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14nm
14nm 文章 進(jìn)入14nm技術(shù)社區
導入FinFET制程技術(shù) 聯(lián)電14奈米后年亮相
- 聯(lián)電14nm鰭式電晶體(FinFET)制程技術(shù)將于后年初開(kāi)始試產(chǎn)。聯(lián)電正全力研發(fā)新一代14nmFinFET制程技術(shù)，預計效能可較現今28nm制程提升35～40%，可提供通訊晶片與應用處理器低功耗與高效能優(yōu)勢，擴大搶攻通訊與消費性電子IC制造商機。 聯(lián)電執行長(cháng)孫世偉表示，14nmFinFET制程技術(shù)將會(huì )是聯(lián)電切入未來(lái)次世代通訊運算市場(chǎng)的最佳利器。 聯(lián)電執行長(cháng)孫世偉表示，由于晶圓從28跨入20nm制程以下的微縮過(guò)程中，勢必得使用雙重曝光(DoublePatterning)微影技術(shù)才能實(shí)現，而此
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GLOBALFOUNDRIES: 14nm準備好了嗎?
- 日前，GLOBALFOUNDRIES宣布推出采用FinFET架構的14nm-XM技術(shù)，其全球銷(xiāo)售和市場(chǎng)營(yíng)銷(xiāo)執行副總裁Michael Noonen近日接受媒體訪(fǎng)問(wèn)，對有關(guān)問(wèn)題進(jìn)行了解讀。 XM 是 eXtreme Mobility 的縮寫(xiě)，作為業(yè)界領(lǐng)先的非平面結構，它真正為移動(dòng)系統級芯片(SoC)設計做了優(yōu)化，能提供從晶體管到系統級的全方位產(chǎn)品解決方案。與目前20納米節點(diǎn)的二維平面晶體管相比，該技術(shù)可望實(shí)現電池功耗效率提升 40%~60%。 Noonen表示：“201
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英特爾開(kāi)始部署14nm產(chǎn)線(xiàn)
- 核心提示：英特爾于2009年關(guān)閉了位在都柏林附近Leixlip的Fab14廠(chǎng)，將當地晶圓廠(chǎng)的數量減少至三個(gè)，分別為Fab10,24和24-2。2011年1月，英特爾花費約五億美元重建Fab14舊廠(chǎng)，但當時(shí)并未說(shuō)明翻新這座晶圓廠(chǎng)的詳細規劃。 英特爾日前公布了將部署14nm及以下制程的晶圓廠(chǎng)投資計劃。據表示，總投資金額將超過(guò)十億美元。 英特爾CEO PaulOtellini稍早前說(shuō)明了英特爾的晶圓廠(chǎng)部署14nm及未來(lái)更先進(jìn)制程的藍圖及相關(guān)投資規劃。這些晶圓廠(chǎng)包括了位在美國奧勒岡州的D1X晶圓廠(chǎng)
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偏離摩爾定律晶片微縮腳步漸緩
- 半導體產(chǎn)業(yè)正在面臨一項挑戰，即每?jì)赡晡⒖s晶片特征尺寸的周期已然結束，我們正在跨入一個(gè)情勢高度不明的階段。業(yè)界目前面臨的幾項關(guān)鍵挑戰都顯示，晶片微縮的路程愈來(lái)愈艱困了。 1.晶圓代工廠(chǎng)量產(chǎn)32/28nm晶圓的周期延長(cháng)到了三年左右。2009年，45/40nm晶圓占代工廠(chǎng)營(yíng)收比重僅10%;而2012年第四季，32/28nm占代工廠(chǎng)營(yíng)收比重也是10%。 2.在32nm量產(chǎn)2年多以后，22nm的FinFET才宣布將邁入量產(chǎn)。FinFET是一項極具挑戰性的技術(shù)。英特爾在這方面的研究相當卓越，但仍需克服
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14nm會(huì )是硅芯片的盡頭？
- 盡管英特爾依然樂(lè )觀(guān)地預測將于2015年之前推出8nm制程工藝的芯片，但人們還是懷疑14nm可能將成為硅芯片尺寸的最終盡頭。 近年來(lái)，芯片的發(fā)展進(jìn)程始終嚴格遵守著(zhù)“摩爾定律”，并有條不紊地進(jìn)行著(zhù)，直到14nm制造工藝的芯片在英特爾的實(shí)驗室中被研制成功，業(yè)界開(kāi)始有了擔憂(yōu)。 據摩爾定律所說(shuō)，集成在同一芯片上的晶體管數量大約每?jì)赡暝黾右槐?，同時(shí)相同大小的芯片將具有雙倍的性能。一旦達到14nm的制程，將極其接近硅晶體的理論極限數字(大約為9nm到11nm)。 盡管英特爾
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臺積電：14nm制程節點(diǎn)將用垂直型晶體管結構
- 據參加了比利時(shí)微納米電子技術(shù)研究機構IMEC召開(kāi)的技術(shù)論壇的消息來(lái)源透露，與會(huì )的各家半導體廠(chǎng)商目前已經(jīng)列出了從平面型晶體管轉型為垂直型晶體管(以Intel的三柵晶體管和IBM的FinFET為代表)的計劃。 其中來(lái)自半導體代工巨頭臺積電公司負責研發(fā)的高級副總裁蔣尚義在會(huì )上發(fā)言稱(chēng)，臺積電公司已經(jīng)決定在14nm制程節點(diǎn)轉向使用垂直型晶體管結構。 蔣尚義表示：“經(jīng)過(guò)研究，我們決定在14nm制程節點(diǎn)放棄使用傳統的平面型晶體管結構，轉而采用能更好控制溝道性能的垂直型晶體管結構。&rdq
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14nm介紹
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