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20nm
20nm 文章 進(jìn)入20nm技術(shù)社區
首款20nm芯片竟然是挖礦用的：1440核心
- 今年TSMC會(huì )從28nm工藝升級到20nm，高通、蘋(píng)果都在爭搶20nm產(chǎn)能，誰(shuí)能最先推出20nm工藝的芯片呢?首先我們可以排除AMD和NVIDIA的GPU了，甚至今年都沒(méi)戲。本周首款20nm工藝芯片就會(huì )問(wèn)世，只不過(guò)大家都不會(huì )想到它竟然是用來(lái)挖礦的，KnCMiner公司推出的名為“海王星”的礦機芯片擁有1440個(gè)核心，封裝面積3025mm2。 KNCminer公司之前推出了Titan礦機 目前主流的移動(dòng)處理器及GPU都還在使用28nm工藝，它們對良率、產(chǎn)能鎦銖
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AMD 20nm代工釋單 臺積電、格羅方德?tīng)帉?/a>
- 處理器大廠(chǎng)超微(AMD)15日在北京召開(kāi)APU14技術(shù)創(chuàng )新大會(huì )，但市場(chǎng)卻傳出超微20奈米繪圖晶片的晶圓代工訂單，將全數轉下格羅方德(GlobalFoundries)消息，不過(guò)隨即又有消息指出，臺積電仍是20奈米繪圖晶片最大代工廠(chǎng)。超微主管對此不予評論，僅表示會(huì )維持與格羅方德及臺積電等晶圓代工廠(chǎng)緊密合作關(guān)系。 根據國外網(wǎng)站消息，由于臺積電28奈米產(chǎn)能不足，20奈米產(chǎn)能又幾乎被蘋(píng)果包下，除了高通及輝達(NVIDIA)可能轉單到格羅方德或三星，超微今年下半年開(kāi)始未來(lái)2年內將推出的28奈米火山群島(
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臺積電20nm制程不順 三星或搶下高通大單
- 先前曾多次爆料臺積電、三星電子晶圓代工業(yè)務(wù)消息的研究機構BlueFinResearchPartners宣稱(chēng)，三星準備大幅提高20奈米制程技術(shù)的晶圓產(chǎn)量，有可能是為了滿(mǎn)足高通、蘋(píng)果這兩大客戶(hù)的需求，這會(huì )直接對臺積電構成威脅。 BlueFin分析師PaulPeterson、SteveMullane指出，他們在4月28日曾經(jīng)估計，三星位于美國奧斯丁的晶圓代工廠(chǎng)應可月產(chǎn)3,000-4,000片采用20奈米制程技術(shù)的矽晶圓(wpm)，這些產(chǎn)量可讓三星除錯、進(jìn)而提高良率，以爭取成為蘋(píng)果第二個(gè)供應來(lái)源。
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臺積電20nm良率提升 16nm年底投片
- 市場(chǎng)傳出臺積電20nm良率遭遇瓶頸，可能沖擊蘋(píng)果新世代處理器出貨，甚至轉單，16nm試產(chǎn)時(shí)程受此波及，被迫延后二個(gè)月，估計要延至今年年底。但據設備業(yè)者表示，這些推論都言過(guò)其實(shí)。 設備業(yè)者表示，臺積電1月才開(kāi)始進(jìn)行20奈米制程量產(chǎn)，3月良率仍處于穩定拉升狀態(tài)，在每一個(gè)新制程世代剛開(kāi)始量產(chǎn)的第一年，本來(lái)就會(huì )有很多需要調整的地方，以目前狀況來(lái)看仍在可掌控范圍，并沒(méi)有所謂遭遇瓶頸問(wèn)題產(chǎn)生。 至于蘋(píng)果A8處理器訂單部份，目前包括臺積電、三星、格羅方德(GlobalFoundries)、聯(lián)電等
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三星已量產(chǎn)20nm 4Gb DDR3內存模組：產(chǎn)量增三成 能耗降25%
- 買(mǎi)電腦的話(huà)，人們通常有兩種選擇，要么從戴爾聯(lián)想等OEM廠(chǎng)商那里買(mǎi)現成的，或者想辦法自己折騰。當然，前者雖然省事，但是可定制的選項卻比較少;因而還是有不少用戶(hù)，選擇了自己更自由靈活的DIY。如此一來(lái)，你就能夠選擇硬盤(pán)的類(lèi)型和容量，以及內存頻率等規格了。說(shuō)到這，很多人內心里肯定泛起了淡淡的憂(yōu)傷——因為內存已經(jīng)盤(pán)踞高位很久了。 當然，在內存的選購方便，也不能一味求便宜——因為系統的穩定性，絕對比價(jià)格更重要。 縱觀(guān)世界幾大內存顆粒制造商，三星
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高通64位CPU驍龍810曝光：20nm工藝制造
- 蘋(píng)果A7處理器推出后，高通也迅速推出了64位移動(dòng)處理器驍龍410，由于該處理器定位中低端，因此，它的風(fēng)頭反被NVIDIA推出的TegraK1所搶去。對此，外媒傳來(lái)消息稱(chēng)，高通將在2014年下半年推出高端產(chǎn)品驍龍810，其將采用20nm工藝制造，GPU也升級為Adreno430。 ? 高通64位CPU驍龍810曝光(圖片來(lái)自驅動(dòng)之家) 外媒透露，驍龍810將有MSM8994和APQ8094兩大型號，前者集成基帶，后者則不集成基帶，而其他方面二者基本相同。據悉，驍龍810采用
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已經(jīng)邁入20nm時(shí)代 半導體業(yè)整并潮加劇
- 其以下的制程之后，將呈現更驚人的倍數增長(cháng)態(tài)勢，因此能負擔如此巨額資本資出(CAPEX)的廠(chǎng)商家數愈來(lái)愈少，帶動(dòng)半導體設備商、IC設計業(yè)者加速展開(kāi)購并，以力鞏市場(chǎng)勢力版圖。 應用材料(AppliedMaterials)副總裁暨臺灣區總裁余定陸表示，半導體制造的資本密集度在20奈米及其以下制程之后，將大幅增長(cháng)，以記憶體產(chǎn)業(yè)為例，從60奈米進(jìn)展至20奈米，資本支出將增加3.4倍;而在IC產(chǎn)業(yè)更是高達4倍之多。 余定陸進(jìn)一步指出，隨著(zhù)半導體制程推展至20奈米及其以下，能負荷龐大制造設備采購成本的晶
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AMD或提前流片20nm/14nm工藝芯片
- 雖然AMD在A(yíng)PU的制作工藝上一直都是受制于人，但是其在產(chǎn)品設計方面的確從來(lái)沒(méi)有落后過(guò)，這一點(diǎn)在顯卡方面尤其明顯，而且每次也都信心滿(mǎn)滿(mǎn)。近日據悉，AMD日前透露，20nm和14nmFinFET工藝的流片工作將在半年內完成。 AMD高級副總裁、全球業(yè)務(wù)總經(jīng)理LisaSu在財務(wù)會(huì )議上表示：“AMD的技術(shù)工藝往往都處在領(lǐng)先的位置?，F在所有的產(chǎn)品系列都應用上了28nm工藝。從設計的角度講，在未來(lái)兩個(gè)季度內，我們將全面轉向20nm和FinFET(鰭式場(chǎng)效晶體管)。同時(shí)我們也將繼續和代工的合
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Mentor CEO：摩爾定律在20nm工藝后迎挑戰
- Mentor董事會(huì )主席兼CEOWallyRhines在9月3日于北京舉行的Mentor中國論壇上指出，數字半導體工藝目前已進(jìn)入28nm階段，但制造企業(yè)一直以來(lái)都在應對來(lái)自成本方面的壓力。Mentor的RET/OPC解決方案為中國的芯片代工廠(chǎng)提供了緩解成本壓力的有效方法。 他認為，摩爾定律現在仍然有效，但只是“學(xué)習曲線(xiàn)——成本降低曲線(xiàn)”的一種特例。進(jìn)入20nm、14/16nm及10nm工藝時(shí)代后，摩爾定律可能會(huì )失效，每個(gè)晶體管成本每年的下降速度不到3
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臺積電加573億先進(jìn)制程 主攻20nm及FinFET
- 晶圓龍頭臺積電13日董事會(huì )通過(guò)573.65億元資本支出，連同上次核準金額，合計為2033.65億元，約占臺積電全年資本支出上限100億美元的68%，顯示臺積電加速先進(jìn)制程腳步。 臺積電將今年資本支出上修至95至100億美元(約新臺幣2990億)，只少許落后英特爾的110億美元，是臺灣投資計劃最大的電子大廠(chǎng)。 設備廠(chǎng)商透露，臺積電加緊20納米及16納米先進(jìn)制程量產(chǎn)及試產(chǎn)時(shí)程，添購所需設備，推估今年臺積電全年資本支出，絕對會(huì )在上限100億美元，而且明年也可能與今年相近。 設備商表示，臺積
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20nm臺積電提前一季量產(chǎn)
- 因應生產(chǎn)蘋(píng)果新世代處理器，臺積電加速20納米及16納米制程腳步，其中20納米預定明年第1季量產(chǎn)，比預期提前一季量產(chǎn);16納米則在2014年量產(chǎn)。 據了解，臺積電將以20納米及16納米鰭式場(chǎng)效晶體管(FinFET)，為蘋(píng)果生產(chǎn)A7至A9等三代處理器，其中20納米和16納米制程均比預定時(shí)間提前一季，南科14廠(chǎng)的20納米今年6月試產(chǎn)，良率優(yōu)于預期;竹科12廠(chǎng)的16納米今年11月提前試產(chǎn)，初期投片量為數百片。 設備商預估，今年第4季，臺積電南科廠(chǎng)20納米單月投片量可望推升至2,000片，明年第1季
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聯(lián)電將跳過(guò)20nm 專(zhuān)攻FinFET
- 聯(lián)電將跳過(guò)20納米(nm)制程節點(diǎn)，全力卡位14納米鰭式電晶體(FinFET)市場(chǎng)。由于20納米研發(fā)所費不貲，加上市場(chǎng)需求仍不明朗，因此聯(lián) 電已計劃在量產(chǎn)28納米后，直接跨過(guò)20納米節點(diǎn)，加速挺進(jìn)更具投資效益的14納米FinFET世代，以與臺積電、格羅方德 (GLOBALFOUNDRIES)和三星(Samsung)一較高下。 聯(lián)電市場(chǎng)行銷(xiāo)處處長(cháng)黃克勤表示，20納米制程帶來(lái)的效益將不 如從40納米演進(jìn)至28納米的水準，且須導入雙重曝光(Double Patterning)方案，勢將增加一筆可觀(guān)花費
- 關(guān)鍵字： 聯(lián)電 20nm
20nm介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條20nm!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對20nm的理解，并與今后在此搜索20nm的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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