體設備、電子設計自動(dòng)化(EDA)工具、IC電路布局與封測作業(yè)全面革新，導致產(chǎn)業(yè)鏈須投資大量資源;因此，晶圓代工廠(chǎng)與晶片商為避免個(gè)別財務(wù)負擔過(guò)重，將更加緊密合作，并共同分攤研發(fā)設備與人力開(kāi)支，加速推進(jìn)20nm以下制程問(wèn)世。　　中國半導體行業(yè)協(xié)會(huì )IC設計分會(huì )理事長(cháng)暨清華大學(xué)微電子學(xué)研究所長(cháng)魏少軍提到，SoC邁向3D架構后，要發(fā)揮異質(zhì)晶片堆疊效益，軟體應用層的重要性將更加突顯。　　中國半導體行業(yè)協(xié)會(huì )IC設計分會(huì )理事長(cháng)暨
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半導體生態(tài)改變類(lèi)IDM成形

　　中國大陸半導體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì )積體電路設計分會(huì )理事長(cháng)魏少軍表示，20nm制程后半導體產(chǎn)業(yè)生態(tài)系統將有大改變，未來(lái)晶圓代工廠(chǎng)將與IC設計廠(chǎng)以類(lèi)IDM廠(chǎng)形式合作。　　全球半導體聯(lián)盟(GSA)今天舉辦半導體領(lǐng)袖論壇。魏少軍應邀出席演講20nm制程后時(shí)代IC設計業(yè)的發(fā)展挑戰。　　魏少軍說(shuō)，半導體制程技術(shù)推進(jìn)至20nm后，晶片效能可望持續提升，但恐難以達到降低成本的目標。　　魏少軍表示，20nm制程后半導體業(yè)生態(tài)系統將有大改變，除元件架構將改變外，未來(lái)并將自過(guò)去技術(shù)導向，轉為應用導向，須兼顧營(yíng)運模式及技術(shù)創(chuàng )
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Altera介紹下一代20nm產(chǎn)品創(chuàng )新技術(shù)細節

　　不久前，Altera公司公開(kāi)了在其下一代20nm產(chǎn)品中規劃的幾項關(guān)鍵創(chuàng )新技術(shù)，通過(guò)在20 nm的體系結構、軟件和工藝的創(chuàng )新，支持更強大的混合系統架構的開(kāi)發(fā)。日前，Altera公司資深副總裁首席技術(shù)官Misha Burich博士專(zhuān)程來(lái)到北京，詳細介紹了創(chuàng )新技術(shù)的細節。　　據Misha Burich博士介紹，Altera的20nm混合系統架構包括40-Gbps收發(fā)器技術(shù)、下一代精度可調數字信號處理(DSP)模塊體系結構以提供高達5 TFLOP(每秒5萬(wàn)億次浮點(diǎn)運算)的IEEE 754標準浮點(diǎn)運算性能、
關(guān)鍵字： Altera 20nm 收發(fā)器

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