GLOBALFOUNDRIES代工意法半導體28納米和20納米芯片

　　意法半導體宣布，引領(lǐng)全球半導體技術(shù)升級的半導體代工廠(chǎng)商GLOBALFOUNDRIES將采用意法半導體專(zhuān)有的FD-SOI(FullyDepletedSilicon-on-Insulator，全耗盡絕緣體上硅)技術(shù)為意法半導體制造28納米和20納米芯片。當今的消費者對智能手機和平板電腦的期望越來(lái)越高，要求既能處理精美的圖片，支持多媒體和高速寬帶上網(wǎng)功能，同時(shí)又不能犧牲電池壽命。在設備廠(chǎng)商滿(mǎn)足消費者這些需求的努力中，意法半導體的FD-SOI芯片的量產(chǎn)和上市將起到至關(guān)重要的作用。

　　多媒體融合應用需要性能和能效兼備的半導體技術(shù)。隨著(zhù)芯片外觀(guān)尺寸不斷縮小，傳統技術(shù)無(wú)法使晶體管的性能和電池壽命同時(shí)達到最高水準，無(wú)法在實(shí)現最優(yōu)性能的同時(shí)確保溫度不超過(guò)安全限制。解決之道是采用FD-SOI技術(shù)，該技術(shù)兼備最高性能、低工作功耗(在各種應用中，降低電源功率后還能保持良好的性能)和低待機功耗。

　　憑借其注重成本效益的平面型FD-SOI技術(shù)，意法半導體率先推出了28納米的全耗盡型器件，遙遙領(lǐng)先競爭對手。為FD-SOI貨源提供雙重保障，意法半導體與GLOBALFOUNDRIES簽訂了代工協(xié)議，以補充意法半導體位于法國Crolles工廠(chǎng)的產(chǎn)能。28n納米FD-SOI器件目前已商用化，預計于2012年7月前投入原型設計;而20納米FD-SOI器件目前處于研發(fā)階段，預計2013年第三季度投入原型設計。

　　意法半導體的FD-SOI技術(shù)已被ST-Ericsson用于下一代移動(dòng)平臺，這項技術(shù)將使ST-Ericsson的NovaThor平臺具有更高的性能和更低的功耗，在發(fā)揮最高性能的時(shí)候可降低功耗達35%。

　　意法半導體計劃向GLOBALFOUNDRIES的其它客戶(hù)開(kāi)放FD-SOI技術(shù)，讓他們能夠使用目前最先進(jìn)的28納米和20納米技術(shù)研發(fā)產(chǎn)品。