確保與IBM合作有成　聯(lián)電緊握14/10nm主導權

　　聯(lián)電近期與IBM簽訂合作計劃，全力沖刺14和10奈米(nm)鰭式電晶體(FinFET)制程量產(chǎn)。不過(guò)，聯(lián)電也不忘記取當初發(fā)展0.13微米時(shí)，授權IBM方案卻面臨量產(chǎn)窒礙難行，反遭臺積電大幅超前進(jìn)度的教訓;此次在14/10奈米的合作僅將采用IBM基礎技術(shù)平臺與材料科技，并將主導大部分制程研發(fā)，以結合先進(jìn)科技和具成本效益的量產(chǎn)技術(shù)，避免重蹈覆轍。

　　聯(lián)電執行長(cháng)顏博文表示，隨著(zhù)IC設計業(yè)者對于更新、更先進(jìn)技術(shù)的需求日益增高，聯(lián)電日前已宣布加入IBM 10奈米FinFET互補式金屬氧化物半導體(CMOS)技術(shù)聯(lián)盟，將與IBM協(xié)同努力，克服現階段的研發(fā)障礙。

　　事實(shí)上，格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)和三星(Samsung)在14奈米FinFET制程發(fā)展方面，亦與IBM有相當密切的合作往來(lái)，因而引發(fā)業(yè)界對聯(lián)電難以突顯制程差異性的疑慮。此外，法人也憂(yōu)心聯(lián)電和IBM共同推動(dòng)0.13微米制程的失敗情形重演，更對IBM的前瞻制程科技抱持「中看不重用」的懷疑，擔心聯(lián)電無(wú)法在2015年的1x奈米FinFET市場(chǎng)爭取有利位置。

　　對此，顏博文回應，過(guò)去聯(lián)電在0.13微米落后對手肇因于未與IBM明確分工，因此，未來(lái)發(fā)展14和10奈米制程，聯(lián)電將導入IBM的FinFET基礎制程平臺與材料科技，加速復雜立體結構的FinFET技術(shù)成形，同時(shí)根據客戶(hù)需求自行開(kāi)發(fā)衍生性的量產(chǎn)方案，以結合兩家公司各自的技術(shù)能量，加快產(chǎn)品上市時(shí)程，并提高制程獨特性與市場(chǎng)競爭力。

　　據悉，聯(lián)電將積極爭取14/10奈米FinFET制程主導權，除持續擴充相關(guān)制程設備與驗證分析解決方案的第三方合作夥伴陣容外，今年規畫(huà)15億美元資本支出中，亦將投入三分之二建置28奈米以下制程，可見(jiàn)其高度看重FinFET技術(shù)投資。

　　顏博文進(jìn)一步強調，相較于其他競爭對手投注大量資源發(fā)展20奈米制程，聯(lián)電將跳過(guò)此一制程節點(diǎn)，集中火力搶攻14奈米FinFET技術(shù)，并將同步啟動(dòng)10奈米FinFET研究計劃，讓資本支出與研發(fā)資源發(fā)揮最大效益。