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14nm
14nm 文章 進(jìn)入14nm技術(shù)社區
Intel至強線(xiàn)路圖曝光 Skylake將用14nm制程
- 國外媒體最近曝出了一張Intel至強(Xeon)處理器產(chǎn)品發(fā)布線(xiàn)路圖，這張線(xiàn)路圖表明Intel正在籌備Skylake架構的芯片產(chǎn)品。Skylake將是目前尚未發(fā)布的Broadwell平臺的繼任者，這一平臺預計也得幾年之后才會(huì )和用戶(hù)見(jiàn)面，搭載最新的技術(shù)是肯定的。 Skylake會(huì )采用14nm制程，當和Broadwell算作是Intel首批采用這一制造工藝生產(chǎn)的芯片，而且還會(huì )引入Intel的第九代IntelHDIGP。Skylake將支持DDR4內存，不過(guò)應當不是首個(gè)支持DDR4的平臺，明年的Has
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Intel Skylake平臺將采用14nm制程 并支持DDR4/PCIe 4
- 國外媒體最近曝出了一張Intel至強(Xeon)處理器產(chǎn)品發(fā)布線(xiàn)路圖，這張線(xiàn)路圖表明Intel正在籌備Skylake架構的芯片產(chǎn)品。Skylake將是目前尚未發(fā)布的Broadwell平臺的繼任者，這一平臺預計也得幾年之后才會(huì )和用戶(hù)見(jiàn)面，搭載最新的技術(shù)是肯定的。 Skylake會(huì )采用14nm制程，當和Broadwell算作是Intel首批采用這一制造工藝生產(chǎn)的芯片，而且還會(huì )引入Intel的第九代Intel HD IGP。Skylake將支持DDR4內存，不過(guò)應當不是首個(gè)支持DDR4的平臺，明年
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聯(lián)電完成14nm制程FinFET結構晶體管芯片流片
- 在Synopsys 的協(xié)助下，臺灣聯(lián)電(UMC)首款基于14nm制程及FinFET晶體管技術(shù)的測試用芯片日前完成了流片。聯(lián)電公司早前曾宣布明年下半年有意啟動(dòng)14nm制程FinFET產(chǎn)品的制造，而這次這款測試芯片完成流片設計則顯然向實(shí)現這一目標又邁進(jìn)了一步，當然流片完成之后還需要對過(guò)程工藝等等項目進(jìn)行完善和改進(jìn)，還有大量工作要做。 ? 近年來(lái)，在臺積電，Globalfoundries，三星等老牌代工商的沖擊下，聯(lián)電在代工行業(yè)的排名一再下跌，更何況Intel也開(kāi)始染指代工市場(chǎng)
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聯(lián)電攜手新思 14nm設計定案采用Galaxy平臺
- 聯(lián)電(2303-TW)(UMC-US)與新思科技(Synopsys)(SNPS-US)共同宣布，兩家公司的合作已獲得成果，采用新思科技DesignWare邏輯庫的IP組合，和Galaxy實(shí)作平臺的一部分寄生StarRC萃取方案，成功完成聯(lián)電第一個(gè)14奈米FinFET制程驗證工具的設計定案。 在雙方持續進(jìn)展中的合作關(guān)系上，采用新思科技DesignWare矽智財解決方案來(lái)認證聯(lián)電14奈米FinFET制程，可視為是雙方此次合作的第一座里程碑。 聯(lián)電表示，這次合作的第一個(gè)里程碑，可加速聯(lián)電14奈米
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我國移動(dòng)芯片產(chǎn)業(yè)加速發(fā)展
- 隨著(zhù)移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)在全球的普及，移動(dòng)智能終端正在快速蠶食傳統PC的市場(chǎng)空間。在終端芯片領(lǐng)域，移動(dòng)芯片的市場(chǎng)占有率卻在不斷提升，逐漸成為芯片產(chǎn)業(yè)的“明星”和領(lǐng)跑者。值得一提的是，在移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)發(fā)展的新浪潮中，我國的移動(dòng)芯片產(chǎn)業(yè)正在崛起，逐漸在全球芯片市場(chǎng)中占據一席之地，這不僅促進(jìn)了全球芯片市場(chǎng)的“變局”，更將為我國ICT產(chǎn)業(yè)的未來(lái)發(fā)展提供支撐和動(dòng)力。 移動(dòng)芯片是智能終端的硬件平臺，是其物理能力的基礎。在我國智能終端市場(chǎng)上爆發(fā)的激烈“核&rdqu
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ARM：14nm FinFET之路仍有顛簸
- 自從ARM決定從行動(dòng)裝置跨足到伺服器市場(chǎng)后，無(wú)不加快自己在制程技術(shù)上的腳步，好能跟Intel一決高下，不過(guò)當然還是必須協(xié)同主要合作夥伴(臺積電與三星)的技術(shù)進(jìn)度。對ARM來(lái)說(shuō)，去年年底宣布成功試產(chǎn)(Tape Out)14nm FinFET制程技術(shù)的三星，將是有助于提高自家處理器效能的關(guān)鍵，但目前仍有技術(shù)上的問(wèn)題必須克服。 日前ARM已正式對外公布2013年Q1財報，營(yíng)收同樣繼續維持成長(cháng)，主要營(yíng)收的大多比重皆是來(lái)自于IP技術(shù)授權(ARMv8、Mali、big.LITTLE技術(shù))。而低功耗一直以來(lái)都
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ARM：14nm FinFET之路仍有顛簸
- 自從ARM決定從行動(dòng)裝置跨足到伺服器市場(chǎng)后，無(wú)不加快自己在制程技術(shù)上的腳步，好能跟Intel一決高下，不過(guò)當然還是必須協(xié)同主要合作夥伴(臺積電與三星)的技術(shù)進(jìn)度。對ARM來(lái)說(shuō)，去年年底宣布成功試產(chǎn)(TapeOut)14nmFinFET制程技術(shù)的三星，將是有助于提高自家處理器效能的關(guān)鍵，但目前仍有技術(shù)上的問(wèn)題必須克服。 日前ARM已正式對外公布2013年Q1財報，營(yíng)收同樣繼續維持成長(cháng)，主要營(yíng)收的大多比重皆是來(lái)自于IP技術(shù)授權(ARMv8、Mali、big.LITTLE技術(shù))。而低功耗一直以來(lái)都是A
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ARM：14nm FinFET之路仍有顛簸
- 自從ARM決定從行動(dòng)裝置跨足到伺服器市場(chǎng)后，無(wú)不加快自己在制程技術(shù)上的腳步，好能跟Intel一決高下，不過(guò)當然還是必須協(xié)同主要合作夥伴(臺積電與三星)的技術(shù)進(jìn)度。對ARM來(lái)說(shuō)，去年年底宣布成功試產(chǎn)(Tape Out)14nm FinFET制程技術(shù)的三星，將是有助于提高自家處理器效能的關(guān)鍵，但目前仍有技術(shù)上的問(wèn)題必須克服。 日前ARM已正式對外公布2013年Q1財報，營(yíng)收同樣繼續維持成長(cháng)，主要營(yíng)收的大多比重皆是來(lái)自于IP技術(shù)授權(ARMv8、Mali、big.LITTLE技術(shù))。而低功耗一直以來(lái)都
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采用Intel代工，Altera于14nm先下一城
- 2010年，Intel發(fā)布了其第一代22nm三柵極技術(shù)，這無(wú)疑是半導體工藝的一個(gè)突破性進(jìn)展。最近，Altera宣布將采用Intel的第二代14 nm三柵極技術(shù)開(kāi)發(fā)下一代高性能FPGA，同時(shí)也將繼續與TSMC保持長(cháng)期合作。這一消息也無(wú)疑成了最近業(yè)界的重磅話(huà)題之一。 為什么采用Intel的14nm三柵極技術(shù)？ Altera公司國際市場(chǎng)部總監李儉先生將這個(gè)問(wèn)題拆分為兩個(gè)層面，第一個(gè)層面是為什么要采用三柵極技術(shù)，第二個(gè)層面是為什么要采用Intel的技術(shù)。 三柵極技術(shù)能夠從三方面帶來(lái)技術(shù)突破：第一
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Altera副總裁：“14nm工藝FPGA的代工只委托英特爾”
- 美國阿爾特拉(Altera)于2013年2月25日宣布，決定把14nm工藝FPGA的生產(chǎn)委托給美國英特爾(參閱本站報道)。3月1日，阿爾特拉產(chǎn)品和企業(yè)營(yíng)銷(xiāo)及技術(shù)服務(wù)副總裁Vince Hu在東京通過(guò)電話(huà)會(huì )議系統，向新聞媒體介紹了該制造委托協(xié)議。 Vince Hu說(shuō)，阿爾特拉之所以選擇英特爾作為14nm工藝代工企業(yè)，是因為英特爾在立體晶體管(FinFET)技術(shù)方面的量產(chǎn)業(yè)績(jì)獲得好評。英特爾在業(yè)界率先在22nm工藝上采用了FinFET(該公司稱(chēng)為T(mén)ri-Gate)，阿爾特拉表示，采用該技術(shù)制造的微處理
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Samsung ：也來(lái)看看我們的14nm晶圓吧
- 通用平臺技術(shù)論壇上，IBM展示了14nm FinFET晶圓和可彎曲的28nm晶圓，GlobalFoundries吹噓了自己14nm工藝的高能效和28nm工藝對Cortex-A15的貢獻， Samsung 也擺出了自己的14nm晶圓。 和Intel、IBM(還有臺積電16nm)一樣， Samsung 14nm同樣引入了FinFET晶體管技術(shù)，而且又類(lèi)似GlobalFoundries、聯(lián)電， Samsung 也使用了14+20nm混合工藝，大致來(lái)說(shuō)就是晶體管是14nm的，其它各部分則都是20nm的。
- 關(guān)鍵字： Samsung 14nm 晶圓
2013年半導體產(chǎn)業(yè)三大巨頭 14nm提前開(kāi)戰
- 2013年半導體產(chǎn)業(yè)聚焦在三巨頭——臺積電、英特爾與三星的產(chǎn)能與技術(shù)比拚，以及訂單的板塊位移態(tài)勢，三巨頭今年的資本支出規模都讓市場(chǎng)吃驚，不約而同的維持高資本支出水位，讓原本預期資本支出將大減的外界皆有跌破眼鏡之感，三巨頭不但要力拚先進(jìn)制程產(chǎn)能的擴增，也都展現出欲在20奈米以下制程與18寸晶圓技術(shù)超越對手的企圖心。 臺積電2013年資本支出再度上升至90億美元規模，而英特爾也逆勢增加至130億美元，三星也并未如外界預期大砍資本支出規模，而是宣布2013年資本支出與2012年
- 關(guān)鍵字： 臺積電 14nm
明導支持三星14nm IC制造工藝平臺問(wèn)世
- 明導公司(Mentor Graphics Corp)今天宣布，用以支持三星14nm IC制造工藝的綜合設計、制造與后流片實(shí)現(post tapeout)平臺問(wèn)世，這一平臺能夠為客戶(hù)提供完整的從設計到晶圓的并行流程，使早期加工成為可能。完全可互操作的Mentor?流程可幫助客戶(hù)實(shí)現快速設計周期和晶圓生產(chǎn)的一次性成功。 明導專(zhuān)門(mén)用于三星14nm晶圓優(yōu)化的解決方案，包含設計規則檢查(DRC)、LVS查驗、提取、可制造性設計(DFM)和先進(jìn)填充等功能的Calibre?平臺，以及Tessent?可測試性設
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ARM推A50系列 手機進(jìn)入64位時(shí)代？
- 智能手機快速崛起，填補移動(dòng)設備空白，有望成為人們日常使用的基本上網(wǎng)工具，保證隨時(shí)在線(xiàn)互聯(lián)及各種多媒體應用，這也使得市場(chǎng)對智能手機處理器的聯(lián)網(wǎng)、圖形、視頻等性能有了更高的期待。日前，ARM公司宣布推出首款64位ARMv8架構的Cortex-A50處理器系列產(chǎn)品，同時(shí)宣布AMD、博通、Calxeda、海思、三星和意法半導體已獲得Cortex-A50系列架構授權，首批采用該架構的設備有望于2014年發(fā)貨。對此，有觀(guān)點(diǎn)認為受益于A(yíng)RM在智能手機市場(chǎng)的強勢地位，未來(lái)智能手機將快速進(jìn)入64位時(shí)代;但也有觀(guān)點(diǎn)認為受
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14nm介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條14nm!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對14nm的理解，并與今后在此搜索14nm的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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