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傳梁孟松手下大將已到 中芯國際邁向14nm挺進(jìn)世界前三有望

  •   去年年末,半導體業(yè)內極具聲望的前臺積電運營(yíng)長(cháng)蔣尚義加盟中芯國際,曾掀起業(yè)內對于兩岸半導體制造行業(yè)發(fā)展現狀及前景的大規模討論,而隨后傳出助三星趕超臺積電制程進(jìn)度的關(guān)鍵人物梁孟松也將加入中芯國際,將這一討論推向了高潮。今年4月再次傳出梁孟松將就任中芯國際CTO或COO的消息,令中芯和梁孟松再次處于了半導體制造行業(yè)的風(fēng)口浪尖處,由此引發(fā)的一系列關(guān)于中芯國際制程進(jìn)步、大陸半導體產(chǎn)業(yè)前景及半導體制造行業(yè)格局的討論猶言在耳。因此近日來(lái)盛傳的梁孟松手下大將已赴中芯國際任職,梁本人8月初開(kāi)始請長(cháng)假的消息,再次給近期稍
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美封鎖對華半導體出口:14nm制造可以 X86設計不行

  •   中國正在大力推動(dòng)半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展,作為高新科技核心的半導體技術(shù)實(shí)在太重要了,不僅僅是帶來(lái)幾萬(wàn)億GDP,而且事關(guān)國家安全——在這點(diǎn)上,不僅中國政府這么認為,美國政府也多次表態(tài)半導體技術(shù)事關(guān)美國國家安全,美國不能放松。對國內公司來(lái)說(shuō),發(fā)展半導體技術(shù)面臨的困難不只有人才、資金、技術(shù)等,還有美國的技術(shù)封鎖,限制了中國公司獲得國際先進(jìn)技術(shù)的可能性。這事也說(shuō)過(guò)很多次了,那么美國在半導體技術(shù)上到底有什么限制呢?現在來(lái)看美國不禁止14nm制造工藝進(jìn)入中國,但是X86芯片設計等關(guān)鍵技術(shù)不能離開(kāi)美國
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顯頹勢?其實(shí)英特爾已在多個(gè)領(lǐng)域有所斬獲

  •   英特爾近兩年的擠牙膏策略給了很多競爭對手反擊的機會(huì ),比如AMD的Ryzen,再比如微軟攜手高通推驍龍835平臺的Windows 10筆記本。   從表面上看英特爾最近的確盡顯頹勢,但這僅限Intel品牌的X86處理器領(lǐng)域。實(shí)際上,最近兩年英特爾在其他領(lǐng)域還是收獲頗豐的。   先來(lái)看看對英特爾而言的一個(gè)最大利好消息吧。   我們都知道,蘋(píng)果從iPhone 7開(kāi)始,同時(shí)采購高通和英特爾兩家生產(chǎn)的基帶芯片,目的是給高通壓力,少收點(diǎn)專(zhuān)利費,賣(mài)得再便宜點(diǎn)。沒(méi)想到高通油鹽不進(jìn),最近還和蘋(píng)果鬧上了公堂,為
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14nm的FPGA需要什么樣的電源管理IC?

  • 現在的FPGA不僅僅是一個(gè)邏輯器件,它現在更加像一個(gè)平臺,在一個(gè)FPGA中常常會(huì )包含有數字信號處理、嵌入式處理、高速串行和其他高端技術(shù)模塊。那么,這樣的FPGA需要什么樣的電源管理IC來(lái)與之配合呢?
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由材料分析觀(guān)點(diǎn)看英特爾14nm/14nm+演進(jìn)

  • 如今,后摩爾定律時(shí)代已經(jīng)來(lái)臨,工藝微縮將會(huì )面臨更多的挑戰,此時(shí)工藝的“驗證能力”在這場(chǎng)戰爭中已是不可或缺的武器,如何精準地在幾個(gè)納米的差距中找到差異,絕對是致勝關(guān)鍵;面對更小更困難的工藝,材料分析的技術(shù)扮演著(zhù)至關(guān)重要的角色,未來(lái)將跟隨半導體工藝微縮的腳步,一起見(jiàn)證下一個(gè)世代的來(lái)臨。
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我們常聽(tīng)到的22nm、14nm、10nm究竟是什么意思?

  •   IDM(集成器件制造商)指Intel、IBM、三星這種擁有自己的晶圓廠(chǎng),集芯片設計、制造、封裝、測試、投向消費者市場(chǎng)五個(gè)環(huán)節的廠(chǎng)商,一般還擁有下游整機生產(chǎn)。   Fabless(無(wú)廠(chǎng)半導體公司)則是指有能力設計芯片架構,但本身無(wú)廠(chǎng),需要找代工廠(chǎng)代為生產(chǎn)的廠(chǎng)商,知名的有ARM、NVIDIA、高通、蘋(píng)果和華為。   Foundry(代工廠(chǎng))則指臺積電和GlobalFoundries,擁有工藝技術(shù)代工生產(chǎn)別家設計的芯片的廠(chǎng)商。我們常見(jiàn)到三星有自己研發(fā)的獵戶(hù)座芯片,同時(shí)也會(huì )代工蘋(píng)果A系列和高通驍龍的芯片系
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英特爾:下一代酷睿仍采用14nm性能已等于三星10nm

  •   2月10日,英特爾在投資者會(huì )議上正式發(fā)布了第8代酷睿處理器,將于今年下半年亮相。遺憾的是,第8代酷睿處理器并沒(méi)有采用傳聞中的10nm工藝,而是依舊沿用14nm工藝,英特爾稱(chēng)之為“Advancing Moore‘s Law on 14 nm”。雖然采用的仍然是老工藝,但是英特爾表示,第8代酷睿的性能將比Kaby Lake提升15%。   據悉,數據中心所用的Xeon高端多核處理器將首批用上下一代制程,也就是10nm。另外在1月初的CES 2017上,CEO柯再奇曾表
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臺積電戰將三星14nm功臣梁孟松傳將加盟SMIC

  •   半導體業(yè)界公認不愛(ài)名利的前臺積電共同執行長(cháng)蔣尚義,赴大陸擔任中芯國際獨立非執行董事,震驚業(yè)界,然業(yè)界又傳出投奔三星電子、與臺積電打官司多年的前臺積電資深研發(fā)處長(cháng)梁孟松,已于第3季離開(kāi)三星,近期將投入大陸半導體艦隊,落腳處也是中芯國際。業(yè)者認為這些臺灣半導體超級戰將紛投效大陸,似乎是為大陸半導體未來(lái)黃金十年做背書(shū)。   大陸大動(dòng)作發(fā)展半導體產(chǎn)業(yè),繼瘋狂蓋12吋晶圓廠(chǎng)、購并國際大廠(chǎng),近期開(kāi)始挖角重量級的高手加入大陸半導體業(yè),近期除了被點(diǎn)名的蔡力行及已經(jīng)宣布的蔣尚義外,傳出下一個(gè)要投奔大陸的是與臺積電有多
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盤(pán)點(diǎn)用了三星14nm FinFET 制程的產(chǎn)品

  •   Samsung 14nm FinFET 推出至今也有一段時(shí)間,到底有哪些產(chǎn)品使用呢?   隨著(zhù)Samsung Exynos 7 Dual 7270 這款整合LTE Modem 與聯(lián)網(wǎng)能力的穿戴式裝置用SoC 進(jìn)入量產(chǎn),這家韓系品牌在14nm FinFET 的布局也跟著(zhù)廣泛許多。   第一款使用14nm FinFET 的產(chǎn)品時(shí)Exynos7 Octa 7420,其處理器架構為四核ARM Cortex-A57 與四核ARM Cortex-A53,被運用在Samsung GALAXY S6 與Samsu
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英特爾14nm新處理器曝光 四核心設計15W功耗

  •   英特爾很快會(huì )推出新一代14nm工藝處理器,這已經(jīng)不是什么秘密,但英特爾7nm工藝處理器要等很多年才能看到,這一點(diǎn)比三星和臺積電晚很多,令人擔憂(yōu)。不過(guò)這都是后話(huà),現在最受關(guān)注的還是14nm工藝,根據爆料14nm工藝不僅僅是提升頻率降低功耗,英特爾打算加入四核心八線(xiàn)程,TDP有望維持在15W。        新的處理器核心面積為122平方毫米,不過(guò)依然是之前的顯示核心,預計明年第三季度量產(chǎn),第一季度就會(huì )有樣品出現了。   另外,根據客戶(hù)要求還會(huì )推出更高性能的版本,但TDP會(huì )提升到18
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Intel代工展訊14nm芯片本月出樣

  •   Intel擁有地球上最先進(jìn)的半導體工藝,在FinFET工藝上比其他廠(chǎng)商提前兩年多量產(chǎn),14nm FinFET工藝雖然遭遇了難產(chǎn),但還是比TSMC、三星更早,而且Intel的工藝水平是最好的,柵極距是真正的14nm水平,其他兩家是有水分的。從 上半年開(kāi)始轉型開(kāi)始,Intel也把晶圓代工作為突破點(diǎn),拉攏到了LG電子,現在又一家客戶(hù)確認了,中國的展訊公司也會(huì )使用Intel 14nm工藝代工,相關(guān)芯片最快10月份就可以出樣。   Intel在晶圓制造上實(shí)力無(wú)可置疑,此前也有零星的代工合作,不過(guò)客戶(hù)并不多,主
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英特爾:超頻友好的14nm桌面Broadwell CPU年中到來(lái)

  • 之前根據一份泄露的英特爾產(chǎn)品路線(xiàn)圖顯示,超頻友好的14nm桌面Broadwell CPU年中到來(lái),現在我們知道這些信息是真實(shí)的。在舊金山游戲開(kāi)發(fā)者大會(huì )上,消
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Intel狂擠牙膏!三代14nm平臺明年見(jiàn):無(wú)驚喜

  • 10nm新工藝難產(chǎn),Intel不得不臨時(shí)增加了第三代的14nm工藝平臺Kaby Lake,但即便如此進(jìn)展也不快,Intel甚至將其描述為“2017年平臺”。
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FD-SOI制程決勝點(diǎn)在14nm!

  •   產(chǎn)業(yè)資深顧問(wèn)Handel Jones認為,半導體業(yè)者應該盡速轉移14奈米FD-SOI (depleted silicon-on-insulator)制程,利用該技術(shù)的眾多優(yōu)勢…   半 導體與電子產(chǎn)業(yè)正努力適應制程節點(diǎn)微縮至28奈米以下之后的閘成本(gate cost)上揚;如下圖所示,在制程微縮同時(shí),每單位面積的邏輯閘或電晶體數量持續增加,其速率高于晶圓片成本增加的速率。在另一方面,當制程特征尺寸縮 減時(shí),晶片系統性與參數性良率會(huì )降低,帶來(lái)較高的閘成本。     
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傳三星研發(fā)三代14nm制程、年底量產(chǎn)

  •   三星電子的晶片部門(mén)風(fēng)光不再,從金雞母淪落至賠錢(qián)貨,該部門(mén)1日宣稱(chēng)第三代14奈米FinFET制程的研發(fā)工作即將完成,似乎意圖向臺積電(2330)搶單,扭轉頹勢。   韓媒etnews 2日報導,去年三星電子量產(chǎn)第一代14奈米制程,名為L(cháng)PE(Low Power Early),外界評測發(fā)現能耗表現遜于臺積電16奈米,讓三星顏面盡失。三星隨后研發(fā)第二代14奈米制程,名為L(cháng)PP(Low Power Plus),宣稱(chēng)耗電量較前代減少15%,目前三星Galaxy S7搭載的Exynos 8 Octa和高通驍龍8
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