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14nm
14nm 文章 進(jìn)入14nm技術(shù)社區
創(chuàng )新時(shí)代 中國IC設計需創(chuàng )新思路
- 2013年中國IC行業(yè)在資本運作層面出現了一個(gè)小高潮：9月底瀾起科技在美國Nasdaq成功上市，成為過(guò)去10年在美國上市的第4家中國集成電路設計企業(yè)，也是近3年來(lái)在美國上市的唯一的中國集成電路設計企業(yè)。在此之前，同方國芯以定向增發(fā)的方式實(shí)現了對深圳國微電子的合并;紫光集團斥資17.8億美元收購了展訊通信，創(chuàng )造了中國集成電路設計業(yè)最大的資本并購案，展現出資本市場(chǎng)對集成電路設計企業(yè)的高度興趣。除此之外，在技術(shù)研發(fā)、新品發(fā)布、專(zhuān)利權交易諸多層面，中國集成電路均表現出了相當的活躍度。相比之下，2013年全球半
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16/14nm半導體工藝將在三年后全面興起
- 無(wú)論是Intel、三星電子，還是臺積電、GlobalFoundries，2014年都會(huì )加大投入，合計增加約20%，而各家關(guān)注的重點(diǎn)當然是新的半導體工藝：16/14nm。 Intel過(guò)去三年的資本支出一直沒(méi)有低于100億美元，明年也不會(huì )降低。14nm工藝原本計劃在2013年底投入量產(chǎn)，不過(guò)因為一些瑕疵推遲到了2014年第一季度，但即便這樣也依然在業(yè)內處于領(lǐng)先地位。 三星最近三年在系統芯片方面的資本支出也有193億美元之多，其中今年約為50億美元，預計明年會(huì )迎來(lái)一個(gè)爆發(fā)，有望沖到100億美元，
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力拼臺積電？傳三星14nm AP年底送樣 跳過(guò)20nm
- SamMobile、Android Community 14日引述南韓媒體DDaily報導，為了和臺積電(2330)在晶圓代工領(lǐng)域一較高下，最新消息顯示三星電子(Samsung Electronics Co.)可能會(huì )跳過(guò)20奈米制程技術(shù)，直接從當前的28奈米制程一口氣轉進(jìn)14奈米FinFET制程，并將技術(shù)導入Galaxy S5內建的行動(dòng)處理器。 根據報導，三星被市場(chǎng)通稱(chēng)為「Galaxy S5」的次世代旗艦智慧型手機可能會(huì )搭載采用14奈米制程技術(shù)的64位元行動(dòng)應用處理器(AP)「Exynos 6
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遠拋對手 Intel宣布14nm工藝芯片年底投產(chǎn)
- 雖然Intel的桌面處理器明年不會(huì )升級到14nm，但是這種新工藝正在緊張有序地鋪開(kāi)，將首先在筆記本和移動(dòng)領(lǐng)域施展拳腳。 Intel今天確認，14nm工藝將在今年底投入批量生產(chǎn)，打頭陣的當然是Broadwell。在舊金山會(huì )場(chǎng)上，Intel還拿出了一臺配備著(zhù)14nm Broadwell芯片的筆記本，已經(jīng)可以正常運行了。 Intel宣稱(chēng)，Broadwell初期樣品的測試顯示，它能比Haswell帶來(lái)“30%的功耗改進(jìn)”，后期進(jìn)一步完善后還有望更多。 Intel同時(shí)重
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半導體搶入16/14nm FinFET制程 業(yè)者掠地
- EDA業(yè)者正大舉在FinFET市場(chǎng)攻城掠地。隨著(zhù)臺積電、聯(lián)電和英特爾(Intel)等半導體制造大廠(chǎng)積極投入16/14奈米FinFET制程研發(fā)，EDA工具開(kāi)發(fā)商也亦步亦趨，并爭相發(fā)布相應解決方案，以協(xié)助IC設計商克服電晶體結構改變所帶來(lái)的新挑戰，卡位先進(jìn)制程市場(chǎng)。 16/14奈米(nm)先進(jìn)制程電子設計自動(dòng)化(EDA)市場(chǎng)戰火正式點(diǎn)燃。相較起28/20奈米制程，16/14奈米以下制程采用的鰭式場(chǎng)效電晶體(FinFET)結構不僅提升晶片設計困難度(圖1)，更可能拖累產(chǎn)品出貨時(shí)程，為協(xié)助客戶(hù)能突破Fi
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IC業(yè)發(fā)展模式孕育新一輪變革 面臨三大難題
- 半導體業(yè)已經(jīng)邁入14nm制程，2014年開(kāi)始量產(chǎn)。如果從工藝制程節點(diǎn)來(lái)說(shuō)，傳統的光學(xué)光刻193nm浸液式采用兩次或者四次圖形曝光(DP)技術(shù)可能達到10nm，這意味著(zhù)如果EUV技術(shù)再次推遲應用，到2015年制程將暫時(shí)在10nm徘徊。除非等到EUV技術(shù)成熟，制程才能再繼續縮小下去。依目前的態(tài)勢，即便EUV成功也頂多還有兩個(gè)臺階可上，即7nm或者5nm。因為按理論測算，在5nm時(shí)可能器件已達到物理極限。 工藝尺寸縮小僅是手段之一，不是最終目標。眾所周知，推動(dòng)市場(chǎng)進(jìn)步的是終端電子產(chǎn)品的市場(chǎng)需求，向著(zhù)更
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14nm是全球半導體工藝的一個(gè)“坎”？
- 尺寸縮小是推動(dòng)產(chǎn)業(yè)進(jìn)步的“靈舟妙藥”，每?jì)赡瓿叽缈s小70%的魔咒至此沒(méi)有延緩的跡象，2011年是22nm工藝，到2013年工藝應該到14nm。眾所周知，尺寸縮小僅是一種手段，如果缺乏尺寸縮小而帶來(lái)的紅利，業(yè)界不會(huì )盲目跟進(jìn)。依目前的態(tài)勢，業(yè)界已然有所爭議，有人認為由28nm向22nm過(guò)渡時(shí)成本可能反而上升，這或是產(chǎn)業(yè)過(guò)渡過(guò)程中的正?，F象。 全球半導體業(yè)中還能繼續跟蹤14nm工藝節點(diǎn)者可能尚余不到10家，包括英特爾、三星、臺積電、格羅方得、聯(lián)電、東芝、海力士、美光等。顯然在半
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確保與IBM合作有成 聯(lián)電緊握14/10nm主導權
- 聯(lián)電近期與IBM簽訂合作計劃，全力沖刺14和10奈米(nm)鰭式電晶體(FinFET)制程量產(chǎn)。不過(guò)，聯(lián)電也不忘記取當初發(fā)展0.13微米時(shí)，授權IBM方案卻面臨量產(chǎn)窒礙難行，反遭臺積電大幅超前進(jìn)度的教訓;此次在14/10奈米的合作僅將采用IBM基礎技術(shù)平臺與材料科技，并將主導大部分制程研發(fā)，以結合先進(jìn)科技和具成本效益的量產(chǎn)技術(shù)，避免重蹈覆轍。 聯(lián)電執行長(cháng)顏博文表示，隨著(zhù)IC設計業(yè)者對于更新、更先進(jìn)技術(shù)的需求日益增高，聯(lián)電日前已宣布加入IBM 10奈米FinFET互補式金屬氧化物半導體(CMOS)
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Altera CEO：14nm Trigate將引領(lǐng)高端FPGA
- 日前，Altera公布了其2013年二季度營(yíng)收，總收入為421.8億美元，環(huán)比增長(cháng)3%，同比卻下降9%。其凈利潤為1.015億美元，環(huán)比下降16%，同比則下降38%。 由于種種問(wèn)題，Stratix V的銷(xiāo)量不升反降，環(huán)比下降22%，而新產(chǎn)品Arria V則環(huán)比上升113%，Cyclone V則上漲了73%，這導致Altera新品銷(xiāo)量環(huán)比僅上漲6%。 按區域來(lái)分，亞太及北美市場(chǎng)同比都有一定程度的下滑，分別為下降22%與12%，歐洲區則同比上升11%。 而按照應用劃分，只有工業(yè)自動(dòng)化、軍
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IC業(yè)十大“芯”結求解：產(chǎn)業(yè)生態(tài)難成氣候?
- “萬(wàn)物并作，吾以觀(guān)復?！比缤匀唤缟鷳B(tài)要和諧共處才能生生不息一樣，半導體業(yè)的生態(tài)系統更是“俱榮俱損”的關(guān)系，當半導體業(yè)步入多元且全面的商業(yè)競爭時(shí)代，競爭已不局限于單純的產(chǎn)品和技術(shù)，而在于誰(shuí)能構建完整的產(chǎn)業(yè)生態(tài)系統。設備和材料在半導體生態(tài)系統中扮演“左右護法”的角色：全球每年在半導體業(yè)的投資約500億~600億美元，其中有70%是用來(lái)購買(mǎi)設備，因為工藝的進(jìn)步全要仰仗設備業(yè)的進(jìn)步。半導體材料的質(zhì)量和供應則直接影響著(zhù)IC的質(zhì)量和競爭力，
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英特爾：14nm開(kāi)發(fā)順利并將提前投產(chǎn)
- 據外電報道，英特爾方面日前明確表示，在今年年底將正式投產(chǎn)14nm工藝，但此次的產(chǎn)品發(fā)布會(huì )和以往有所區別。 英特爾CEO科再奇已經(jīng)表示：“半導體工藝上的投資和技術(shù)優(yōu)勢為英特爾保證行業(yè)領(lǐng)先提供了基礎。22nm工藝的缺陷率、產(chǎn)出時(shí)間達到了歷時(shí)最低水平，在這種情況下，英特爾將在今年年底按期投產(chǎn)14nm?！? 這實(shí)際上和之前的路線(xiàn)圖有所出入，按照之前的計劃，英特爾不會(huì )在2014年內推出14nmBroadwell處理器，因為在2014年，英特爾本來(lái)安排了HaswellRefres
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英特爾：14nm開(kāi)發(fā)順利并將提前投產(chǎn)
- 據外電報道，英特爾方面日前明確表示，在今年年底將正式投產(chǎn)14nm工藝，但此次的產(chǎn)品發(fā)布會(huì )和以往有所區別。 英特爾CEO科再奇已經(jīng)表示：“半導體工藝上的投資和技術(shù)優(yōu)勢為英特爾保證行業(yè)領(lǐng)先提供了基礎。22nm工藝的缺陷率、產(chǎn)出時(shí)間達到了歷時(shí)最低水平，在這種情況下，英特爾將在今年年底按期投產(chǎn)14nm?！? 這實(shí)際上和之前的路線(xiàn)圖有所出入，按照之前的計劃，英特爾不會(huì )在2014年內推出14nm Broadwell處理器，因為在2014年，英特爾本來(lái)安排了Haswell Refr
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蘋(píng)果回頭找三星代工A9處理器？
- 根據《韓國經(jīng)濟日報》(KoreaEconomicDaily)報導，蘋(píng)果公司(AppleInc.)與三星電子(SamsungElectronics)日前簽署一項代工協(xié)議，雙方將再續前緣──三星將為蘋(píng)果未來(lái)的iPhone手機與iPad平板電腦產(chǎn)品打造14nmA9處理器。 在該報導中，根據雙方的協(xié)議，三星將從2015年開(kāi)始，以FinFET制程技術(shù)為蘋(píng)果生產(chǎn)14nmA9處理器。A9處理器將用于蘋(píng)果下一代iPhone7智慧型手機。 蘋(píng)果從幾年前開(kāi)始自行設計自家智慧型手機與平板電腦專(zhuān)用的處理器后，就一
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明導CEO：微細化程度越高 可靠性設計越重要
- 赴日訪(fǎng)問(wèn)的明導公司(Mentor Graphics Corp.)董事長(cháng)兼首席執行官阮華德(Walden C. Rhines)接受了本站記者的采訪(fǎng)。 阮華德詳細介紹“More Moore” ——首先想就半導體領(lǐng)域問(wèn)幾個(gè)問(wèn)題。20nm SoC已進(jìn)入開(kāi)發(fā)階段，在EDA行業(yè)，20nm的課題是支持雙重圖形(Double Patterning)，14nm以及以后工藝面臨的課題是什么呢?明導將為此提供些什么? 阮華德：14nm的課題是(一)FinFE
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Intel 14nm平臺爆發(fā)：DDR4、PCI-E 4.0、SATA-E
- PCGH今天曝光了一份Intel Xeon、Xeon Phi的規劃路線(xiàn)圖。雖是服務(wù)器和高性能計算領(lǐng)域的，但也能反映出桌面平臺的進(jìn)展。 不過(guò)注意，本文中說(shuō)的Xeon不包括單路型號，而是雙路型EP、多路型EX，而且Intel的新工藝、新架構一般都是先在桌面上使用，一年左右之后進(jìn)入服務(wù)器。 路線(xiàn)圖顯示，Haswell架構的Xeon EP/EX將在明年發(fā)布，除了帶來(lái)桌面平臺已有的22nm工藝、AVX2指令集、PCI-E 3.0總線(xiàn)之外，還會(huì )開(kāi)始支持DDR4，這也將是Intel第一次支持下代內存
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14nm介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條14nm!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對14nm的理解，并與今后在此搜索14nm的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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